Resistive switching mechanisms in memristor structures based on nonstoichiometric silicon nitride layers ; Механизмы резистивного переключения в мемристорах на основе слоев нестехиометрического нитрида кремния

Συγγραφείς: I. A. Romanov, N. S. Kovalchuk, L. A. Vlasukova, I. N. Parkhomenko, F. F. Komarov, S. A. Demidovich, И. А. Романов, Н. С. Ковальчук, Л. А. Власукова, И. Н. Пархоменко, Ф. Ф. Комаров, С. А. Демидович

Συνεισφορές: Работа выполнена при поддержке Государственной программы научных исследований «Фотоника и электроника для инноваций» (грант 3.8.1, № ГР20212595).

Πηγή: Doklady of the National Academy of Sciences of Belarus; Том 69, № 1 (2025); 23-31 ; Доклады Национальной академии наук Беларуси; Том 69, № 1 (2025); 23-31 ; 2524-2431 ; 1561-8323 ; 10.29235/1561-8323-2025-69-1

Θεματικοί όροι: перенос заряда, memristor, current-voltage characteristics, charge transport, показатель преломления, вольт-амперные характеристики, мемристор

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/1232/1233; Гриценко, В. А. Запоминающие свойства мемристоров на основе оксида и нитрида кремния / В. А. Гриценко, А. А. Гисматулин, О. М. Орлов // Российские нанотехнологии. – 2021. – Т. 16, № 6. – С. 751–760. https://doi.org/10.1134/s1992722321060078; a-SiNx:H-based ultra-low power resistive random access memory with tunable Si dangling bond conduction paths / X. Jiang, Z. Ma, J. Xu [et al.] // Scientific Reports. – 2015. – Vol. 5. – Art. 15762. https://doi.org/10.1038/srep15762; Yen, T. J. High performance all nonmetal SiNx resistive random access memory with strong process dependence / T. J. Yen, A. Chin, V. Gritsenko // Scientific Reports. – 2020. – Vol. 10. – Art. 2807. https://doi.org/10.1038/s41598-020-59838-y; Charge transport mechanism in the forming-free memristor based on PECVD silicon oxynitride / A. A. Gismatulin, G. N. Kamaev, V. A. Volodin, V. A. Gritsenko // Electronics. – 2023. – Vol. 12, N 3. – Art. 598. https://doi.org/10.3390/electronics12030598; Understanding the role of defects in Silicon Nitride-based resistive switching memories through oxygen doping / N. Vasileiadis, P. Karakolis, P. Mandylas [et al.] // IEEE Transactions on Nanotechnology. – 2021. – Vol. 20. – P. 356–364. https://doi.org/10.1109/tnano.2021.3072974; Nature of traps responsible for the memory effect in silicon nitride / V. A. Gritsenko, T. V. Perevalov, O. M. Orlov, G. Ya. Krasnikov // Applied Physics Letters. – 2016. – Vol. 109, N 6. – Art. 062904. https://doi.org/10.1063/1.4959830; Memory properties and short-range order in silicon oxynitride-based memristors / Yu. N. Novikov, G. N. Kamaev, I. P. Prosvirin, V. A. Gritsenko // Applied Physics Letters. – 2023. – Vol. 122, N 23. – Art. 232903. https://doi.org/10.1063/5.0151211; Redox-based resistive switching memories – nanoionic mechanisms, prospects, and challenges / R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, K. Szot // Advanced Materials. – 2009. – Vol. 21, N 25–26. – P. 2632–2663. https://doi.org/10.1002/adma.200900375; Механические напряжения в пленках SiNx при химическом осаждении из газовой фазы в плазме высокой плотности / Н. С. Ковальчук, С. А. Демидович, Л. А. Власукова [и др.] // Неорганические материалы. – 2022. – Т. 58, № 9. – С. 938–944. https://doi.org/10.31857/s0002337x2209007x; Effect of rapid thermal annealing on Si-based dielectric films grown by ICP-CVD / I. Parkhomenko, L. Vlasukova, F. Komarov [et al.] // ACS Omega. – 2023. – Vol. 8, N 33. – P. 30768–30775. https://doi.org/10.1021/acsomega.3c04997; Voltage-programmable negative differential resistance in memristor of single-crystalline lithium niobate thin film / J. Wang, X. Pan, W. Luo [et al.] // Applied Physics Letters. – 2022. – Vol. 120, N 3. – Art. 032901. https://doi.org/10.1063/5.0070132; A deep study of resistance switching phenomena in TaOx ReRAM cells: system‐theoretic dynamic route map analysis and experimental verification / A. Ascoli, S. Menzel, V. Rana [et al.] // Advanced Electronic Materials. – 2022. – Vol. 8, N 8. – Art. 2200182. https://doi.org/10.1002/aelm.202200182; Electron trap level of hydrogen incorporated nitrogen vacancies in silicon nitride / K. Sonoda, E. Tsukuda, M. Tanizawa, Y. Yamaguchi // Journal of Applied Physics. – 2015. – Vol. 117, N 10. – Art. 104501. https://doi.org/10.1063/1.4914163; Creation and properties of nitrogen dangling bond defects in silicon nitride thin films / W. L. Warren, C. H. Seager, J. Robertson [et al.] // Journal of the Electrochemical Society. – 1996. – Vol. 143, N 11. – P. 3685–3691. https://doi.org/10.1149/1.1837272; Васильев, В. Ю. Технология получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Ч. 8: Влияние водорода в пленках на их свойства / В. Ю. Васильев // Нано- и микросистемная техника. – 2019. – Т. 21, № 6. – С. 352–367.; https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/1232

Διαθεσιμότητα: https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/1232
https://doi.org/10.29235/1561-8323-2025-69-1-23-31

Влияние процессов генерации и рекомбинации кислородных вакансий и ионов на тепломассоперенос и электрофизические свойства металлооксидного мемристора ; The effect of oxygen ions and vacancies generation and recombination processes on heat and mass transfer and electrophysical properties of metal oxide memristor

Συγγραφείς: Габдулин, Б. Х., Бусыгин, А. Н., Удовиченко, С. Ю., Gabdulin, B. Kh., Busygin, A. N., Udovichenko, S. Yu.

Θεματικοί όροι: перенос заряда в мемристоре, теплоперенос в активном слое мемристора, металлооксидные мемристоры, движение ионов кислорода, вольт-амперная характеристика мемристора, численное моделирование, charge transfer in memristor, heat transfer in memristor active layer, metal oxide memristor, oxygen ion dynamics, current-voltage characteristic, numerical simulation

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Вестник Тюменского государственного университета. Серия: Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика. — 2025. — Т. 11, № 2 (42)

Διαθεσιμότητα: https://elib.utmn.ru/jspui/handle/ru-tsu/38532
https://doi.org/10.21684/2411-7978-2025-11-2-40-52

Принципы математического описания электро-массообменных процессов

Συγγραφείς: Ильина Светлана Игоревна

Θεματικοί όροι: электродиализ, уравнение переноса субстанции, критерии подобия, перенос заряда

Relation: https://zenodo.org/records/4749546; oai:zenodo.org:4749546; https://doi.org/10.5281/zenodo.4749546

Διαθεσιμότητα: https://doi.org/10.5281/zenodo.4749546
https://zenodo.org/records/4749546

Принципы математического описания электро-массообменных процессов

Θεματικοί όροι: уравнение переноса субстанции, критерии подобия, перенос заряда, электродиализ

Влияние молекулярной структуры на динамику фотоиндуцированного переноса заряда в производных тиофлавина Т

Θεματικοί όροι: флуоресцентная спектроскопия, фотоиндуцированный перенос заряда, аналитическая химия, физика, авторефераты диссертаций, квантово-химические расчеты, флуоресцентные молекулярные роторы, флуоресцентные свойства, ионное состояние, 01.04.05, оптика, бензотиазол-анилиновые производные, тиофлавин Т

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://rep.vsu.by/handle/123456789/41600

Адсорбция и диффузия атомов 1, 2 и 13-й групп на поверхности теллурида сурьмы

Συγγραφείς: Рябищенкова, Анастасия Геннадьевна, Кузнецов, Владимир Михайлович (физик)

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 3. С. 110-116

Θεματικοί όροι: топологические изоляторы, метод функционала электронной плотности, адсорбция, диффузия, перенос заряда

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: vtls:000656944; https://openrepository.ru/article?id=269185

Διαθεσιμότητα: https://doi.org/10.17223/00213411/62/3/110
https://openrepository.ru/article?id=269185

Eatures work the Gunn diode based variband connections AlxGa1-xAs–GaAs–Ga0,6In0,4As

Συγγραφείς: Mayboroda, І. М., Babenko, V. P.

Πηγή: Збірник наукових праць Національної академії Національної гвардії України; Том 2, № 26 (2015); 106-109
The collection of scientific works of the National Academy of the National Guard of Ukraine; Том 2, № 26 (2015); 106-109

Θεματικοί όροι: frequency, efficiency, generation, Gunn diode, graded-gap semiconductor, inter-valley electron transfer, output power, electromagnetic oscillations, charge transfer, domain instability, gallium arsenide, indium arsenide, aluminum arsenide, 7. Clean energy, частота, эффективность, генерация, диод Ганна, варизонный полупроводник, междолинный перенос электронов, выходная мощность, электромагнитные колебания, перенос заряда, доменная неустойчивость, арсенид галлия, арсенид индия, арсенид алюминия, ефективність, генерація, діод Ганна, варізонних напівпровідник, міждолинне перенесення електронів, Вихідна потужність, електромагнітні коливання, перенос заряду, доменна нестійкість, арсенід галію, арсенід індію, арсенід алюмінію

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://znp.nangu.edu.ua/article/view/139253

Effect of electron irradiation on charge transfer in 2D gallium monosulfide

Συγγραφείς: Асадов, С. М., Мустафаева, С.Н.

Θεματικοί όροι: electron irradiation, 2D GaS crystal, charge transport, alternating and direct current, электронное облучение, 2D кристалл, перенос заряда, переменный и постоянный ток

Relation: https://zenodo.org/communities/iap-eom/; https://zenodo.org/records/1168364; oai:zenodo.org:1168364; https://doi.org/10.5281/zenodo.1168364

Διαθεσιμότητα: https://doi.org/10.5281/zenodo.1168364
https://zenodo.org/records/1168364

Optical properties of wideband metal oxide - energetic material interfaces

Συγγραφείς: Mitrofanov, Anatoliy Yuryevich, Zverev, Anton Sergeevich, Tsyshevsky, Roman, Rashkeev, Sergey, Kuklja, Maija

Θεματικοί όροι: оптические свойства, оксиды металлов, энергетические материалы, интерфейсы, фотовозбуждение, перенос заряда, energetic material, charge-transfer transition, photoexcitation

Relation: Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016) : International Congress, October 2–7, 2016, Tomsk, Russia. — Tomsk, 2016.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/35887

Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/35887

Исследование люминесценции кристаллов NaI: TI при возбуждении импульсным электронным пучком

Συγγραφείς: Новоселов, Андрей Андреевич

Συνεισφορές: Карнаухова, Анна Алексеевна

Θεματικοί όροι: катодолюминесценция, фотолюминесценция, центры свечения, перенос заряда, иодид натрия, cathodoluminescence, photoluminescence, centers of a luminescence, charge transfer, sodium iodide, 12.04.02, 535.37:548.55:539.1.074.3

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Новоселов А. А. Исследование люминесценции кристаллов NaI: TI при возбуждении импульсным электронным пучком : магистерская диссертация / А. А. Новоселов; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Инженерная школа новых производственных технологий (ИШНПТ), Отделение материаловедения (ОМ); науч. рук. А. А. Карнаухова. — Томск, 2019.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/54067

Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/54067

Effect Of Electron Irradiation On Charge Transfer In 2D Gallium Monosulfide

Θεματικοί όροι: alternating and direct current, electron irradiation, 2D GaS crystal, электронное облучение, переменный и постоянный ток, 2D кристалл, перенос заряда, charge transport

Влияние электронного облучения на перенос заряда в 2D моносульфиде галлия

Συγγραφείς: Asadov, S.M., Mustafaeva, S.N.

Πηγή: Электронная обработка материалов 54 (1) 51-57

Θεματικοί όροι: переменный и постоянный ток, электронное облучение, 2D кристалл, перенос заряда

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://ibn.idsi.md/vizualizare_articol/59624

Charge transfer in thin layers of polymer nanocomposites based on aromatic thermoplastic polyimide and cerium dioxide

Συγγραφείς: Castro Arata, Rene Alejandro, Kononov, Aleksei, Nikonorova, Natalia

Θεματικοί όροι: перенос электрического заряда, диоксид церия, electric charge transfer, charge barrier hopping, полиимид, прыжковый перенос заряда, polyimide, cerium dioxide

УДАЛЕННЫЙ ПЕРЕНОС ЭЛЕКТРОНА В ДОНОРНО-АКЦЕПТОРНЫХ КОМПЛЕКСАХ: ВЛИЯНИЕ НЕСУЩЕЙ ЧАСТОТЫ ИМПУЛЬСА ФОТОВОЗБУЖДЕНИЯ

Συγγραφείς: ФЕСЬКОВ СЕРГЕЙ ВЛАДИМИРОВИЧ

Θεματικοί όροι: ПЕРЕНОС ЗАРЯДА,СВЕРХБЫСТРЫЕ ФОТОХИМИЧЕСКИЕ РЕАКЦИИ,ДОНОРНО-АКЦЕПТОРНЫЙ КОМПЛЕКС,СПЕКТРАЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ,CHARGE TRANSFER,ULTRAFAST PHOTOCHEMICAL REACTIONS,DONOR-ACCEPTOR COMPLEX,SPECTRAL EFFECT

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/udalennyy-perenos-elektrona-v-donorno-aktseptornyh-kompleksah-vliyanie-nesuschey-chastoty-impulsa-fotovozbuzhdeniya
http://cyberleninka.ru/article_covers/16899895.png

Расчет проводимости твердых электролитов в стационарном электрическом поле

Θεματικοί όροι: электролиты твердые, проводимость электролитов, перенос заряда, методы решеточных теорий, твердые электролиты

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/15460

Производные 2-(3-кумароил)бензопирилия как перспективные флуоресцентные зонды для детектирования протеинов в водных растворах

Συγγραφείς: Санин, Э. В., Новиков, А. И., Рошаль, А. Д.

Θεματικοί όροι: катионы, кумарины, системы дихромофроные, перенос заряда, белки, соли

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Санин Э. В. Производные 2-(3-кумароил)бензопирилия как перспективные флуоресцентные зонды для детектирования протеинов в водных растворах / Э. В. Санин, А. И. Новиков, А. Д. Рошаль // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Химия, химическая технология и экология. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2014. – № 28 (1071). – С. 128-134.; http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/9290

Διαθεσιμότητα: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/9290

POLARON DYNAMICS ON THE LATTICE WITH CUBIC NONLINEARITY. ACCURATE SOLUTION AND MULTIPEAKED POLARONS

Συγγραφείς: Astakhova, Tat'yana, Kashin, Vladimir, Likhachev, Vladimir, Vinogradov, Georgiy

Θεματικοί όροι: КВАЗИОДОМЕРНЫЕ СИСТЕМЫ, ПЕРЕНОС ЗАРЯДА, ПОЛЯРОНЫ, ЦЕПЬ ДНК, ОДНОМЕРНАЯ РЕШЕТОЧНАЯ МОДЕЛЬ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/polaron-dynamics-on-the-lattice-with-cubic-nonlinearity-accurate-solution-and-multipeaked-polarons
http://cyberleninka.ru/article_covers/15723738.png

Удаленный перенос электрона в донорно-акцепторных комплексах: влияние несущей частоты импульса фотовозбуждения

Πηγή: Вестник Волгоградского государственного университета. Серия 1: Математика. Физика.

Θεματικοί όροι: ПЕРЕНОС ЗАРЯДА,СВЕРХБЫСТРЫЕ ФОТОХИМИЧЕСКИЕ РЕАКЦИИ,ДОНОРНО-АКЦЕПТОРНЫЙ КОМПЛЕКС,СПЕКТРАЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ,CHARGE TRANSFER,ULTRAFAST PHOTOCHEMICAL REACTIONS,DONOR-ACCEPTOR COMPLEX,SPECTRAL EFFECT, 7. Clean energy

Περιγραφή αρχείου: text/html

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://cyberleninka.ru/article_covers/16899895.png
http://cyberleninka.ru/article/n/udalennyy-perenos-elektrona-v-donorno-aktseptornyh-kompleksah-vliyanie-nesuschey-chastoty-impulsa-fotovozbuzhdeniya

ПОЛУЧЕНИЕ И ИЗУЧЕНИЕ СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КАРБОНИЛСОДЕРЖАЩИХ КОМПЛЕКСОВ NI (II) И CO(II)

Συγγραφείς: Ткачева, Татьяна

Θεματικοί όροι: КОНДЕНСАЦИЯ КЛАЙЗЕНА, КАРБОНИЛСОДЕРЖАЩИЕ СОЕДИНЕНИЯ, ПЕРЕНОС ЗАРЯДА

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/poluchenie-i-izuchenie-spektroskopicheskih-svoystv-karbonilsoderzhaschih-kompleksov-ni-ii-i-co-ii
http://cyberleninka.ru/article_covers/15299422.png

О СТАЦИОНАРНЫХ РЕШЕНИЯХ СИСТЕМЫ МОМЕНТНЫХ УРАВНЕНИЙ, ОПИСЫВАЮЩИХ ПЕРЕНОС ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Συγγραφείς: Блохин, Александр, Рудометова, Анна

Θεματικοί όροι: ПЕРЕНОС ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ,ГИДРОДИНАМИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ,ОБОБЩЕННАЯ МАТРИЦА ГРИНА,CHARGE TRANSPORT IN SEMICONDUCTORS,HYDRODYNAMIC MODEL,GENERALIZED GREEN MATRIX

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/o-statsionarnyh-resheniyah-sistemy-momentnyh-uravneniy-opisyvayuschih-perenos-zaryada-v-poluprovodnikah
http://cyberleninka.ru/article_covers/14552117.png