RESEARCH OF POSSIBILITIES FOR IMPROVING THE ENERGY AND MASS PARAMETERS OF SOLAR CELLS USING PLASMA-CHEMICAL ETCHING ; ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТЕЙ УЛУЧШЕНИЯЭНЕРГОМАССОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРОЦЕССА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ

Συγγραφείς: P. B. Lagov, A. S. Drenin, E. S. Rogovskii, A. M. Lednev, П. Б. Лагов, А. С. Дренин, Е. С. Роговский, А. М. Леднев

Συνεισφορές: Работа выполнена в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно−технологического комплекса России на 2007—2013 годы». (ГК № 14.516.11.0007)

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 3 (2013); 51-53 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 3 (2013); 51-53 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2013-3

Θεματικοί όροι: скорость травления, multi−cascade solar cell, plasma−chemical etching, etching rate, многокаскадный солнечный элемент, плазмохимическое травление

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/76/69; Fraas, L. M. Design of high efficiency monolithic stacked multijunction solar cells. / L. M. Fraas, R. C. Knechtli // 13th IEEE Photovoltaic Specialist Conf. Conf. Rec. — Washington (D. C.), 1978. − P. 886—891.; King, R. R. 40% efficient metamorphic GaInP/GaInAs/Ge multijunction solar cells / R. R. King, D. C. Law, K. M. Edmondson // Appl. Phys. Lett. − 2007. — V. 90, N 18. − P. 3516.; http://www.nrel.gov/ncpv/images/efficiency_chart.jpg; http://www.spectrolab.com/faqs−space.htm; US Pat. 5882987 A. Smart−cut process for the production of thin semiconductor material films / K. V. Srikrishnan. Mar 16, 1999.; May, G. S. Fundamentals of semiconductor fabrication / G. S. May, S. M. Sze. − N. Y.: John Wiley & Sons, Inc., 2004.; Averkin, S. N. A microwave high−density plasma source for submicron silicon IC technology / S. N. Averkin, K. A. Valiev, V. A. Naumov, A. V. Kalinin, A. D. Krivospitskii, A. A. Orlikovskii, A. A. Rylov // Russian Microelectronics. − 2001. − Т. 30, N 3. − P. 155—159.; Taek Sung Kim. Dry etching of germanium using inductively coupled Ar/CCl2F2/Cl2 plasma / Taek Sung Kim, Sang−Sik Choi, Mi Im Shin, Tae Soo Jeong, Sukil Kang, Chel−Jong Choi, Kyu−Hwan Shim // Electron. Mater. Lett. − 2010. − V. 6, N 1. − P. 35—39.; Ballingall, J. M. Electron transport across the abrupt Ge—GaAs n–—n−heterojunction / J. M. Ballingall, R. A. Stall, C. E. C. Wood, L. F. Eastman // J. Appl. Phys. − 1981. − V. 52. − P. 4098.; https://met.misis.ru/jour/article/view/76

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/76
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-3-51-53