RESTRUCTURING DEFECT SURFACE-BARRIER STRUCTURES Bi-Si-Al STIMULATED ACTION RADIATION

Συγγραφείς: Pavlyk, B. V., Hrypa, A. S., Slobodzyan, D. P., Lys, R. M., Didyk, R. I., Shykoryak, J. A.

Πηγή: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 7, № 4 (2010); 37-41
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 7, № 4 (2010); 37-41
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 7, № 4 (2010); 37-41

Θεματικοί όροι: x-radiation, surface-barrier structures, VAC, VFC, defects, resistivity, рентгеновское облучение, поверхностно-барьерная структура, ВАХ, ВФХ, дефекты, удельное сопротивление, 0103 physical sciences, рентгенівське опромінення, поверхнево-бар'єрна структура, дефекти, питомий опір, 01 natural sciences

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://semst.onu.edu.ua/article/download/116316/113224
http://semst.onu.edu.ua/article/view/116316

QUANTUM EFFICIENCY OF PHOTODETECTORS AT THRESHOLD LUMINOSITIES

Συγγραφείς: Bobrenko, U. N., Sachenko, A. V., Yaroshenko, M. V., Komaschenko, V. N.

Πηγή: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 5, № 1 (2008); 26-31
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 5, № 1 (2008); 26-31
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 5, № 1 (2008); 26-31

Θεματικοί όροι: ultra-violet radiation, surface-barrier structure, thin-film heterojunction, ultra-violet receiver, ультрафиолетовое излучение, поверхностно-барьерная структура, тонкопленочный гетеропереход, ультрафиолетовый приемник, ультрафіолетове випромінювання, поверхнево-бар'єрна структура, тонкоплівковий гетероперехід, ультрафіолетовий приймач

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://semst.onu.edu.ua/article/download/114314/112706
http://semst.onu.edu.ua/article/download/114314/112706
http://semst.onu.edu.ua/article/view/114314
http://semst.onu.edu.ua/article/view/114314

Особливості впливу X-випромінювання та магнітного поля на електрофізичні характеристики бар’єрних структур на основі дислокаційного p-Si, призначеного для сонячної енергетики

Θεματικοί όροι: вольт-амперна характеристика, I-V characteristics, магнитное поле, поверхностные состояния, поверхностно-барьерная структура, магнітне поле, silicon, дислокації, magnetic field, дислокации, вольт-фарадна характеристика, кремній, кремний, вольт-фарадная характеристика, X-rays, C-V characteristics, surface states, Х-излучения, surface-barrier structures, поверхнево-бар'єрна структура, Х-випромінювання, поверхневі стани, dislocations, вольт-амперная характеристика

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43268

Особливості впливу X-випромінювання та магнітного поля на електрофізичні характеристики бар’єрних структур на основі дислокаційного p-Si, призначеного для сонячної енергетики ; Особенности воздействия X-излучения и магнитного поля на электрофизические харак- теристики барьерных структур на основе дислокационного p-Si, предназначенного для солнечной энергетики ; Features of Influence of X-radiation and Magnetic Field on the Electrical Characteristics of Barrier Structures Based on p-Si with Dislocation, Designed for Solar Energy

Συγγραφείς: Слободзян, Д.П., Павлик, Б.В., Кушлик, М.О.

Θεματικοί όροι: кремній, кремний, silicon, поверхнево-бар’єрна структура, поверхностно-барьерная структура, surface-barrier structures, Х-випромінювання, Х-излучения, X-rays, магнітне поле, магнитное поле, magnetic field, дислокації, дислокации, dislocations, вольт-амперна характеристика, вольт-амперная характеристика, I-V characteristics, вольт-фарадна характеристика, вольт-фарадная характеристика, C-V characteristics, поверхневі стани, поверхностные состояния, surface states

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43268

Διαθεσιμότητα: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43268