Experimental Study of NBνN Barrier Structures Based on MBE n-HgCdTe for MWIR and LWIR Photodetectors

Συγγραφείς: Voytsekhovskiy, Alexander V., Dzyadukh, Stanislav M., Gorn, Dmitriy Igorevich, Dvoretsky, Sergei A., Mikhailov, Nikolay N., Sidorov, Georgiy Yu., Yakushev, Maxim V.

Πηγή: Journal of communications technology and electronics. 2023. Vol. 68, № 3. P. 334-337

Θεματικοί όροι: адмиттанс, барьерная структура, молекулярно-лучевая эпитаксия, импеданс, 7. Clean energy, вольт-амперная характеристика

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001016871

Study of planar microcavity structure with In0.63Ga0.37As quantum dots and non-absorbing Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As mirrors

Συγγραφείς: Babichev, Andrey, Papylev, Denis, Komarov, Sergey, Kryzhanovskaya, Natalia, Blokhin, Sergei, Nevedomsky, Vladimir, Gladyshev, Andrey, Karachinsky, Leonid, Novikov, Innokenty, Egorov, Anton

Θεματικοί όροι: арсенид галлия, InGaAs, planar microcavity, планарный вертикальный микрорезонатор, механизм Странски-Крастанова, Stransky-Krastanow growth mode, molecular-beam epitaxy, молекулярно-лучевая эпитаксия, gallium arsenide

Ab initio study of In adsorption on AlxGa1–xAs substrates at the first stages of droplet epitaxy

Συγγραφείς: Dukhan, Denis, Balakirev, Sergey, Voloshina, Elena, Solodovnik, Maxim

Θεματικοί όροι: капельная эпитаксия, А3В5, surface mobility, quantum dots, indium, теория функционала плотности, молекулярно-лучевая эпитаксия, droplet epitaxy, molecular beam epitaxy, индий, поверхностная подвижность, квантовые точки, III-V, density functional theory

КВАНТОВЫЙ РАЗМЕРНЫЙ ЭФФЕКТ БЛОХОВСКИХ ВОЛНОВЫХ ФУНКЦИЙ ЭЛЕКТРОНОВ СВЕРХВЫСОКОЙ ЭНЕРГИИ В ТОНКОЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛЕНКЕ

Θεματικοί όροι: quantum size effect, molecular beam epitaxy, тонкие монокристалли­ческие пленки, electron diffraction, surface, блоховские волны, квантовый размерный эффект, дифракция электронов, молекулярно-лучевая эпитаксия, thin single-crystal films, поверхность, Bloch waves

Diffusion Limitation of Dark Current in the nBn Structures Based on the MBE HgCdTe

Συγγραφείς: Voytsekhovskiy, Alexander V., Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M., Dvoretsky, Sergei A., Mikhailov, Nikolay N., Sidorov, Georgiy Yu., Yakushev, Maxim V.

Πηγή: Journal of communications technology and electronics. 2022. Vol. 67, № 3. P. 308-312

Θεματικοί όροι: темновой ток, 0103 physical sciences, инфракрасные детекторы, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, 0210 nano-technology, 01 natural sciences, диффузионное ограничение

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000925757

СОЗДАНИЕ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ НА ОСНОВЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР CaF2-CoSi2–Si

Συγγραφείς: Эгамбердиев, Б. Э., Мусаджановаа, Д. А., Мусажанова, Н. А., Остоноваа, М. Б.

Πηγή: ARXITEKTURA, MUHANDISLIK VA ZAMONAVIY TEXNOLOGIYALAR JURNALI; Vol. 3 No. 4 (2024): ARXITEKTURA, MUHANDISLIK VA ZAMONAVIY TEXNOLOGIYALAR JURNALI; 11-14

Θεματικοί όροι: эпитаксия, молекулярно-лучевая эпитаксия, эпитаксиальная пленка, термическая очистка, температура

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://sciencebox.uz/index.php/arxitektura/article/view/10370/9478; https://sciencebox.uz/index.php/arxitektura/article/view/10370

Διαθεσιμότητα: https://sciencebox.uz/index.php/arxitektura/article/view/10370

Unipolar Semiconductor Barrier Structures for Infrared Photodetector Arrays (Review)

Συγγραφείς: Burlakov, I. D., Kulchitskii, N. A., Voytsekhovskiy, Alexander V., Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M., Gorn, Dmitriy Igorevich

Πηγή: Journal of communications technology and electronics. 2021. Vol. 66, № 9. P. 1084-1091

Θεματικοί όροι: 0103 physical sciences, инфракрасные фотодиоды, барьерная структура, молекулярно-лучевая эпитаксия, арсенид галлия-индия, 02 engineering and technology, инфракрасные фотодетекторы, 0210 nano-technology, 7. Clean energy, 01 natural sciences, униполярная структура, матрица фокальной плоскости

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://link.springer.com/article/10.1134/S1064226921090035
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000924556

An Experimental Study of the Dynamic Resistance in Surface Leakage Limited nBn Structures Based on HgCdTe Grown by Molecular Beam Epitaxy

Συγγραφείς: A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, G. Y. Sidorov, M. V. Yakushev

Πηγή: Journal of electronic materials. 2021. Vol. 50, № 8. P. 4599-4605

Θεματικοί όροι: униполярные барьерные детекторы, 0103 physical sciences, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, 0210 nano-technology, 01 natural sciences, nBn-структура

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://link.springer.com/article/10.1007/s11664-021-09001-8
http://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2021JEMat..50.4599V/abstract
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000893725

Single-photon avalanche diode detectors based on group IV materials

Συγγραφείς: Izhnin, Igor I., Lozovoy, Kirill A., Kokhanenko, Andrey P., Khomyakova, Kristina I., Douhan, Rahaf M. H., Dirko, Vladimir V., Voytsekhovskiy, Alexander V., Fitsych, Olena I., Akimenko, Nataliya Yu.

Πηγή: Applied nanoscience. 2022. Vol. 12, № 3. P. 253-263

Θεματικοί όροι: лавинные фотодиоды, двумерные материалы, квантовая информационная технология, германий, 0103 physical sciences, кремниевые фотоумножители, однофотонные детекторы, молекулярно-лучевая эпитаксия, 7. Clean energy, 01 natural sciences, кремний

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2021ApNan.tmp...50I/abstract
https://link.springer.com/article/10.1007/s13204-021-01667-0
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000927185

Influence of As+ Ion Implantation on Properties of MBE HgCdTe Near-Surface Layer Characterized by Metal–Insulator–Semiconductor Techniques

Συγγραφείς: A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, G. Y. Sidorov, M. V. Yakushev, D. V. Marin

Πηγή: Journal of electronic materials. 2021. Vol. 50, № 4. P. 2323-2330

Θεματικοί όροι: ионная имплантация, варизонные слои, адмиттанс, 0103 physical sciences, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, МДП-структуры, 0210 nano-technology, 01 natural sciences, теллурид кадмия-ртути

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2021JEMat..50.2323V/abstract
https://link.springer.com/article/10.1007/s11664-021-08752-8
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000893721

The Effect of As+ Ion Implantation and Annealing on the Electrical Properties of Near-Surface Layers in Graded-Gap n-Hg0.78Cd0.22Te Films

Συγγραφείς: D. V. Marin, M. V. Yakushev, Nikolay N. Mikhailov, Sergey N. Nesmelov, S. A. Dvoretskii, V. S. Varavin, G. Yu. Sidorov, A. V. Voitsekhovskii, Stanislav M. Dzyadukh

Πηγή: Technical physics letters. 2021. Vol. 47, № 2. P. 189-192

Θεματικοί όροι: ионная имплантация, адмиттанс, 0103 physical sciences, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, МДП-структуры, 0210 nano-technology, 01 natural sciences

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2021TePhL..47..189V/abstract
https://link.springer.com/article/10.1134/S1063785021020309
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000893727

Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe

Συγγραφείς: I. I. Izhnin, A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, G. Y. Sidorov, M. V. Yakushev

Πηγή: Applied nanoscience. 2022. Vol. 12, № 3. P. 403-409

Θεματικοί όροι: МДП-структура, барьерный слой, адмиттанс, 0103 physical sciences, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, 0210 nano-technology, 01 natural sciences, nBn-структура, теллурид кадмия-ртути

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://link.springer.com/article/10.1007/s13204-020-01636-z
http://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2021ApNan.tmp...11I/abstract
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000927125

Dark currents of unipolar barrier structures based on mercury cadmium telluride for long-wave inred detectors

Συγγραφείς: Sergey A. Dvoretsky, Sergey N. Nesmelov, A. V. Voitsekhovskii, G. Yu. Sidorov, Stanislav M. Dzyadukh, M. V. Yakushev, Nikolay N. Mikhailov

Πηγή: Russian physics journal. 2021. Vol. 64, № 5. P. 763-769

Θεματικοί όροι: темновой ток, 0103 physical sciences, инфракрасные детекторы, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, пассивация, 0210 nano-technology, 7. Clean energy, 01 natural sciences, nBn-структура, теллурид кадмия-ртути

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://link.springer.com/article/10.1007/s11182-021-02390-7
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000893723

STUDY THE EFFECTS OF CONDITIONS OF MOLECULAR BEAM EPITAXY ON THE MORPHOLOGY AND SPECTRAL CHARACTERISTICS OF HETEROSTRUCTURES GE/SI AND GESI/SI

Συγγραφείς: Vyacheslav Lapin, Fyodor Maljavin, Igor Sysoev

Πηγή: Наука. Инновации. Технологии, Vol 0, Iss 2, Pp 43-58 (2022)

Θεματικοί όροι: молекулярно-лучевая эпитаксия, атомно-силовая микроскопия, комбинационное рассеяние света, гетероструктуры gexsi1-x/si, эпитаксиальный рост, сверхструктурные домены, “hut-кластеры”, “dome-кластеры”, эпитаксиальные структуры, molecular beam epitaxy, atomic force microscopy, raman scattering, heterostructures gexsi1-x / si, epitaxial growth, the superstructure domains, "hut-clusters, "dome-clusters, epitaxial structures, Geography (General), G1-922

Περιγραφή αρχείου: electronic resource

Relation: https://scienceit.elpub.ru/jour/article/view/465; https://doaj.org/toc/2308-4758

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/564dca92859f484a9527d3ac7a596200

Impedance of MIS devices based on nBn structures from mercury cadmium telluride

Συγγραφείς: A.V. Voitsekhovskii, null et al.

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 6. С. 8-15

Θεματικοί όροι: инфракрасные детекторы, молекулярно-лучевая эпитаксия, МДП-приборы, импеданс, nBn-структура, теллурид кадмия-ртути

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://journals.tsu.ru/uploads/import/1995/files/8-15.pdf
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000722847

Growth of Germanium Quantum Dots on Oxidized Silicon Surface

Συγγραφείς: Kokhanenko, Andrey P., Akimenko, Nataliya Yu., Dirko, Vladimir V., Voytsekhovskiy, Alexander V., Lozovoy, Kirill A.

Πηγή: Russian physics journal. 2020. Vol. 63, № 2. P. 296-302

Θεματικοί όροι: функция распределения по размерам, германий, наногетероструктуры, Фольмера-Вебера механизм, оксид кремния, критическая толщина, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, кремний, поверхностная плотность, 0103 physical sciences, квантовые точки, 0210 nano-technology

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://link.springer.com/article/10.1007/s11182-020-02035-1
https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2020RuPhJ..63..296L/abstract
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000794756

Investigation of the Effect of Thermal Annealing on the Electrical Properties of the Near-Surface Layer of MBE n-HgCdTe Using MIS Techniques

Συγγραφείς: A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, G. Y. Sidorov, M. V. Yakushev, D. V. Marin

Πηγή: Journal of electronic materials. 2020. Vol. 49, № 5. P. 3202-3208

Θεματικοί όροι: адмиттанс, термический отжиг, варизонный слой, 0103 physical sciences, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, еллурид кадмия-ртути, 0210 nano-technology, 01 natural sciences

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://link.springer.com/article/10.1007/s11664-020-08005-0
https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2020JEMat..49.3202V/abstract
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000795383

Admittance of Barrier Structures Based on Mercury Cadmium Telluride

Συγγραφείς: Sergey A. Dvoretsky, G. Yu. Sidorov, A. V. Voitsekhovskii, Sergey N. Nesmelov, Nikolay N. Mikhailov, Stanislav M. Dzyadukh, M. V. Yakushev

Πηγή: Russian physics journal. 2020. Vol. 63, № 3. P. 432-445

Θεματικοί όροι: адмиттанс, 0103 physical sciences, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, 0210 nano-technology, 01 natural sciences, nBn-структура, теллурид кадмия-ртути

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s11182-020-02054-y.pdf
http://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2020RuPhJ..63..432V/abstract
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000792269

Исследование электрофизических свойств компонентов транзисторов на основе 2D полупроводников: выпускная квалификационная работа бакалавра

Θεματικοί όροι: four-probe method, фторид кальция, laser energy density on the target, молекулярно-лучевая эпитаксия, high-temperature annealing, 2D полупроводники, высокотемпературный отжиг, calcium fluoride, плотность энергии лазера на мишени, tungsten disulfide, molecular beam epitaxy, tungsten diselenide, дисульфид вольфрама, импульсное лазерное осаждение, четырехзондовый метод, pulsed laser deposition, диселенид вольфрама, 2D semiconductors

Двумерные материалы на основе элементов групп VA и VIA: методы получения и перспективы использования

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 8. С. 80-90

Θεματικοί όροι: фосфор, 2D-кристаллы, теллур, молекулярно-лучевая эпитаксия, селенен, висмутен, антимонен, теллурен, арсенен, висмут, мышьяк, сурьма, фосфорен, селен

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001006670