ПЕРСПЕКТИВИ ВИКОРИСТАННЯ ПОВЕРХНЕВО-БАР’ЄРНИХ CdTe-ДІОДІВ В СОНЯЧНІЙ ЕНЕРГЕТИЦІ

Πηγή: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 16, № 2 (2019); 32-42
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 16, № 2 (2019); 32-42
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 16, № 2 (2019); 32-42

Θεματικοί όροι: теллурид кадмия, поверхностно-барьерный диод, солнечный элемент, эффективность фотопреобразования, телурид кадмію, поверхнево-бар'єрний діод, сонячний елемент, ефективність фотоперетворення, 7. Clean energy, cadmium telluride, surface barrier diode, solar cell, photoconversion efficiency

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://semst.onu.edu.ua/article/view/171227

Фотоелектрические свойства диодов на основе монокристаллического теллурида кадмия с модифицированной поверхностью ; Фотоелектронні властивості діодів на основі монокристалічного телуриду кадмію з модифікованою поверхнею

Συγγραφείς: Александрюк, Т. Ю., Бойко, Ю. Н., Махний, В. П., Скрипник, Н. В.

Θεματικοί όροι: фотодетектор, струм короткого замикання, поверхнево-бар’єрний діод, ток кoрoткого замыкания, поверхностно-барьерный диод

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: http://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/61; http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/3522; 621.382.2

Διαθεσιμότητα: http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/3522
http://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/61