Development of a Mathematical Model of Electrical Polarization Switching in a Ferroelectric Capacitor ; Разработка математической модели переключения электрической поляризации в сегнетоэлектрическом конденсаторе ; РОЗРОБКА МАТЕМАТИЧНОЇ МОДЕЛІ ПЕРЕМИКАННЯ ЕЛЕКТРИЧНОЇ ПОЛЯРИЗАЦІЇ У СЕГНЕТОЕЛЕКТРИЧНОМУ КОНДЕНСАТОРІ

Authors: Кичак, В. М., Барабан, І. О.

Source: Visnyk of Vinnytsia Politechnical Institute; No. 2 (2021); 126-135 ; Вестник Винницкого политехнического института; № 2 (2021); 126-135 ; Вісник Вінницького політехнічного інституту; № 2 (2021); 126-135 ; 1997-9274 ; 1997-9266 ; 10.31649/1997-9266-2021-155-2

Subject Terms: FRAM memory, polarization switching, ferroelectric capacitor, repolarization, polarization field, FRAM-память, переключение поляризации, сегнетоэлектрический конденсатор, переполяризация, поляризационное поле, FRAM-пам’ять, перемикання поляризації, сегнетоелектричний конденсатор, переполяризація, поляризаційне поле

File Description: application/pdf

Relation: https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/2617/2479; https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/2617

Availability: https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/2617
https://doi.org/10.31649/1997-9266-2021-155-2-126-135