Free carrier recombination lifetime calculation from photoconductivity decay measurement in non-passivated silicon ; К вопросу об определении объемного времени жизни по спаду фотопроводимости на непассивированных образцах монокристаллического кремния

Authors: I. M. Anfimov, S. P. Kobeleva, A. V. Pylnev, I. V. Schemerov, D. S. Egorov, S. V. Yurchuk, И. М. Анфимов, С. П. Кобелева, А. В. Пыльнев, И. В. Щемеров, Д. С. Егоров, С. Ю. Юрчук

Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 19, № 3 (2016); 210-216 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 19, № 3 (2016); 210-216 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2016-3

Subject Terms: бесконтактные СВЧ− измерения, photoconductivity decay, Si single crystal, contactless µ−PCD measurements, неравновесные носители заряда, спад фотопроводимости, монокристаллический Si, непассивированные образцы

File Description: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/240/207; Väinölä, H. Sensitive copper detection in p−type CZ silicon using µPCD / H. Väinölä, M. Yli−Koski, A. Haarahiltunen, J. Sinkkonen // J. Electrochem. Soc. − 2003. − V. 150, iss. 12. − P. G790—G794. DOI:10.1149/1.1624845; Schroder, D. K. Semiconductor material and device characterization / D. K. Schroder. − New York : Wiley−Interscience/IEEE, 2006. − 781 p.; Кобелева, С. П. Методы измерения электрофизических параметров монокристаллического кремния (обзор) / С. П. Кобелева // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. − 2007. − Т. 73, № 1. − С. 60—67.; Ogita, Y. I. Bulk lifetime and surface recombination velocity measurement method in semiconductor wafers / Y. I. Ogita // J. Appl. Phys. − 1996. − V. 79, iss. 9. − Art. N 6954. DOI:10.1063/1.361459; Harkonen, J. Recombination lifetime characterization and mapping of silicon wafers and detectors using the microwave photoconductivity decay (µPCD) technique / J. Härkönen, E. Tuovinen, Z. Li, P. Luukka, E. Verbitskaya, V. Eremin // Materials Science in Semiconductor Processing. − 2006. − V. 9, iss. 1–3. − P. 261—265. DOI:10.1016/j.mssp.2006.01.049; SEMI MF 1535−0707. Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by noncontact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance. − San Jose, 2010.; Wilson, M. Improved QSS−µPCD measurement with quality of decay control: Correlation with steady−state carrier lifetime / M. Wilson, P. Edelman, J. Lagowski, S. Olibet, V. Mihailetchi // Solar Energy Materials and Solar Cells. − 2012. − V. 106. − P. 66—70. DOI:10.1016/j.solmat.2012.05.040; Klein, D. The determination of charge−carrier lifetime in silicon / D. Klein, F. Wuensch, M. Kunst // Phys. Status Solidi (b). − 2008. − V. 245, N 9. − P. 1865—1876. DOI:10.1002/pssb.200879544; Heinz, F. D. Separation of the surface and bulk recombination in silicon by means of transient photoluminescence / F. D. Heinz, W. Warta, M. C. Schubert // Appl. Phys. Lett. − 2017. − V. 110, iss. 4. − Art. N 042105. DOI:10.1063/1.4975059; Anfimov, I. M. Measurement of lifetime of nonequilibrium charge carriers in single−crystal silicon / I. M. Anfimov, S. P. Kobeleva, I. V. Shchemerov // Inorg. Mater. − 2015. − V. 51, N 15. − P. 1447— 1451. DOI:10.1134/S0020168515150029; Fontaine, J. C. A simple procedure based on the PCD method for determination of recombination lifetime and surface recombination velocity in silicon / J. C. Fontaine, S. Barthe, J. P. Ponpon, J. P. Schunck, P. Siffert // Measurement Science and Technology. − 1994. − V. 5, N 1. − P. 47—50. DOI:10.1088/0957-0233/5/1/008; Landheer, K. Decoupling high surface recombination velocity and epitaxial growth for silicon passivation layers on crystalline silicon / K. Landheer, M. Kaiser, M. A. Verheijen, F. D. Tichelaar, I. Poulios, R. E. I. Schropp, J. K. Rath // J. Phys. D: Appl. Phys. − 2017. − V. 50, N 6. − Art. N 065305. DOI:10.1088/1361-6463/aa535f; Adachi, D. Impact of carrier recombination on fill factor for large area heterojunction crystalline silicon solar cell with 25.1% efficiency / D. Adachi, J. L. Hernandez, K. Yamamoto // Appl. Phys. Lett. − 2015. − V. 107, iss. 23. − Art. N 233506. DOI:10.1063/1.4937224; Bonilla, R. S. Extremely low surface recombination in 1 Ω cm n−type monocrystalline silicon / R. S. Bonilla, C. Reichel, M. Hermle, P. R. Wilshaw // Phys. Status Solidi RRL. − 2017. − V. 11, iss. 1. − Art. N 1600307. DOI:10.1002/pssr.201600307; Ogita, Y .I. Reduction of surface recombination velocity by rapid thermal annealing of p−Si passivated by catalytic−chemical vapor deposited alumina films / Y .I. Ogita, M. Tachihara // Thin Solid Films. − 2015. − V. 575. − P. 56—59. DOI:10.1016/j.tsf.2014.10.024; Blakemore, J. S. Semiconductor statistics / J. S. Blakemore. − New York : Dover publishing, 1987. − 381 p.; Giesecke, J. A. Understanding and resolving the discrepancy between differential and actual minority carrier lifetime / J. A. Giesecke, S. W. Glunz, W. Warta // J. Appl. Phys. − 2013. − V. 113, N 7. − Art. N 073706. DOI:10.1063/1.4790716; Brody, J. Review and comparison of equations relating bulk lifetime and surface recombination velocity to effective lifetime measured under flash lamp illumination / J. Brody, A. Rohatgi, A. Ristow // Solar Energy Materials and Solar Cells. − 2003. − V. 77, iss. 3. − P. 293—301. DOI:10.1016/S0927-0248(02)00350-1; Horanyi, T. S. In situ bulk lifetime measurement on silicon with chemically passivated surface / T. S. Horanyi, T. Pavelka, P. Tutto // Appl. Surf. Sci. − 1993. − V. 63, iss. 1–4. − P. 306—311. DOI:10.1016/0169-4332(93)90112-O; Кобелева, С. П. Влияние поверхностной рекомбинации на измерение времени жизни в слитках монокристаллического кремния / С. П. Кобелева, С. Ю. Юрчук, М. А. Ярынчак, В. В. Калинин // Известия вузов. Материалы электронной техники. − 2006. − № 4. − С. 17—20.; Горюнов, Н. Н. Определение объемного времени жизни неосновных носителей заряда на непассивированных поверхностях монокристаллического кремния / Н. Н. Горюнов, С. П. Кобелева, В. В. Калинин, С. Ю. Юрчук, А. Н. Слесарев, А. Н. Чиякин // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. − 2004. − Т. 70, № 6. − С. 23—28.; SEMI MF 391−0310. Test methods for minority−carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady−state surface photovoltage. − San Jose, 2010.; Kobeleva, S. P. A device for free−carrier recombination lifetime measurements / S. P. Kobeleva, I. M. Anfimov, I. V. Schemerov // Instruments and Experimental Techniques. − 2016. − V. 59, iss. 3. − P. 420—424. DOI:10.1134/S0020441216030064; https://met.misis.ru/jour/article/view/240

Availability: https://met.misis.ru/jour/article/view/240
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-3-210-216

Photoelectric converter model studing based on monocrystal si using photo-electromagnetic and magneto-concentration effect ; Исследование модели фотоэлектрического преобразователя на основе монокристаллического кремния при помощи фото-элекромагнитного и магнитоконцентрационного эффекта ; Дослідження моделі фотоелектричного перетворювача на основі монокристалічного кремнію за допомогою фото-елекромагнітного та магнітоконцентраційного ефекту

Authors: Чернышов, Н. Н., Слипченко, Н. И., Селевко, С. Н., Умяров, Р. Я., Садым, Д. Н.

Contributors: Міністерство освіти і науки України

Source: Физическая инженерия поверхности; Том 12, № 1 (2014): Фізична інженерія поверхні; 114-122 ; Фізична інженерія поверхні; Том 12, № 1 (2014): Фізична інженерія поверхні; 114-122 ; 1999-8112 ; 1999-8074

Subject Terms: charge carriers, electric power, electric field, physical and technical parameters, photoele ctromagnetic effect, magnetoconcentration effect, thermomagnetic effect, monocrystal Si, solar elements, носители заряда, электрическая мощность, электрическое поле, физико-технические параметры, фотоэлектромагнитный эффект, магнитоконцентрационный эффект, термомагнитный эффект, монокристаллический Si, солнечные элементы, носії заряду, електрична потужність, електричне поле, фізикотехнічні параметри, фотоелектромагнітний ефект, магнітоконцентраційний ефект, термомагнітний ефект, монокристалічний Si, сонячні елементи

File Description: application/pdf

Relation: http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8260/7734; http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8260

Availability: http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8260