Mathematical Modeling of Point Defect Cluster Formation in Silicon Based on Molecular Dynamic Approach ; МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ КЛАСТЕРОВ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ НА БАЗЕ МОЛЕКУЛЯРНО–ДИНАМИЧЕСКОГО ПОДХОДА

Συγγραφείς: K. K. Abgaryan, O. V. Volodina, S. I. Uvarov, К. К. Абгарян, О. В. Володина, С. И. Уваров

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 18, № 1 (2015); 37-42 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 18, № 1 (2015); 37-42 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; undefined

Θεματικοί όροι: дефекты в кристаллах, molecular dinamic, first principles calculations, сlasters of point defects, III−V semiconductors, defects in crystals, молекулярно− динамический подход, первопринципные расчеты, потенциал межатомного взаимодействия, кластеры точечных дефектов, III—V полупроводники

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/153/145; Fedina,L.I.Electronmicroscopydataforthresholdenergyof point defect creation in silicon. / L. I. Fedina, A. L. Aseev, S. G. Denisenko, L. S. Smirnov // Materials Science Forum: Defects in Semiconductors. Edit. by H. J. Bardeleben. 1986. V. 10−12. − P. 1123—1128.; Aseev, A. L. Clusters of interstitial atoms in silicon and germanium / A. L. Aseev, L. I. Fedina, D. Hoehl, H. Barsch. − Berlin : Acad. Verlag, 1994. − 152 p.; Fedina,L.TheintrinsicpointdefectclusteringinSi:Astudy by HVEM and HREM in situ electron irradiation / L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev, J. Van Landuyt, J. Vanhellemont. − Novosibirsk : Kluwer Intern. Publish, 1997. − P. 63—92.; Al−Mushadani, O. K. Free−energy calculations of intrinsic point defects in silicon / O. K. Al−Mushadani, R. J. Needs // Phys. Rev. B. − 2003. − V. 68, iss. 23. − P. 235205.; Goedecker, S. A fourfold coordinated point defect in silicon / S. Goedecker, T. Deutsch, L. Billard // Phys. Rev. Lett. − 2002. − V. 88. − P. 235501.; Hohenberg, P. Inhomogeneous electron gas / P. Hohenberg, W. Kohn // Phys. Rev. B. − 1964. − V. 136, iss. 3. – P. B864.; Kohn, W. Self−consistent equations including exchange and correlationeffects/W.Kohn,L.J.Sham//Phys.Rev.−1965.−V. 140. − P. A1133—A1138.; Tang,M.Intrinsicpointdefectsincrystallinesilicon:Tight− binding molecular dynamics studies of self−diffusion, interstitial− vacancy recombination and formation volumes / M. Tang, L. Colombo, J. Zhu, T. Diaz de la Rubia // Phys. Rev. B. − 1997. − V. 55, iss. 21. − P. 14279—14289.; Fedina, L. I. Extended defects formation in Si crystals by clustering of intrinsic point defects studied by in−situ electron irradiation in an HREM / L. I. Fedina, A. K. Gutakovskii, L. A. Aseev, J. van Landuyt, J. Vanhellemont // Phys. status solidi (a). − 1999. − V. 171, iss. 1. − P. 147—157.; Fedina, L. I. Precision measurements of nanostructure parameters / L. I. Fedina, D. V. Sheglov, A. K. Gutakovskii, S. S. Kosolobov, A. V. Latyshev // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. −2010. −V. 46, N 4. − P. 301—311.; Watkins, G. D. In radiation effects in semiconductors / G. D. Watkins. − N. Y. : Plenum Press Inc., 1968. − P. 67; VASP—http://cms.mpi.univie.ac.at/vasp/; Abgaryan, K. K. Optimization methods as applied to parametric identification of interatomic potentials / K. K. Abgaryan, M. A. Posypkin // Computational Mathematics and Mathematical Physics. − 2014. − V. 54, N 12. − P. 1994—2001.; Tersoff, J. Empirical interatomic potential for silicon with improvedelasticproperties/J.Tersoff//Phys.Rev.B.−1988.−V. 38. − P. 9902—9905.; Абгарян, К. К. Программный комплекс для решения задач параметрической идентификации потенциалов межатомного взаимодействия / К. К. Абгарян, М. А. Посыпкин // Internat. J. Open Information Technologies. − 2014. − No 10. − C. 14—20.; Хук,P.Прямойпоискрешениядлячисловыхистатических проблем / P. Хук, Т. А. Дживс. − M. : Мир, 1961. − С. 212—219.; Powell,D.Elasticity,latticedynamicsandparameterisation techniques for the Tersoff potential applied to elemental and type III—V semiconductors : dis. − University of Sheffield, 2006.; Абгарян, К. К. Применение параллельных вычислений и метода молекулярной динамики для моделирования роста многослойных полупроводниковых наноструктур / К. К. Абгарян, Н. В. Быков, И. В. Мутигуллин // Материалы IX Междунар. конф. по неравновесным процессам в соплах и струях (NPNJ 2012). − М. : Изд−во МАИ, 2012. − С. 457—459.; Haile, J. M. Molecular dynamics simulation. elementary methods / J. M. Haile. − N. Y.; Chichester; Brisbane; Toronto; Singapore : J. Wiley ans Sons Inc., 1992. − 505 p.; Rapaport, D. C. The art of molecular dynamics simulation / D. C. Rapaport. − Cambridge : Cambridge University Press, 1995. − 565 p.; Супрядкина, И. А. Теоретическое исследование ионно− индуцированных точечных дефектов и их комплексов в кремнии / И. А. Супрядкина, К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин, Л. И. Федина / Материалы междунар. конф. ВИП. − Ярославль, 2013. − Т. 1. − С. 204—206.; https://met.misis.ru/jour/article/view/153

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/153
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-1-37-42