Study of planar microcavity structure with In0.63Ga0.37As quantum dots and non-absorbing Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As mirrors

Authors: Babichev, Andrey, Papylev, Denis, Komarov, Sergey, Kryzhanovskaya, Natalia, Blokhin, Sergei, Nevedomsky, Vladimir, Gladyshev, Andrey, Karachinsky, Leonid, Novikov, Innokenty, Egorov, Anton

Subject Terms: арсенид галлия, InGaAs, planar microcavity, планарный вертикальный микрорезонатор, механизм Странски-Крастанова, Stransky-Krastanow growth mode, molecular-beam epitaxy, молекулярно-лучевая эпитаксия, gallium arsenide

Photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum dots with bimodal inhomogeneous broadening

Authors: Babichev, Andrey, Nadtochiy, Alexey, Tkach, Yulia, Kryzhanovskaya, Natalya, Blokhin, Sergei, Nevedomsky, Vladimir, Gladyshev, Andrey, Maleev, Nikolay, Karachinsky, Leonid, Novikov, Innokenty

Subject Terms: арсенид галлия, InGaAs, газофазная эпитаксия, механизм Странски-Крастанова, molecular-beam epitaxy, молекулярно-лучевая эпитаксия, Stranski-Krastanov growth mode, gallium arsenide, metal-organic chemical vapor deposition

Исследование влияния технологических параметров формирования тонких пленок цирконата-титаната свинца на их структурные и электрофизические свойства

Source: Известия Южного федерального университета. Технические науки.

Subject Terms: ЦИРКОНАТ-ТИТАНАТ СВИНЦА, СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ, ВЫСОКОЧАСТОТНОЕ РЕАКТИВНОЕ РАСПЫЛЕНИЕ, МЕХАНИЗМ СТРАНСКИ-КРАСТАНОВА, ПОЛЯРИЗАЦИЯ, УГОЛ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ

File Description: text/html

Access URL: http://cyberleninka.ru/article/n/issledovanie-vliyaniya-tehnologicheskih-parametrov-formirovaniya-tonkih-plenok-tsirkonata-titanata-svintsa-na-ih-strukturnye-i
http://cyberleninka.ru/article_covers/15678081.png