Получение слоев GaN и AlGaN С пониженной плотностью дислокаций методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием аммиака

Authors: Мамаев, В.В., Новиков, С.А., Петров, С. И., Зайцев, С.В., Прохоренков, Д.С.

Subject Terms: Авторы БГТУ, нитридные гетероструктуры AlN, AlGaN, оптоэлектронные приборы УФ- диапазона, СВЧ транзисторы, плотность дислокаций

File Description: application/pdf

Relation: http://dspace.bstu.ru/jspui/bitstream/123456789/2216/1/35%20%d0%9c%d0%b0%d0%bc%d0%b0%d0%b5%d0%b2%20%d0%92.%d0%92.pdf; http://dspace.bstu.ru/jspui/handle/123456789/2216

Availability: http://dspace.bstu.ru/jspui/handle/123456789/2216