Semipolar GaN layers on nanostructured silicon: technology and properties

Συγγραφείς: Bessolov, Vasily, Konenkova, Elena, Rodin, Sergey

Πηγή: St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics, Vol 15, Iss 3.1 (2022)

Θεματικοί όροι: полуполярный нитрид галлия, наноструктурированная кремниевая подложка, semipolar gallium nitride, nano-patterned Si substrate, surface energy, Physics, QC1-999, поверхностная энергия, QA1-939, nano-patterned si substrate, Mathematics

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/39607b4671d74b60a2ec288fc2258496