ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ СКВОЗНЫХ ОТВЕРСТИЙ В GaAs СВЧ МОНОЛИТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ В РЕАКТОРЕ С ICP-ИСТОЧНИКОМ

Subject Terms: плазмохимическое травление, ion density, plasma chemical etching, through hole, working gas pressure, плотность ионов, сквозное отверстие, давление рабочего газа, мощность ICP-источника, ICP source power

ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ СКВОЗНЫХ ОТВЕРСТИЙ В GaAs СВЧ МОНОЛИТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ В РЕАКТОРЕ С ICP-ИСТОЧНИКОМ

Subject Terms: плазмохимическое травление, ion density, plasma chemical etching, through hole, working gas pressure, плотность ионов, сквозное отверстие, давление рабочего газа, мощность ICP-источника, ICP source power

Создание оптических изолированных микрорезонаторов GaP(NAs) на кремнии

Authors: Dvoretckaia, Liliia, Mozharov, Alexey, Komarov, Sergey, Vyacheslavova, Ekaterina, Moiseev, Eduard, Fedorov, Vladimir, Mukhin, Ivan

Subject Terms: оптический микрорезонатор GaP(NAs) на кремнии, плазмохимическое травление, optical GaP(NAs) microcavity on Si, plasma etching, спектр микрофотолюминесценции, micro-photoluminescence spectrum

E-beam resist AR-N 7520 in the formation of the photonic structures

Authors: Fetisenkova, Ksenia, Melnikov, Alexander, Miakonkikh, Andrey, Rogozhin, Alexander, Tatarintsev, Andrey

Subject Terms: плазмохимическое травление, reactive-ion etching, electron-beam lithography, кинетика процессов травления, электронно-лучевая литография, волновод, etching kinetic, новолак, waveguide, novolak

Research of reactive ion and plasma-chemical etching effect on diamond coating surface morphology

Authors: Okhotnikov, Vitaly Vladimirovich, Linnik, Stepan Andreevich, Gaydaychuk, Alexander Valerievich

Subject Terms: ионное травление, плазмохимическое травление, алмазные покрытия, поверхности, морфология, алмазные пленки, химическое осаждение, плазма, тлеющие разряды, сканирующая электронная микроскопия, атомно-силовая микроскопия, фазовый состав, микроструктуры

Relation: AIP Conference Proceedings. Vol. 1772 : Prospects of Fundamental Sciences Development (PFSD-2016). — New York, 2016.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/35005

Availability: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/35005
https://doi.org/10.1063/1.4964566

Исследование воздействия реактивного ионного и плазмохимического травления на морфологию поверхности алмазных покрытий ; The research of reactive ion and plasma-chemical etching effect on a diamond coatings surface morphology

Authors: Охотников, Виталий Владимирович, Линник, Степан Андреевич, Гайдайчук, Александр Валерьевич

Contributors: Линник, Степан Андреевич

Subject Terms: алмазные покрытия, полупроводниковая электроника, теплопроводность, оптические элементы, плазмохимическое травление

Relation: Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XIII Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 26-29 апреля 2016 г. . Т. 1 : Физика. — Томск, 2016.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/26019

Availability: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/26019

Феноменологическая модель травления металлического покрытия в плазме газовой смеси ; Phenomenological model of metal coating etching in a gas mixtured plasma

Authors: Емельянов, В.В., Купо, А.Н., Емельянов, В.А., Emelyanov, V.V., Kupo, A.N., Emelyanov, V.A.

Subject Terms: плазмохимическое травление, алюминиевые межсоединения, математическое моделирование плазменных процессов, plasma-chemical etching, aluminum interconnects, mathematical modeling of plasma processes

File Description: application/pdf

Relation: https://elib.gsu.by/handle123456789/64529; 621.382; https://doi.org/10.54341/20778708_2023_4_57_69

Availability: https://elib.gsu.by/handle123456789/64529
https://doi.org/10.54341/20778708_2023_4_57_69

RESEARCH AND DEVELOPMENT IN THE FIELD OF MICROAND NANOSYSTEMS

Source: История науки и техники.

Subject Terms: плазма, плазмохимическое травление, micro and nanostructures, микро и наноструктуры, silicon, plasma, plasmochemical etching, кремний

ANALYSIS OF DISTRIBUTION OF ACTIVE GAS IN A REACTOR DURING THE PLASMACHEMICAL ETCHING

Source: Естественные и технические науки.

Subject Terms: граничные условия, плазмохимическое травление, распределение активного газа, диффузия

FORMATION OF THREE−DIMENSIONAL STRUCTURES IN SILICON CARBIDE SUBSTRATES BY PLASMOCHEMISTRY ETCHING ; ФОРМИРОВАНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР В ПОДЛОЖКАХ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ

Authors: L. A. Seidman, Л. А. Сейдман

Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 18, № 3 (2015); 157-171 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 18, № 3 (2015); 157-171 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2015-3

Subject Terms: эпитаксиальные слои GaN, etching, plasmochemistry etching, ICP sources, inductively coupled plasma, via holes, metallization, structures with micro− and nano− dimensions, GaN epitaxial layers, травление, плазмохимическое травление, источник ICP, индуктивно связанная плазма, сквозные отверстия, металлизация, структуры с микро− и наноразмерами

File Description: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/189/176; Kim, D. W. High rate etching of 6H–SiC in SF6 −based magnetically−enhanced inductively coupled plasmas / D. W. Kim, H. Y. Lee, B. J. Park, H. S. Kim, Y. J. Sung, S. H. Chae, Y. W. Ko, G. Y. Yeom // Thin Solid Films. − 2004. − V. 447–448. − P. 100—104. DOI:10.1016/j.tsf.2003.09.030; Kim, D. W. Magnetically enhanced inductively coupled plasma etching of 6H−SiC / D. W. Kim, H. Y. Lee, S. J. Kyoung, H. S. Kim, Y. J. Sung, S. H. Chae, G. Y. Yeom // IEEE Transactions on Plasma Sci. − 2004. − V. 32, N 3. − P. 1362—1366. DOI:10.1109/TPS.2004.828821; Jiang, L. Inductively coupled plasma etching of SiC in SF6/O2 and etch−induced surface chemical bonding modifications / L. Jiang, R. Cheung, R. Brown, A. Mount // J. Appl. Phys. − 2003. − V. 93, N 3. − P. 1376—1383. DOI:10.1063/1.1534908; Jiang, L . Impact of Ar addition to inductively coupled plasma etching of SiC in SF6/O2 / L. Jiang, R. Cheung // Microelectronic Engineering. − 2004. − V. 73—74. − P. 306—311. DOI:10.1016/j. mee.2004.02.058; Ruixue, D. Microtrenching effect of SiC ICP etching in SF6/ O2 plasma / D. Ruixue, Y. Yintang, H. Ru // J. Semiconductors. − 2009. − V. 30, N 1. − P. 016001. DOI:10.1088/1674−4926/30/1/016001; Ru, H. Microtrenching geometry of 6H−SiC plasma etching / H. Ru, Y. Yin−Tang, F. Xiao−Ya // Vacuum. − 2010. − V. 84. − P. 400— 404. . DOI:10.1016/j.vacuum.2009.09.001; Beheim, G. M. Control of trenching and surface roughness in deep reactive ion etched 4H and 6H SiC / G. M. Beheim, L. J. Evans // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. − 2006. − V. 911 − P. 0911−B10−15. DOI:10.1557/PROC−0911−B10−15; Осипов, К. Ю. Технология формирования щелевых сквозных металлизированных отверстий к истокам мощных GaN/SiC−транзисторов с высокой подвижностью электронов / К. Ю. Осипов, Л. Э. Великовский // Физика и техника полупроводников. − 2012. − Т. 46, №. 9. − С. 1239—1243.; Cho, H. High density plasma via hole etching in SiC / H. Cho, K. P. Lee, P. Leerungnawarat, S. N. G. Chu, F. Ren, S. J. Pearton, C.−M. Zetterling // J. Vac. Sci. Technol. A. − 2001. − V. 19. − P. 1878— 1881. DOI:10.1116/1.1359539; Okamoto, N. Elimination of pillar associated with micropipe of SiC in high−rate inductively coupled plasma etching / N. Okamoto // J. Vac. Sci. Technol. A. − 2009. − V. 27, N 2. − P. 295—300. DOI:10.1116/1.3077297; Ruan, J.−A. SiC substrate via etch process optimization / J.−A. Ruan, S. Roadman, C. Lee, C. Sellers, M. Regan // CS MANTECH Conf. − Tampa (FL, USA), 2009. − P. 113—116.; Ruan , J. −A. Low RF power SiC substrate v ia etch / J.−A. Ruan // CS MANTECH Conf. − Portland (OR, USA), 2010. − P. 267—270.; Ruan, J.−A. Backside via process of GaN device fabrication / J.−A. Ruan, C. Hall, C. Della−Morrow, T. Nagle, Y. Yang // CS MAN-TECH Conf. − Boston (MA, USA), 2012. − P. 215—217.; Okamoto, N. Differential etching behavior between semi−insulating and n−doped 4H−SiC in high−density SF6/O2 inductively coupled plasma / N. Okamoto // J. Vac. Sci. Technol. A. − 2009. − V. 27. − P. 456—460. DOI:10.1116/1.3100215; Okamoto, N. SiC Backside via−hole process for GaN HEMT MMICs using high etch rate ICP etching / N. Okamoto, T. Ohki, S. Masuda, M. Kanamura, Yu. Inoue, K. Makiyama, K. Imanishi, H. Shigematsu, T. Kikkawa, K. Joshin, N. Hara // CS MANTECH Conf. − Tampa (FL, USA), 2009. − V. 1.; Okamoto, N. Influence of negative charging on high rate SiC etching for GaN HEMT MMICs / N. Okamoto, K. Imanishi, T. Kikkawa, N. Nara // Mater. Sci. Forum. − 2010. − V. 645–648. − P. 791—794. DOI:10.4028/www.scientific.net/MSF.645−648.791; Okamoto, N. Backside process considerations for fabricating millimeter−wave GaN HEMT MMICs / CS MANTECH Conf. − Portland (OR, USA), 2010. − P. 257.; Stieglauer, H. Evaluation of through wafer via holes in SiC substrates for GaN HEMT technology / H. Stieglauer, J. Noesser, G. Bödege, K. Drüeke, H. Blanck, D. Behammer // CS MANTECH Conf. − Boston (MA, USA), 2012.; Barker, A. Advances in back−side via etching of SiC for GaN device applications / A. Barker, K. Riddell, H. Ashraf, D. Thomas, C.−H. Chen, Y.−F. Wei, I.−T. Cho, W. Wohlmuth // CS MANTECH Conf. − New Orleans (LA, USA), 2013. − P. 47—50.; Ekinci, H. Plasma etching of n−type 4H−SiC for photoconductive semiconductor switch applications / H. Ekinci, V. V. Kuryatkov, D. L. Mauch, J. C. Dickens, S. A. Nikishin // J. Electronic Mater. − 2015. − V. 4. − P. 1300—1305. DOI:10.1007/s11664−015−3658−z.; https://met.misis.ru/jour/article/view/189

Availability: https://met.misis.ru/jour/article/view/189
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-3-157-171

Исследование воздействия реактивного ионного и плазмохимического травления на морфологию поверхности алмазных покрытий

Contributors: Линник, Степан Андреевич

Subject Terms: теплопроводность, плазмохимическое травление, оптические элементы, полупроводниковая электроника, алмазные покрытия

Access URL: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/26019

Implementation Plasma Chemical Etching in Submicron Technology Wsi Structure

Authors: Новосядлий, Степан Петрович, Мельник, Любомир Васильович, Новосядлий, Святослав Володимирович

Source: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies

Subject Terms: plasma chemical etching, deposition, boron phosphorus silicate glass, photoresist, reactor, УДК 621.794.4, плазмохимическое травление, осаждение, боро–фосфоро силикатное стекло, фоторезист, реактор, плазмохімічне травлення, осадження, боро–фосфоро силікатне скло, Indonesia

File Description: application/pdf

Availability: https://www.neliti.com/publications/306315/implementation-plasma-chemical-etching-in-submicron-technology-wsi-structure

RESEARCH OF POSSIBILITIES FOR IMPROVING THE ENERGY AND MASS PARAMETERS OF SOLAR CELLS USING PLASMA-CHEMICAL ETCHING ; ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТЕЙ УЛУЧШЕНИЯЭНЕРГОМАССОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРОЦЕССА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ

Authors: P. B. Lagov, A. S. Drenin, E. S. Rogovskii, A. M. Lednev, П. Б. Лагов, А. С. Дренин, Е. С. Роговский, А. М. Леднев

Contributors: Работа выполнена в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно−технологического комплекса России на 2007—2013 годы». (ГК № 14.516.11.0007)

Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 3 (2013); 51-53 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 3 (2013); 51-53 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2013-3

Subject Terms: скорость травления, multi−cascade solar cell, plasma−chemical etching, etching rate, многокаскадный солнечный элемент, плазмохимическое травление

File Description: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/76/69; Fraas, L. M. Design of high efficiency monolithic stacked multijunction solar cells. / L. M. Fraas, R. C. Knechtli // 13th IEEE Photovoltaic Specialist Conf. Conf. Rec. — Washington (D. C.), 1978. − P. 886—891.; King, R. R. 40% efficient metamorphic GaInP/GaInAs/Ge multijunction solar cells / R. R. King, D. C. Law, K. M. Edmondson // Appl. Phys. Lett. − 2007. — V. 90, N 18. − P. 3516.; http://www.nrel.gov/ncpv/images/efficiency_chart.jpg; http://www.spectrolab.com/faqs−space.htm; US Pat. 5882987 A. Smart−cut process for the production of thin semiconductor material films / K. V. Srikrishnan. Mar 16, 1999.; May, G. S. Fundamentals of semiconductor fabrication / G. S. May, S. M. Sze. − N. Y.: John Wiley & Sons, Inc., 2004.; Averkin, S. N. A microwave high−density plasma source for submicron silicon IC technology / S. N. Averkin, K. A. Valiev, V. A. Naumov, A. V. Kalinin, A. D. Krivospitskii, A. A. Orlikovskii, A. A. Rylov // Russian Microelectronics. − 2001. − Т. 30, N 3. − P. 155—159.; Taek Sung Kim. Dry etching of germanium using inductively coupled Ar/CCl2F2/Cl2 plasma / Taek Sung Kim, Sang−Sik Choi, Mi Im Shin, Tae Soo Jeong, Sukil Kang, Chel−Jong Choi, Kyu−Hwan Shim // Electron. Mater. Lett. − 2010. − V. 6, N 1. − P. 35—39.; Ballingall, J. M. Electron transport across the abrupt Ge—GaAs n–—n−heterojunction / J. M. Ballingall, R. A. Stall, C. E. C. Wood, L. F. Eastman // J. Appl. Phys. − 1981. − V. 52. − P. 4098.; https://met.misis.ru/jour/article/view/76

Availability: https://met.misis.ru/jour/article/view/76
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-3-51-53

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ РЕЖИМОВ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ В ПЛАЗМЕ BCL 3\AR\SF 6

Authors: КЛИМИН ВИКТОР СЕРГЕЕВИЧ, ЕСЬКОВ АНДРЕЙ ВЛАДИМИРОВИЧ, ПЕТРОВ НИКОЛАЙ НАРАНОВИЧ

Subject Terms: НАНОТЕХНОЛОГИИ,НАНОСТРУКТУРЫ,НАНОМАТЕРИАЛЫ,АРСЕНИД ГАЛЛИЯ,ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ,ПЛАНАРНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ,АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ,NANOTECHNOLOGY,NANOSTRUCTURES,NANOMATERIALS,GALLIUM ARSENIDE,PLASMA ETCHING,PLANAR TECHNOLOG,ATOMIC FORCE MICROSCOPY

File Description: text/html

Availability: http://cyberleninka.ru/article/n/issledovanie-vliyaniya-rezhimov-plazmohimicheskogo-travleniya-poverhnosti-arsenida-galliya-v-plazme-bcl-3-ar-sf-6
http://cyberleninka.ru/article_covers/16441069.png

НЕРАВНОВЕСНАЯ СВЧ-ПЛАЗМА НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ В НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЯХ И РАЗРАБОТКАХ МИКРОИ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

Authors: Яфаров, Р.

Subject Terms: ВАКУУМНО-ПЛАЗМЕННОЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ,НАНОТЕХНОЛОГИИ,СВЧ-ПЛАЗМА НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ,ПОВЕРХНОСТНОЕ СТРУКТУРИРОВАНИЕ,КРЕМНИЙ,СВЧ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ,КВАНТОВОРАЗМЕРНЫЕ СИСТЕМЫ

File Description: text/html

Availability: http://cyberleninka.ru/article/n/neravnovesnaya-svch-plazma-nizkogo-davleniya-v-nauchnyh-issledovaniyah-i-razrabotkah-mikro-i-nanoelektroniki
http://cyberleninka.ru/article_covers/15772426.png

Experimental realisation of microparticle’s optical trapping by use of binary radial DOE ; Экспериментальная реализация оптического захвата микрочастиц на основе применения бинарного радиального ДОЭ

Source: Компьютерная оптика; Vol 36, No 1 ; Computer Optics; Vol 36, No 1 ; 2412-6179 ; 0134-2452

Subject Terms: diffractive optical element, optical manipulation, “light bottle” distribution, phase function, plasmochemical etching, дифракционный оптический элемент, фазовая функция, плазмохимическое травление, оптическое манипулирование, световое рас пределение типа «световая бутылка»

File Description: application/pdf

Relation: http://www.computeroptics.smr.ru//article/view/1584/1581; http://www.computeroptics.smr.ru//article/view/1584

Availability: http://www.computeroptics.smr.ru//article/view/1584

Взаимное влияние параметров плазмы воздуха и процесса окислительной деструкции пленки полипропилена

Authors: Smirnov, S.A., Смирнов, С.A., Rîbkin, V.V., Rybkin, V., Рыбкин, B.B.

Source: Электронная обработка материалов 50 (1) 101-105

Subject Terms: эффект загрузки, плазма воздуха, плазмохимическое травление, газообразные продукты, приведенная напряженность электрического поля, колебательная и вращательная температура молекулярного азота, кинетика

File Description: application/pdf

Relation: https://ibn.idsi.md/vizualizare_articol/51010; urn:issn:00135739

Availability: https://ibn.idsi.md/vizualizare_articol/51010

Взаимное влияние параметров плазмы воздуха и процесса окислительной деструкции пленки полипропилена

Authors: С. А. Смирнов, В. В. Рыбкин

Subject Terms: эффект загрузки, плазма воздуха, плазмохимическое травление, газообразные продукты, приведенная напряженность электрического поля, колебательная и вращательная температура молекулярного азота, кинетика

File Description: text/html

Availability: http://cyberleninka.ru/article/n/vzaimnoe-vliyanie-parametrov-plazmy-vozduha-i-protsessa-okislitelnoy-destruktsii-plenki-polipropilena
http://cyberleninka.ru/article_covers/15831822.png

СОЗДАНИЕ ДОЭ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ТОЧЕЧНЫХ ЭТАЛОННЫХ ИЗОБРАЖЕНИЙ В ОПТИЧЕСКИХ СИСТЕМАХ

Authors: Одиноков, Сергей, Сагателян, Гайк, Ковалёв, Михаил, Соломашенко, Артем, Дроздова, Екатерина

Subject Terms: ОПТИЧЕСКОЕ СТЕКЛО, БИНАРНЫЙ МИКРОРЕЛЬЕФ, НАКЛОННОЕ ПАДЕНИЕ СВЕТА, ГЛУБИНА КАНАВОК, ФАЗОВЫЕ ДИФРАКЦИОННЫЕ РЕШЁТКИ, ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ, ДИФРАКЦИОННАЯ ЭФФЕКТИВНОСТЬ

File Description: text/html

Availability: http://cyberleninka.ru/article/n/sozdanie-doe-dlya-formirovaniya-tochechnyh-etalonnyh-izobrazheniy-v-opticheskih-sistemah
http://cyberleninka.ru/article_covers/15350930.png

ЧИСЛЕННАЯ МОДЕЛЬ ВЧ-РАЗРЯДА В ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОМ РЕАКТОРЕ

Authors: Григорьев, Юрий, Горобчук, Алексей

Subject Terms: ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ РАЗРЯД, ГИДРОДИНАМИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ, ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ

File Description: text/html

Availability: http://cyberleninka.ru/article/n/chislennaya-model-vch-razryada-v-plazmohimicheskom-reaktore
http://cyberleninka.ru/article_covers/15214829.png