Применение эффекта магнитоплазменного отражения для определения скорости поверхностной рекомбинации в полупроводниках

Θεματικοί όροι: процессы рекомбинации, импульсная ионизация полупроводника, скорость поверхностной рекомбинации, рекомбинация в полупроводниках, поверхностная рекомбинация, эффект магнитоплазменного отражения

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/67551

Оценка скорости поверхностной рекомбинации в полупроводниковых микроструктурах на основе эффекта магнитоплазменного отражения

Θεματικοί όροι: метод измерений рекомбинационных параметров, скорость поверхностной рекомбинации, оценка скорости поверхностной рекомбинации, поверхностная рекомбинация, эффект магнитоплазменного отражения

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/61738

Применение эффекта магнитоплазменного отражения для определения скорости поверхностной рекомбинации в полупроводниках

Συγγραφείς: Мадьяров, Владимир Рафкатович

Θεματικοί όροι: процессы рекомбинации, эффект магнитоплазменного отражения, рекомбинация в полупроводниках, поверхностная рекомбинация, импульсная ионизация полупроводника, скорость поверхностной рекомбинации

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://elib.belstu.by/handle/123456789/67551; 537.633.2

Διαθεσιμότητα: https://elib.belstu.by/handle/123456789/67551

Применение эффекта магнитоплазменного отражения для определения скорости поверхностной рекомбинации в полупроводниках

Θεματικοί όροι: лазерные диоды, волны миллиметрового диапазона, полупроводниковый слой, поверхностная рекомбинация, концентрация носителей, магнитоплазменное отражение

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/36290

Определение скорости поверхностной рекомбинации в полупроводниках с помощью СВЧ-зондирования

Θεματικοί όροι: рекомбинация, СВЧ-зондирование, полупроводники, скорость поверхностной рекомбинации, поверхностная рекомбинация

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/33287

Определение скорости поверхностной рекомбинации в полупроводниках с помощью СВЧ-зондирования

Θεματικοί όροι: рекомбинация, СВЧ-зондирование, полупроводники, скорость поверхностной рекомбинации, поверхностная рекомбинация

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://openrepository.ru/article?id=457928

Оценка скорости поверхностной рекомбинации в полупроводниковых микроструктурах на основе эффекта магнитоплазменного отражения

Συγγραφείς: Мадьяров, Владимир Рафкатович

Θεματικοί όροι: скорость поверхностной рекомбинации, оценка скорости поверхностной рекомбинации, эффект магнитоплазменного отражения, поверхностная рекомбинация, метод измерений рекомбинационных параметров

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://elib.belstu.by/handle/123456789/61738; 537.633.2

Διαθεσιμότητα: https://elib.belstu.by/handle/123456789/61738

COMPARATIVE ANALYZE OF THE EFFICIENCY OF THE SENSOR STRUCTURES BASED ON 'DEEP' SILICON p-n JUNCTION WITH ACTIVE LAYERS OF DIFFERENT ELECTRICAL CONDUCTIVITY TYPE

Πηγή: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 15, № 1 (2018); 30-37
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 15, № 1 (2018); 30-37
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 15, № 1 (2018); 30-37

Θεματικοί όροι: silicon, deep p-n junction, surface recombination, sensor structure, кремний, глубокий p-n переход, поверхностная рекомбинация, сенсорная структура, кремній, глибокий p-n перехід, поверхнева рекомбінація, сенсорна структура

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://semst.onu.edu.ua/article/view/126350

ФОТОПРОВОДИМОСТЬ НИТЕВИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ GAAS

Συγγραφείς: Алексеев, П., Дунаевский, М., Марычев, М., Нежданов, А., Lepsa, M., Grützmacher, D., Титков, А.

Θεματικοί όροι: НИТЕВИДНЫЕ НАНОКРИСТАЛЛЫ, ФОТОПРОВОДИМОСТЬ, ПОВЕРХНОСТНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/fotoprovodimost-nitevidnyh-nanokristallov-gaas
http://cyberleninka.ru/article_covers/15629389.png

Экспресс-метод определения рекомбинационных параметров в технологических пластинах кремния

Συγγραφείς: Чирчик, Сергей Васильевич

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Vol. 55 No. 3 (2012); 43-47 ; Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 55 № 3 (2012); 43-47 ; Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка; Том 55 № 3 (2012); 43-47 ; 2307-6011 ; 0021-3470

Θεματικοί όροι: рекомбинационный параметр, поверхностная рекомбинация, пластина Si

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347012030053/11250; https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347012030053

Διαθεσιμότητα: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347012030053
https://doi.org/10.20535/S0021347012030053

Определение скорости поверхностной рекомбинации в полупроводниках с помощью СВЧ-зондирования

Συγγραφείς: Мадьяров, Владимир Рафкатович

Θεματικοί όροι: рекомбинация, полупроводники, поверхностная рекомбинация, скорость поверхностной рекомбинации, СВЧ-зондирование

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: 537.633.2; https://openrepository.ru/article?id=457928

Διαθεσιμότητα: https://openrepository.ru/article?id=457928

Применение эффекта магнитоплазменного отражения для определения скорости поверхностной рекомбинации в полупроводниках

Συγγραφείς: Мадьяров, Владимир Рафкатович

Θεματικοί όροι: волны миллиметрового диапазона, магнитоплазменное отражение, поверхностная рекомбинация, полупроводниковый слой, концентрация носителей, лазерные диоды

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://elib.belstu.by/handle/123456789/36290; 537.633.2

Διαθεσιμότητα: https://elib.belstu.by/handle/123456789/36290

Фотопроводимость нитевидных нанокристаллов GaAs

Συγγραφείς: Lepsa, M., Grützmacher, D.

Πηγή: Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского.

Θεματικοί όροι: НИТЕВИДНЫЕ НАНОКРИСТАЛЛЫ, ФОТОПРОВОДИМОСТЬ, ПОВЕРХНОСТНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://cyberleninka.ru/article_covers/15629389.png
http://cyberleninka.ru/article/n/fotoprovodimost-nitevidnyh-nanokristallov-gaas

Экспресс-метод определения рекомбинационных параметров в технологических пластинах кремния

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 55, № 3 (2012); 43-47
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Том 55, № 3 (2012); 43-47

Θεματικοί όροι: рекомбинационный параметр, поверхностная рекомбинация, пластина Si

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347012030053

INFLUENCE OF SURFACE RECOMBINATION ON PHOTOVOLTAIC CONVERSION PROCESSES IN SILICON PHOTOSENSITIVE STRUCTURES

Πηγή: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 8, № 2 (2011); 32-38
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 8, № 2 (2011); 32-38
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 8, № 2 (2011); 32-38

Θεματικοί όροι: кремниевая фоточувствительная структура, поверхностная рекомбинация, приповерхностный изотипный переход, пассивация, кремнієва фоточутлива структура, поверхнева рекомбінація, приповерхневий ізотипний перехід, пасивація, silicon photosensitive structure, surface recombination, near-surface isotypic junction, passivation

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://semst.onu.edu.ua/article/view/116602

МОДЕЛЮВАННЯ ПОВЕРХНЕВОЇ РЕКОМБІНАЦІЇ В p – p+ ПЕРЕХОДІ КРЕМНІЄВОГО ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧА

Συγγραφείς: Khripko, S. L.

Πηγή: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 4, № 2 (2007); 24-27
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 4, № 2 (2007); 24-27
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 4, № 2 (2007); 24-27

Θεματικοί όροι: поверхностная рекомбинация, носители заряда, фото преобразователь, р – р+ переход, поверхнева рекомбінація, носії заряду, фотоперетворювач, р – р+ перехід, surface recombination, carriers, solar cell, p–p+ junction

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://semst.onu.edu.ua/article/view/113557

Экспресс-метод определения рекомбинационных параметров в технологических пластинах кремния

Συγγραφείς: Чирчик, Сергей Васильевич; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 55, № 3 (2012); 43-47; Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; 2307-6011; 0021-3470

Όροι ευρετηρίου: рекомбинационный параметр, поверхностная рекомбинация, пластина Si, info:eu-repo/semantics/article, info:eu-repo/semantics/publishedVersion

Σύνδεσμος: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347012030053
http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347012030053/11250
http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347012030053/11250