Моделирование распределения потенциала в двух затворном КНИ КМОП нанотранзисторе с неравномерно-легированной рабочей областью

Πηγή: Труды НИИСИ РАН. 8:130-137

Θεματικοί όροι: 2D Poisson's equation, аналитическое решение, volt-ampere characteristics, неравномерно-легированная рабочая область, symmetric double gate SOI CMOS nanotransistor, unform-doping channel, 2D распределение потенциала, двух затворный КНИ КМОП нанотранзистор