Features of formation of microwave GaAs structures on homo and hetero-transitions for the sub-microconnection of the lsic structures

Συγγραφείς: Stepan Novosiadlyi, Volodymyr Gryga, Bogdan Dzundza, Sviatoslav Novosiadlyi, Volodymyr Mandzyuk, Halyna Klym, Omelian Poplavskyi

Πηγή: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 1, № 5 (97) (2019): Applied physics; 13-19
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 1, № 5 (97) (2019): Прикладная физика; 13-19
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 1, № 5 (97) (2019): Прикладна фізика; 13-19

Θεματικοί όροι: комплементарные структуры, эпитаксия, интегральные схемы, буферный слой, магнетронного осаждения, complementary structures, low-temperature epitaxy, integrated circuits, buffer layer, magnetron deposition, 0103 physical sciences, UDC 621.382.621.3.049, 7. Clean energy, 01 natural sciences, комплементарні структури, низькотемпературна епітаксія, інтегральні схеми, буферний шар, магнетронне осадження

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://journals.uran.ua/eejet/article/download/157212/157232
http://journals.uran.ua/eejet/article/download/157212/157232
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/157212
https://www.neliti.com/publications/308032/features-of-formation-of-microwave-gaas-structures-on-homo-and-hetero-transition
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/157212