-
1Conference
Authors: Maksimova, Alina, Uvarov, Alexander, Vyacheslavova, Ekaterina, Pozdeev, Vyacheslav, Gudovskikh, Alexander, Kirilenko, Demid, Baranov, Artem
Subject Terms: плазмохимическое осаждение, оптическая спектроскопия, boron phosphide, PECVD, фосфид бора, plasma enhanced chemical vapor deposition, optical spectroscopy, 7. Clean energy
-
2Academic Journal
Authors: A. A. Temirov, I. V. Kubasov, A. V. Turutin, T. S. Ilina, A. M. Kislyuk, D. A. Kiselev, E. A. Skryleva, N. A. Sobolev, I. A. Salimon, N. V. Batrameev, M. D. Malinkovich, Yu. N. Parkhomenko, А. А. Темиров, И. В. Кубасов, А. В. Турутин, Т. С. Ильина, А. М. Кислюк, Д. А. Киселев, Е. А. Скрылева, Н. А. Соболев, И. А. Салимон, Н. В. Батрамеев, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко
Contributors: The study was carried out with financial support from the Russian Science Foundation (grant No. 21-19-00872, https://rscf.ru/project/21-19-00872/). N.A.S. was supported by the project i3N (UIDB/50025/2020, UIDP/50025/2020 and LA/P/0037/2020) which was financed by national funds through the Fundação para a Ciência e Tecnologia (FCT) and the Ministério da Educação e Ciência (MEC) of Portugal. The authors are grateful to Carlos Rosário for his help in current-voltage characteristic measurements., Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда № 21-19-00872, https://rscf.ru/project/21-19-00872/. Авторы выражают признательность Carlos Rosário за помощь в измерениях вольт-амперных характеристик.
Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 27, № 1 (2024); 56-65 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 27, № 1 (2024); 56-65 ; 2413-6387 ; 1609-3577
Subject Terms: технологии тонких пленок, diamond-like materials, plasma chemical deposition, thin film technology, алмазоподобные материалы, плазмохимическое осаждение
File Description: application/pdf
Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/564/451; Meškinis Š., Tamulevičienė A. Structure, properties and applications of diamond like nanocomposite (SiOx containing DLC) films: A review. Materials Science. 2011; 17(4): 358—370. https://doi.org/10.5755/j01.ms.17.4.770; Горшунов Б.П., Шупегин М.Л., Иванов В.Ю., Прохоров А.С., Спектор И.Е., Волков А.А. Инфракрасная спектроскопия алмазоподобных кремний-углеродных пленок. Журнал технической физики. 2008; 78(5): 111—116.; Yu S. Neuro-inspired computing with emerging nonvolatile memorys. Proceedings of the IEEE. 2018; 106(2): 260—285. https://doi.org/10.1109/JPROC.2018.2790840; Wan J.Z., Pollak F.H., Dorfman B.F. Micro-Raman study of diamondlike atomic-scale composite films modified by continuous wave laser annealing. Journal of Applied Physics. 1997; 81(9): 6407—6414. https://doi.org/10.1063/1.364421; Gao X., Zhang X., Wan C., Wang J., Tan X., Zeng D. Temperature-dependent resistive switching of amorphous carbon/silicon heterojunctions. Diamond and Related Materials. 2012; 22: 37—41. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2011.12.012; Ren B., Wang L., Wang Lin., Huang J., Tang Ke, Lou Y., Yuan D., Pan Zh., Xia Y. Investigation of resistive switching in graphite-like carbon thin film for non-volatile memory applications. Vacuum. 2014; 107: 1—5. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2014.03.021; Santini C.A., Sebastian A., Marchiori Ch., Jonnalagadda V.P., Dellmann L., Koelmans W.W., Rossell M.D., Rossel Ch.P., Eleftheriou Ev. Oxygenated amorphous carbon for resistive memory applications. Nature Communications. 2015; 6(1): 8600. https://doi.org/10.1038/ncomms9600; Liao Y.-Y., Liao W.-B., Jaing C.-C., Chang Y.-C., Lee C.-C., Kuo C.-C. Optical properties of transparent diamond-like carbon thin films. In: Optical Interference Coatings 2016. Tucson, Arizona United States 19–24 June 2016. Washington, D.C.: OSA; 2016. P. TD.10. https://doi.org/10.1364/OIC.2016.TD.10; Grill A. Diamond-like carbon: state of the art. Diamond and Related Materials. 199; 8(2-5): 428—434. https://doi.org/10.1016/S0925-9635(98)00262-3; Белогорохов А.И., Додонов А.М., Малинкович М.Д., Пархоменко Ю.Н., Смирнов А.П., Шупегин М.Л. Исследование молекулярной структуры матрицы алмазоподобных кремний-углеродных нанокомпозитов. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2007; 1: 69—71.; Jana S., Das S., Gangopadhyay U., Mondal A., Ghosh P. A clue to understand environmental influence on friction and wear of diamond-like nanocomposite thin film. Advances in Tribology. 2013; (1-4): 1—7. https://doi.org/10.1155/2013/352387; Hofmann D., Kunkel S., Bewilogua K., Wittorf R. From DLC to Si-DLC based layer systems with optimized properties for tribological applications. Surface and Coatings Technology. 2013; 215: 357—363. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2012.06.094; Venkatraman C., Brodbeck C., Lei R. Tribological properties of diamond-like nanocomposite coatings at high temperatures. Surface and Coatings Technology. 1999; 115(2-3): 215—221. https://doi.org/10.1016/S0257-8972(99)00241-8; Barve S.A., Chopade S., Kar R., Chand N., Deo M.N., Biswas A., Patel N., Rao G.M., Patil D.S., Sinha S. SiOx containing diamond like carbon coatings: Effect of substrate bias during deposition. Diamond and Related Materials. 2017; 71: 63—72. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2016.12.003; Nakazawa H., Kamata R., Miura S., Okuno S. Effects of frequency of pulsed substrate bias on structure and properties of silicon-doped diamond-like carbon films by plasma deposition. Thin Solid Films. 2015; 574: 93—98. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2014.11.078; Batory D., Jedrzejczak A., Kaczorowski W., Kolodziejczyk L., Burnat B. The effect of Si incorporation on the corrosion resistance of a-C:H:SiOx coatings. Diamond and Related Materials. 2016; 67: 1—7. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2015.12.002; Lazauskas A., Grigaliunas V., Guobienė A., Puišo J., Prosyčevas I., Baltrusaitis J. Polyvinylpyrrolidone surface modification with SiOx containing amorphous hydrogenated carbon (a-C:H/SiOx) and nitrogen-doped a-C:H/SiOx films using Hall-type closed drift ion beam source. Thin Solid Films. 2013; 538: 25—31. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2012.11.109; Santra T.S., Bhattacharyya T.K., Patel P., Tseng F.G., Barik T.K. Structural and tribological properties of diamond-like nanocomposite thin films. Surface and Coatings Technology. 2011; 206(2-3): 228—233. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2011.06.057; Dorfman B.F. Stabilized sp2/sp3 carbon and metal-carbon composites of atomic scale as interface and surface-controlling dielectric and conducting materials. In: Handbook of Surfaces and Interfaces of Materials. 2001; 1(8): 447—508. https://doi.org/10.1016/B978-012513910-6/50015-3; Yang W.J., Sekino T., Shim K.B., Niihara K., Auh K.H. Microstructure and tribological properties of SiOx/DLC films grown by PECVD. Surface and Coatings Technology. 2005; 194(1): 128—135. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2004.05.023; Lanza M., Philip Wong H.-S., Pop E., Ielmini D., Strukov D., Regan B.C., Larcher L., Villena M.A., Yang J.J., Goux L., Belmonte A., Yang Y., Puglisi F.M., Kang J., Magyari-Kope B., Yalon E., Kenyon A., Buckwell M., Mehonic A., Shluger A.L., Li H., Hou T.-H. A., Hudec B., Akinwande D., Ge R., Ambrogio S., Roldan J.B., Miranda E., Sune J., Pey K.L., Wu X., Raghavan N., Wu E., Lu W.D., Navarro G., Zhang W., Wu H., Li R., Holleitner A., Wurstbauer U., Lemme M.Ch., Liu M., Long Sh., Liu Q., Lv H., Padovani A., Pavan P., Valov Il., Jing X., Han T., Zhu K., Chen Sh., Hui F., Shi Y. Recommended methods to study resistive switching devices. Advanced Electronic Materials. 2019; 5(1): 1800143. https://doi.org/10.1002/aelm.201800143; Robertson J. Diamond-like amorphous carbon. Materials Science and Engineering: R: Reports. 2002; 37(4-6): 129—281. https://doi.org/10.1016/S0927-796X(02)00005-0; https://met.misis.ru/jour/article/view/564
-
3Conference
Subject Terms: механические характеристики, триботехнические характеристики, пленки, титановые сплавы, плазмохимическое осаждение, импульсные напряжения, шероховатости, поверхности
Relation: IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. Vol. 511 : Perspective Materials of Constructional and Medical Purpose. — Bristol, 2019.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/55432
-
4Academic Journal
Authors: A. A. Sleptsova, S. V. Chernykh, D. A. Podgorny, I. A. Zhilnikov, А. А. Слепцова, С. В. Черных, Д. А. Подгорный, И. А. Жильников
Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 23, № 2 (2020); 127-133 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 23, № 2 (2020); 127-133 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2020-2
Subject Terms: нитрид кремния, плазмохимическое осаждение, ICP CVD, AlGaN/GaN HEMT, пассивация, вольт-амперные характеристики
File Description: application/pdf
Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/387/315; Арендаренко А. А., Орешкин В. А., Свешников Ю. Н., Цыпленков И. Н. Тенденции развития эпитаксиальной технологии нитридных соединений // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2015. Т. 18, № 1. С. 5—15. DOI:10.17073/1609-3577-2015-1-5-15; Sun H., Liu M., Liu P., Lin X., Cui X., Chen J., Chen D. Performance optimization of lateral AlGaN/GaN HEMTs with cap gate on 150-mm silicon substrate // Solid-State Electronics. 2017. V. 130. P. 28—32. DOI:10.1016/j.sse.2017.01.006; Sleptsov E. V., Chernykh A. V., Chernykh S. V., Dorofeev A. A., Gladysheva N. B., Kondakov M. N., Sleptsova A. A., Panichkin A. V., Konovalov M. P., Didenko S. I. Investigation of the thermal annealing effect on electrical properties of Ni/Au, Ni/Mo/Au and Mo/Au Schottky barriers on AlGaN/GaN heterostructures // J. Phys.: Conf. Series. 2017. V. 816. P. 012039. DOI:10.1088/1742-6596/816/1/012039; Kaushik J. K., Balakrishnan V. R., Mongia D., Kumar U., Dayal S., Panwar B. S., Muralidharan R. Investigation of surface related leakage current in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors // Thin Solid Films. 2016. V. 612. P. 147—152. DOI:10.1016/j.tsf.2016.06.003; Huang H., Sun Z., Cao Y., Li F., Zhang F., Wen Z., Zhang Z., Liang Y. C., Hu L. Investigation of surface traps-induced current collapse phenomenon in AlGaN/GaN high electron mobility transistors with Schottky gate structures // J. Phys. D: Appl. Phys. 2018. V. 51, N 34. P. 345102. DOI:10.1088/1361-6463/aad455; Huang H., Liang Yu. C., Samudra G. S., Chang T.-F., Huang C.-F. Effects of gate field plates on the surface state related current collapse in AlGaN/GaN HEMTs // IEEE Transactions On Power Electronics. 2014. V. 29, N 5. P. 2164—2173. DOI:10.1109/TPEL.2013.2288644; Енишерлова К. Л., Медведев Б. К., Темпер Э. М., Корнеев В. И. Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2018. Т. 21, № 3. С. 182—193. DOI:10.17073/1609-3577-2018-3-182-193; Абгарян К. К. Задачи оптимизации наноразмерных полупроводниковых гетероструктур // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2016. Т. 19, № 2. С. 108—114. DOI:10.17073/1609-3577-2016-2-108-114; Chander S., Gupta S., Ajay, Gupta M. Enhancement of breakdown voltage in AlGaN/GaN HEMT using passivation technique for microwave application // Superlattices and Microstructures. 2018. V. 120. P. 217—222. DOI:10.1016/j.spmi.2018.05.039; Zhu G., Liang G., Zhou Y., Chen X., Xu X., Feng X., Song A. Reactive evaporation of SiOx films for passivation of GaN high-electronmobility transistors // J. Phys. Chem. Solids. 2019. V. 129. P. 54—60. DOI:10.1016/j.jpcs.2018.12.021; Zhu G., Wang H., Wang Y., Feng X., Song A. Performance enhancement of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors by thermally evaporated SiO passivation // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 109, N 11. P. 113503. DOI:10.1063/1.4962894; Arulkumaran S., Egawa T., Ishikawa H., Jimbo T., Sano Y. Surface passivation effects on AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors with SiO2, Si3N4, and silicon oxynitride // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84, N 4. P. 613—615. DOI:10.1063/1.1642276; Kim H.-S., Han S.-W., Jang W.-H., Cho C.-H., Seo K.-S., Oh J., Cha H.-Y. Normally-off GaN-on-Si MISFET using PECVD SiON gate dielectric // IEEE Electron Device Lett. 2017. V. 38, Iss. 8. P. 1090—1093. DOI:10.1109/LED.2017.2720719; Karouta F., Krämer M. C. J. C. M., Kwaspen J. J. M., Grzegorczyk A., Hageman P., Hoex B., Kessels W. M. M., Klootwijk J., Timmering E., Smit M. K. influence of the structural and compositional properties of PECVD silicon nitride layers on the passivation of AlGaN/GaN HEMTs // ECS Transactions. 2008. V. 16, N 7. P. 181—191. DOI:10.1149/1.2983174; Сейдман Л. А. Формирование трехмерных структур в подложках карбида кремния плазмохимическим травлением // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2015. Т. 18, № 3. С. 157—171. DOI:10.17073/1609-3577-2015-3-157-171; Lee J. J. Application of inductively coupled plasma to CVD and PVD // Surface & Coatings Technology. 2005. V. 200, Iss. 1–4. P. 31—34. DOI:10.1016/j.surfcoat.2005.02.113; Dutta G., DasGupta N., DasGupta A. Low-temperature ICP-CVD SiNx as gate dielectric for GaN-based MIS-HEMTs // IEEE Transactions On Electron Devices. 2016. V. 63, Iss. 12. P. 4693—4701. DOI:10.1109/TED.2016.2618421; Lee J. W., Mackenzie K. D., Johnson D., Sasserath J. N., Pearton S. J., Ren F. Low temperature silicon nitride and silicon dioxide film processing by inductively coupled plasma chemical vapor deposition // J. Electrochem. Soc. 2000. V. 147, N. 4. P. 1481—1486. DOI:10.1149/1.1393382; Thomas O. Inductively coupled plasma chemical vapour deposition (ICP-CVD) // Oxford Instruments Plasma Technology. 2010. URL: https://plasma.oxinst.com/campaigns/technology/icpcvd (дата обращения: 24.07.2020); Cho H.-J., Her J.-C., Lee K., Cha H.-Y., Seo K.-S. Low damage SiNx surface passivation using remote ICP-CVD for AlGaN/GaN HEMTs // Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials. Tsukuba (Japan), 2008. P. 504—505.; Кондаков М. Н., Черных С. В., Черных А. В., Подгорный Д. А., Гладышева Н. Б., Дорофеев А. А., Диденко С. И., Капров Д. Б., Жукова Т. А. Влияние режимов отжига на электрические параметры, морфологию и микроструктуру омических контактов на основе Mo/Al/Mo/Au к гетероструктурам AlGaN/GaN // Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2018. № 2. С. 40—47. URL: http://j.pulsarnpp.ru/images/journal/issues/2018/2_249/kondakov.pdf (дата обращения: 24.07.2020).; Gereth R., Scherber W. Properties of ammonia-free nitrogen - Si3N4 films produced at low temperatures // J. Electrochem. Soc. 1972. V. 119, N 9. P. 1248—1254. DOI:10.1149/1.2404452; Han I. K., Lee Y. J., Jo J. W., Lee J. I., Kang K. N. Growth and characterization of silicon-nitride films by plasma-enhanced chemical vapor deposition // Appl. Surf. Sci. 1991. V. 48–49. P. 104—110. DOI:10.1016/0169-4332(91)90313-9; https://met.misis.ru/jour/article/view/387
-
5Academic Journal
Authors: Зуза, Даниил Александрович, Нехорошев, Виталий Олегович, Батраков, Александр Владимирович, Курзина, Ирина Александровна
Source: Вестник Томского государственного университета. Химия. 2024. № 34. С. 120-131
Subject Terms: тлеющий разряд, плазменная полимеризация, полимерподобные покрытия, кремнийорганические покрытия, плазмохимическое осаждение из газовой фазы
File Description: application/pdf
Relation: koha:001145264; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145264
-
6Academic Journal
Authors: Зуза, Даниил Александрович, Нехорошев, Виталий Олегович, Батраков, Александр Владимирович, Курзина, Ирина Александровна
Source: Вестник Томского государственного университета. Химия. 2024. № 34. С. 106-119
Subject Terms: плазменная полимеризация, кремнийорганические покрытия, плазмохимическое осаждение из газовой фазы, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, инфракрасная спектроскопия, тлеющий разряд
File Description: application/pdf
Relation: koha:001145263; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145263
-
7Academic Journal
Subject Terms: плазмохимическое осаждение, нанокомпозиционные покрытия, антифрикционные покрытия, карбонитрид циркония, тонкослойные покрытия, вакуумные покрытия
File Description: application/pdf
Access URL: https://elib.belstu.by/handle/123456789/33054
-
8Academic Journal
Subject Terms: плазмохимическое осаждение, нанокомпозиционные покрытия, антифрикционные покрытия, карбонитрид циркония, тонкослойные покрытия, вакуумные покрытия
File Description: application/pdf
Access URL: https://openrepository.ru/article?id=439847
-
9
Authors: Baranov, Artem, Vtorygin, Georgii, Uvarov, Alexander, Maksimova, Alina, Vyacheslavova, Ekaterina, Gudovskikh, Alexander
Subject Terms: admittance spectroscopy, плазмохимическое осаждение, поверхностные состояния, boron phosphide, interface states, фосфид бора, plasma enhanced chemical vapor deposition, спектроскопия полной проводимости
-
10Academic Journal
Authors: Najafov, B. A., Dadashova, V. V.
Source: Ukrainian Journal of Physics; Vol. 59 No. 10 (2014); 959 ; Український фізичний журнал; Том 59 № 10 (2014); 959 ; 2071-0194 ; 2071-0186 ; 10.15407/ujpe59.10
Subject Terms: thin hydrogenated films, plasma chemical deposition, photoconductivity, гидрогенизированные тонкие пленки, плазмохимическое осаждение, фотопроводимость
File Description: application/pdf
Relation: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018533/585; https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018533/586; https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018533
-
11Academic Journal
Authors: V. L. Koshevoi, A. O. Belorus, V. S. Levitskiy, В. Л. Кошевой, А. О. Белорус, В. С. Левицкий
Source: Alternative Energy and Ecology (ISJAEE); № 19 (2015); 118-123 ; Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE); № 19 (2015); 118-123 ; 1608-8298
Subject Terms: рамановская спектроскопия, microcrystalline silicon, plasma chemical deposition parameter crystallinity, Raman spectroscopy, микрокристаллический кремний, плазмохимическое осаждение, параметр кристалличности
File Description: application/pdf
Relation: https://www.isjaee.com/jour/article/view/173/176; Гавриленко Л.В., Дубинов А.А., Романов Ю.А. Учебно-научный и инновационный комплекс «Физические основы информационно-телекоммуникационных систем» Комбинационное рассеяние в твёрдых телах (Электронное методическое пособие).; http:www.unn.ru/pages/e-library/methodmaterial/files/43.pdf; Комбинационное рассеяние света (рамановское рассеяние): методическое пособие для лабораторных работ. Режим доступа; http://lab2.phys.spbu.ru/pdf_to/opt21.pdf; Вересов А.Г., Наний О.Е. Комбинационное рассеяние света. «РОСНАНО». 2009–2011 www.rusnano.com Режим доступа; http://thesaurus.rusnano.com/wiki/article2041; Спектрометр комбинационного рассеяния света Horiba Jobin Yvon T64000 [Электронный ресурс]. ГНЦ ФГУП «Исследовательский центр имени М. В. Келдыша», отдел нанотехнологий. Режим доступа: http://www.nanokerc.ru/node/143; Markus Klindworth. Crystallinity measurement by Raman spectroscopy (std. approach).; Zhihua Hu , Xianbo Liao, Hongwei Diao, Yi Cai, Shibin Zhang, Elvira Fortunato, Rodrigo Martins. Hy-drogenated p-type nanocrystalline silicon in amorphous silicon solar cells // Journal of Non-Crystalline Solids. 15 June 2006. Vol. 352, Iss. 9–20. P. 1900–1903.; Семёнов А.В. Технология тонкоплёночных солнечных модулей большой площади на основе аморфного и микрокристаллического кремния: Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2015.; https://www.isjaee.com/jour/article/view/173
-
12Academic Journal
Authors: Величко, Р., Гусев, Е., Гамалеев, В., Михно, А., Бычкова, А.
File Description: text/html
-
13Academic Journal
Authors: Ксенз, Николай, Попандопуло, Константин, Сидорцов, Иван
Subject Terms: НАНОРАЗМЕРНЫЕ ПОКРЫТИЯ, ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ, МАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ, ГЕЛИОКОЛЛЕКТОР, СОЛНЕЧНАЯ БАТАРЕЯ
File Description: text/html
-
14Academic Journal
Subject Terms: тонкослойные покрытия, вакуумные покрытия, плазмохимическое осаждение, нанокомпозиционные покрытия, карбонитрид циркония, антифрикционные покрытия
File Description: application/pdf
Relation: 621.893; https://openrepository.ru/article?id=439847
Availability: https://openrepository.ru/article?id=439847
-
15Academic Journal
Source: Фундаментальные исследования.
Subject Terms: НАНОТЕХНОЛОГИИ, ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ, НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ, ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ, 7. Clean energy
File Description: text/html
-
16Academic Journal
Source: Вестник аграрной науки Дона.
Subject Terms: НАНОРАЗМЕРНЫЕ ПОКРЫТИЯ, ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ, МАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ, ГЕЛИОКОЛЛЕКТОР, СОЛНЕЧНАЯ БАТАРЕЯ, 7. Clean energy
File Description: text/html
-
17
Source: Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XX Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, 25–28 апреля 2023 г. Томск, 2023. Т. 2 : Химия. С. 87-89
Subject Terms: кремнийорганические покрытия, плазмохимическое осаждение из газовой фазы, экспериментальные исследования
File Description: application/pdf
Relation: koha:001146741; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001146741
-
18Academic Journal
Authors: Бурмака, Г.П., Денисенко, И.Б., Азаренков, Н.А., Трофименко, Р.А.
Subject Terms: углеродные нанотрубки, скорость роста, плазмохимическое осаждение, carbon nanotubes, growth rate, plasma-enhanced chemical deposition
Relation: Теоретическая модель, описывающая рост однослойных углеродных нанотрубок в плазме / Г.П. Бурмака, И.Б. Денисенко, Н.А. Азаренков, Р.А. Трофименко // Вiсник Харкiвського нацiонального унiверситету iм. В.Н. Каразiна. – 2011. – №955. Сер.: Фізична. «Ядра, частинки, поля». – Вип. 2(50). – С. 24–30.; http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/4761
Availability: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/4761
