STUDY OF CRYSTALLINITY PARAMETER DISTRIBUTION FOR mc-Si FILMS, OBTAINED BY PECVD, BY USING RAMAN SPECTROSCOPY ; ИССЛЕДОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРА КРИСТАЛЛИЧНОСТИ ДЛЯ ПЛЁНОК mc-Si, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ PECVD, С ПОМОЩЬЮ РАМАНОВСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ

Συγγραφείς: V. L. Koshevoi, A. O. Belorus, V. S. Levitskiy, В. Л. Кошевой, А. О. Белорус, В. С. Левицкий

Πηγή: Alternative Energy and Ecology (ISJAEE); № 19 (2015); 118-123 ; Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE); № 19 (2015); 118-123 ; 1608-8298

Θεματικοί όροι: рамановская спектроскопия, microcrystalline silicon, plasma chemical deposition parameter crystallinity, Raman spectroscopy, микрокристаллический кремний, плазмохимическое осаждение, параметр кристалличности

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://www.isjaee.com/jour/article/view/173/176; Гавриленко Л.В., Дубинов А.А., Романов Ю.А. Учебно-научный и инновационный комплекс «Физические основы информационно-телекоммуникационных систем» Комбинационное рассеяние в твёрдых телах (Электронное методическое пособие).; http:www.unn.ru/pages/e-library/methodmaterial/files/43.pdf; Комбинационное рассеяние света (рамановское рассеяние): методическое пособие для лабораторных работ. Режим доступа; http://lab2.phys.spbu.ru/pdf_to/opt21.pdf; Вересов А.Г., Наний О.Е. Комбинационное рассеяние света. «РОСНАНО». 2009–2011 www.rusnano.com Режим доступа; http://thesaurus.rusnano.com/wiki/article2041; Спектрометр комбинационного рассеяния света Horiba Jobin Yvon T64000 [Электронный ресурс]. ГНЦ ФГУП «Исследовательский центр имени М. В. Келдыша», отдел нанотехнологий. Режим доступа: http://www.nanokerc.ru/node/143; Markus Klindworth. Crystallinity measurement by Raman spectroscopy (std. approach).; Zhihua Hu , Xianbo Liao, Hongwei Diao, Yi Cai, Shibin Zhang, Elvira Fortunato, Rodrigo Martins. Hy-drogenated p-type nanocrystalline silicon in amorphous silicon solar cells // Journal of Non-Crystalline Solids. 15 June 2006. Vol. 352, Iss. 9–20. P. 1900–1903.; Семёнов А.В. Технология тонкоплёночных солнечных модулей большой площади на основе аморфного и микрокристаллического кремния: Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2015.; https://www.isjaee.com/jour/article/view/173

Διαθεσιμότητα: https://www.isjaee.com/jour/article/view/173
https://doi.org/10.15518/isjaee.2015.19.016

МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ТРЕХПЕРЕХОДНЫХ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ АМОРФНОГО И МИКРОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ

Συγγραφείς: Чеботарев, С., Пащенко, А., Лунина, М., Ирха, В.

Θεματικοί όροι: ТРЕХПЕРЕХОДНЫЙ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, АМОРФНЫЙ И МИКРОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ, ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/modelirovanie-vysokovoltnyh-trehperehodnyh-fotopreobrazovateley-na-osnove-amorfnogo-i-mikrokristallicheskogo-kremniya
http://cyberleninka.ru/article_covers/14402293.png