Дифрактометрические исследования особенностей формирования слоев GaN на подложках кремния методом МПЭ ПА без использования процедуры нитридизации подложки и промежуточного AlN зародышевого слоя

Πηγή: Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 27, Iss 2 (2025)

Θεματικοί όροι: Chemistry, плазменной активацией азота, рентгеновская дифракция, молекулярно-пучковая эпитаксия, кремниевая подложка, релаксированные gan пленки, QD1-999, слои gan

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/1653ccf102d94bb7a74a418876ac153f

Determination of the electron distribution in thin barrier AlGaAs/GaAs superlattices by capacitance-voltage profiling

Συγγραφείς: E. I. Vasilkova, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, A. I. Baranov, A. S. Gudovskikh, A. D. Bouravleuv

Πηγή: Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики, Vol 22, Iss 6, Pp 1092-1097 (2024)

Θεματικοί όροι: вольт-фарадное профилирование, сверхрешетки algaas/gaas, распределение носителей, молекулярно-пучковая эпитаксия, Information technology, T58.5-58.64

Περιγραφή αρχείου: electronic resource

Relation: https://ntv.elpub.ru/jour/article/view/316; https://doaj.org/toc/2226-1494; https://doaj.org/toc/2500-0373

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/d2a5d5c078be454ab011a9d99a69614e

Электрофизические характеристики PIN-фотодиодов диапазона 2.2–2.6 мкм на основе гетероструктур InGa(Al)As/InP с метаморфным буферным слоем

Πηγή: Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 26, Iss 3 (2024)

Θεματικοί όροι: Chemistry, метаморфные буферные слои, вольт-фарадная характеристика, темновые токи, молекулярно-пучковая эпитаксия, QD1-999, фотодетекторы ближнего ик диапазона, вольт-амперная характеристика

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/b964c3edc143483a9f61ea3c2f1aea89

Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиально- доращиваемых контактных слоев GaN, n-GaN и n+-GaN

Πηγή: Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 26, Iss 3 (2024)

Θεματικοί όροι: Chemistry, контактные слои gan, виртуальная подложка, рамановская микроспектроскопия, n-gan и n -gan, молекулярно-пучковая эпитаксия, QD1-999

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/864994ec202746d7a96afe6b1c3491d2

Подтверждение методом картирования тока, наведенного электронным пучком, самопроизвольного легирования GaN нитевидных нанокристаллов из вицинальной подложки SiC/Si

Συγγραφείς: Omar Saket, Maria Tchernycheva

Πηγή: Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 25, Iss 4 (2023)

Θεματικοί όροι: Chemistry, полупроводники, карбид кремния, нитевидные нанокристаллы, метод наведённого тока, молекулярно-пучковая эпитаксия, QD1-999, gan, спонтанное легирование, кремний

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/2f60052adcee403d8b310b83689b5678

Микро- и наноструктуры GaN, селективно выращенные на профилированных подложках сапфира методом ПА-МПЭ без использования литографии

Πηγή: Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 25, Iss 4 (2023)

Θεματικοί όροι: Chemistry, нитевидные кристаллы, наноколонки, широкозонные полупроводниковые соединения a3n, микрокристаллы, плазменно-активированная молекулярно-пучковая эпитаксия, QD1-999, пространственно селективный рост

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/22c82bee750c4b72b335ee6836a299ff

ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВМСИМОСТЬ ПРОВОДИМОСТИ В СТРУКТУРАХ n-Al0.24Ga0.74 As/GaAs

Θεματικοί όροι: ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ, pin-диод, n-Al0.24Ga0.74 As/GaAs, ПРОВОДИМОСТЬ В СТРУКТУРАХ, молекулярно-пучковая эпитаксия

Increase in the modulation bandwidth of the high-speed VCSEL 1550 nm by active region p-type doping

Συγγραφείς: Papylev, Denis, Novikov, Innokenty, Blokhin, Sergei, Gladyshev, Andrey, Andryushkin, Vladislav, Kovach, Yakov, Babichev, Andrey, Voropaev, Kirill, Egorov, Anton, Karachinsky, Leonid

Θεματικοί όροι: vertical cavity surface-emitting laser 1550 nm, спекание пластин, wafer-fusion, molecular-beam epitaxy, вертикально-излучающий лазер 1550 нм, p-type doping, modulation bandwidth, молекулярно-пучковая эпитаксия, предельная частота модуляции, легирование p-типа

Фотодетекторы инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов InAsP на кремнии

Συγγραφείς: Goltaev, Aleksandr, Fedina, Sergey, Fedorov, Vladimir, Mozharov, Alexey, Novikova, Kristina, Maksimova, Alina, Baranov, Artem, Kaveev, Andrey, Pavlov, Alexander, Miniv, Dmitry, Ustimenko, Ratmir, Vinnichenko, Maksim, Mukhin, Ivan

Θεματικοί όροι: nanowires, quantum efficiency, molecular beam epitaxy, InAsP, фотодетектор, silicon substrate, нитевидный нанокристалл, квантовая эффективность, photodetector, кремниевая подложка, молекулярно-пучковая эпитаксия

Numerical investigation of influence GaP nanowire geometry to light extraction efficiency of red lightemitting diode

Συγγραφείς: Novikova, Kristina, Funtikova, Anastasiia, Mozharov, Alexey, Mukhin, Ivan

Θεματικοί όροι: Red LEDs, molecular beam epitaxy, NWs, light extraction efficiency, нитевидные нанокристаллы, красные светодиоды, GaP, фосфид галлия, эффективность экстракции света, молекулярно-пучковая эпитаксия

Study of GaPN(As) layers grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates

Συγγραφείς: Nikitina, Ekaterina, Shubina, Kseniia, Sobolev, Maxim, Pirogov, Evgeny

Θεματικοί όροι: molecular beam epitaxy, gallium phosphide, silicon, dilute nitride semiconductors, разбавленные нитриды, фосфид галлия, молекулярно-пучковая эпитаксия, кремний

Influence of the wet-chemical treatment on the optical and structural properties of core-shell InGaN nanowires

Συγγραφείς: Shugabaev, Talgat, Gridchin, Vladislav, Kuznetsov, Alexey, Kulagina, Anastasia, Khrebtov, Artem, Lendyashova, Vera, Reznik, Rodion, Cirlin, George

Θεματικοί όροι: усиление фотолюминесценции, photoluminescence enhancement, molecular beam epitaxy, нитевидные нанокристаллы InGaN, ядро-оболочка, core-shell InGaN nanowires, молекулярно-пучковая эпитаксия, etching of nanowires, травление нитевидных нанокристаллов

Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией

Συγγραφείς: Fedorov, Vladimir, Fedina, Sergey, Kaveev, Andrey, Kirilenko, Demid, Faleev, Nikolai, Mukhin, Ivan

Θεματικοί όροι: buffer layer, molecular beam epitaxy, gallium phosphide, silicon substrate, heterostructure, фосфид галлия, молекулярно-пучковая эпитаксия, кремниевая подложка, буферный слой, гетероструктура

Influence of the doping level in the absorption layer of InGaAs/InP 2.5 μm photodetectors on their electrical properties

Συγγραφείς: Barantsev, Oleg, Vasilkova, Elena, Pirogov, Evgeny, Shubina, Ksenya, Baranov, Artem, Voropaev, Kirill, Vasil’ev, Andrey, Karachinsky, Leonid, Novikov, Innokenty, Sobolev, Maxim

Θεματικοί όροι: infrared photodetectors, метаморфные буферные слои, molecular beam epitaxy, metamorphic buffer layers, инфракрасные фотодетекторы, молекулярно-пучковая эпитаксия

Study of the formation mechanisms of Ge terraces on Si(100) during MBE using the RHEED method

Συγγραφείς: Kukenov, Olzhas, Dirko, Vladimir, Lozovoy, Kirill, Kokhanenko, Andrey, Voitsekhovskii, Alexander, Maier, Xeniya

Θεματικοί όροι: дифракция быстрых отражённых электронов, рост по механизму сдвига ступеней, molecular beam epitaxy, гетероэпитаксия, reflection high-energy electron diffraction, молекулярно-пучковая эпитаксия, step-flow growth, heteroepitaxy

Physical properties of GaN nanowires with core-shell InGaN/GaN insertions grown by PA-MBE on Si substrate

Συγγραφείς: Bondarenko, Dariya, Gridchin, Vladislav, Kotlyar, Konstantin, Reznik, Rodion, Kirilenko, Demid, Baranov, Artem, Dragunova, Anna, Kryzhanovskaya, Natalia, Maksimova, Alina, Cirlin, George

Θεματικοί όροι: micro light-emitting diodes, GaN/InGaN nanowires, thick core-shell InGaN insertions, микросветоизлучающие диоды, молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией, plasma-assisted molecular beam epitaxy, 7. Clean energy, нитевидные нанокристаллы GaN/InGaN, объемные вставки структуры «core-shell» InGaN

1300 nm VCSELS with active region based on InGaAs/InGaAlAs superlattice for long-distance transmission

Συγγραφείς: Andryushkin, Vladislav, Blokhin, Sergei, Bobrov, Mikhail, Blokhin, Alexey, Babichev, Andrey, Gladyshev, Andrey, Novikov, Innokenty, Karachinsky, Leonid, Kolodeznyi, Evgenii, Voropaev, Kirill, Egorov, Anton

Θεματικοί όροι: вертикально-излучающие лазеры, buried tunnel junction, molecular-beam epitaxy, заращенный туннельный переход, 7. Clean energy, vertical-cavity surface-emitting lasers, молекулярно-пучковая эпитаксия

Formation of Ge quantum dots on GaN nanowires by molecular beam epitaxy

Συγγραφείς: Ilkiv, Igor, Kotlyar, Konstantin, Kirilenko, Demid, Sharov, Vladislav, Reznik, Rodion, Cirlin, George

Θεματικοί όροι: germanium, полупроводники, molecular beam epitaxy, nanowire, германий, нитевидные нанокристаллы, semiconductors, молекулярно-пучковая эпитаксия

Features of MBE growth of AlGaAs nanowires with InAs quantum dots on the silicon surface

Συγγραφείς: Reznik, Rodion, Gridchin, Vladislav, Kotlyar, Konstantin, Dragunova, Anna, Kryzhanovskaya, Natalia, Samsonenko, Yurii, Soshnikov, Ilya, Khrebtov, Artem, Cirlin, George

Θεματικοί όροι: III-V semiconductors, nanowires, нитевидные нанокристаллы, silicon, quantum dots, molecular-beam epitaxy, квантовые точки, III-V полупроводники, молекулярно-пучковая эпитаксия, кремний

1550 nm high-speed VCSELS based on compressively strained In(Al)GaAs QWs

Συγγραφείς: Rochas, Stanislav, Blokhin, Sergei, Babichev, Andrey, Karachinsky, Leonid, Novikov, Innokenty, Blokhin, Aleksey, Bobrov, Mikhail, Maleev, Nikolai, Andryushkin, Vladislav, Bougrov, Vladislav, Gladyshev, Andrey, Melnichenko, Ivan, Voropaev, Kirill, Zhumaeva, Irina, Ustinov, Victor, Li, Hiu, Tian, Si-Cong, Han, Saiyi, Sapunov, Georgiy, Egorov, Anton, Bimberg, Dieter

Θεματικοί όροι: tunnel junction, туннельный переход, спекание пластин, strained quantum wells, wafer fusion, molecular-beam epitaxy, напряженные квантовые ямы, data transmission, 7. Clean energy, VCSEL, молекулярно-пучковая эпитаксия, передача данных, ВИЛ