-
1
-
2Academic Journal
Authors: I. G. Neizvestny, И. Г. Неизвестный
Source: The Herald of the Siberian State University of Telecommunications and Information Science; № 3 (2009); 5-9 ; Вестник СибГУТИ; № 3 (2009); 5-9 ; 1998-6920
Subject Terms: подвижность, металл-диэлектрик-полупроводник
File Description: application/pdf
Relation: https://vestnik.sibsutis.ru/jour/article/view/629/584; Г.Я. Красников. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. - М.: Техносфера. Ч.1 - 2002 г., Ч.2 - 2004 г.; В.П. Драгунов. И.Г. Неизвестный. Наноструктуры: физика, технология, применение. - Новосибирск, НГТУ, 2008 г.; И.Г. Неизвестный, В.А. Гридчин. Использование напряжённого кремния в МДП-транзисторах и КМОП-структурах. - Микроэлектроника. Т.38, № 2, стр. 83 - 98, 2009.; Dick James. "Intel's evolution: Strained silicon to high-k and metal gate" Sol. St. Tech. November 2007.; Wen-Shiang Liao et al. "PMOS hole mobility enhancement through SiGe conductive channel and highly compressive ILD-SiNx stressing layer" IEEE Electr. Dev. Lett. v.29. № 1, January 2008. p. 86 - 88.; S.Balakumar et al. "SiGeO layer formation mechanism at the SiGe/oxide interface during Ge condensation". Appl. Phys. Lett. v.90, p.032111(2007).; Hiroshi Matsubara et al. "Evidence of low interface trap density in GeO2/Ge metal-oxide-semiconductor structures fabricated by thermal oxidation". Appl. Phys. Lett. v.90, p.032104 (2008).; T. Signamarcheix et al. "Germanium oxynitrid (GeОxNy) as a back interface passivation layer for germanium-on-insulator substrate" Appl. Phys. Lett. v.93, p.022109(2008).; Nan Wu et al. "Gate-First germanium nMOSFET with CVD HfO2 gate dielectric and silicon surface passivation" IEEE Elect. Dev. Lett. vol.27. № 6, June 2006, p. 479 - 491.; А.В. Ржанов, И.Г. Неизвестный, В.В. Росляков. Исследование поверхностной проводимости и поверхностной рекомбинации на образцах германия. ЖТФ, т. 26, 2142 (1956).; А.В. Ржанов, Ю.Ф. Новотоцкий-Власов, И.Г. Неизвестный. Исследование эффекта поля и поверхностной рекомбинации в образцах германия. ЖТФ т. 27, вып.11, 1957. стр. 2441 -2450.; Patent 1 745 175 U.S. "Method and apparatus for controlling electric current" Lilienfeld.-Appl. Field 8 oct.1929, granted 18 Jan.1930.; D.Kang, M.M.Attala. "Silicon-silicon dioxide field iduced surface devices". Presented at the IRE-AIEE Solid State Device Res. Conf. Pittsburg PA, 1960.; A.V.Rzhanov, I.G. Neizvestny. "Germanium MIS structure" Thin Sol. Films. V.58, (1979), p. 37 - 42.; Квон Зе Дон, И.Г. Неизвестный, В.Н. Овсюк, А.В. Ржанов. Германиевый МДП-транзистор. - Микроэлектроника, т. 5, вып. 4, 1976, стр. 363 - 366.; https://vestnik.sibsutis.ru/jour/article/view/629
Availability: https://vestnik.sibsutis.ru/jour/article/view/629
-
3Academic Journal
Authors: I. I. Izhnin, I. I. Syvorotka, A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov
Source: Applied nanoscience. 2020. Vol. 10, № 8. P. 2489-2494
Subject Terms: адмиттанс, 0103 physical sciences, структура металл - диэлектрик - полупроводник, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, МДП-структуры, 0210 nano-technology, одиночные квантовые ямы, 01 natural sciences
File Description: application/pdf
Linked Full TextAccess URL: https://link.springer.com/article/10.1007/s13204-019-01081-7
https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2019ApNan.tmp..181I/abstract
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000794304 -
4Academic Journal
Contributors: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Source: Thin solid films. 2014. Vol. 551. P. 92-97
Subject Terms: 13. Climate action, 0103 physical sciences, кадмиевый теллурид ртути, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, 0210 nano-technology, 01 natural sciences, металл-диэлектрик-полупроводник, структура, фотоэлектрические характеристики HgCdTe
File Description: application/pdf
Linked Full TextAccess URL: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609013018300
http://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2014TSF...551...92V/abstract
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000469727 -
5Academic Journal
Contributors: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Source: Thin solid films. 2012. Vol. 522. P. 261-266
Subject Terms: варизонные слои, 0103 physical sciences, кадмиевый теллурид ртути, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, 0210 nano-technology, 01 natural sciences, металл-диэлектрик-полупроводник, структура
File Description: application/pdf
Linked Full TextAccess URL: http://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2012TSF...522..261V/abstract
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609012010395
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000445880 -
6
Authors: Sinitskaya, Olesya, Shubina, Kseniia, Mokhov, Dmitry, Uvarov, Alexander, Mizerov, Andrey, Nikitina, Ekaterina
Subject Terms: металл-диэлектрик-полупроводник, metal-semiconductor-metal, ультрафиолетовый фотодетектор, металл-полупроводник-металл, SiO2, ultraviolet photodetector, metal-insulator-semiconductor, 7. Clean energy, GaN
-
7Academic Journal
Subject Terms: структуры металл-диэлектрик-полупроводник, поверхностные состояния, термоциклические обработки, скорость поверхностной генерации
File Description: text/html
-
8Academic Journal
Authors: Чайковский, Виктор
File Description: text/html
-
9Academic Journal
Authors: Озаренко, А., Брусенцов, Ю., Королев, А.
File Description: text/html
-
10Academic Journal
Source: Известия Томского политехнического университета
Subject Terms: металл-диэлектрик-полупроводник, расчеты, параметры, программы, полупроводник-диэлектрик, вольт-фарадные характеристики, плотность, МДП-структуры, границы раздела, МДП, метод Термана
File Description: application/pdf
Access URL: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1447
-
11Academic Journal
Source: Известия Томского политехнического университета
Subject Terms: металл-диэлектрик-полупроводник, регулировочные характеристики, нелинейные искажения, метод, последовательные соединения, пассивные аттенюаторы, нелинейные функции, переходы, смешанные соединения, затворы, расчеты, передаточные функции, полевые транзисторы, исследования, МДП-структуры, элементы, барьеры Шоттки, параллельные соединения
File Description: application/pdf
Access URL: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1553
-
12Academic Journal
Authors: Туев, В. И.
Source: Известия Томского политехнического университета
Subject Terms: расчеты, нелинейные искажения, пассивные аттенюаторы, полевые транзисторы, метод, нелинейные функции, передаточные функции, регулировочные характеристики, затворы, переходы, МДП-структуры, металл-диэлектрик-полупроводник, барьеры Шоттки, исследования, параллельные соединения, последовательные соединения, смешанные соединения, элементы
File Description: application/pdf
Relation: Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. 2007. Т. 310, № 1; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1553
Availability: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1553
-
13Academic Journal
Authors: Давыдов, В. Н., Троян, П. Е., Зайцев, Н. Г.
Source: Известия Томского политехнического университета
Subject Terms: программы, расчеты, параметры, МДП-структуры, МДП, металл-диэлектрик-полупроводник, метод Термана, вольт-фарадные характеристики, плотность, границы раздела, полупроводник-диэлектрик
File Description: application/pdf
Relation: Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. 2006. Т. 309, № 8; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1447
Availability: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1447
-
14Academic Journal
Authors: Троян, Павел, Зайцев, Николай
Subject Terms: МЕТОД ЕМКОСТНОГО ДЕЛИТЕЛЯ,МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК (МДП-СТРУКТУРЫ),ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП-СТРУКТУР
File Description: text/html
-
15Academic Journal
Source: Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль.
File Description: text/html
-
16Academic Journal
Source: Вестник Тамбовского государственного технического университета.
Subject Terms: ПОВЕРХНОСТНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКА, СТРУКТУРА ТИПА МЕТАЛЛ ДИЭЛЕКТРИК ПОЛУПРОВОДНИК, ТЕНЗОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ
File Description: text/html
-
17Academic Journal
Source: Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники.
Subject Terms: МЕТОД ЕМКОСТНОГО ДЕЛИТЕЛЯ,МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК (МДП-СТРУКТУРЫ),ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП-СТРУКТУР
File Description: text/html
-
18
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Ижнин, Игорь Иванович, Варавин, Василий Семенович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич (физик), Якушев, Максим Витальевич, Сидоров, Георгий Юрьевич, Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 370
Subject Terms: молекулярно-лучевая эпитаксия, металл-диэлектрик-полупроводник, адмиттанс, экспериментальные исследования, ионная имплантация
File Description: application/pdf
Relation: vtls:000709242; http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000709242
-
19
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Ижнин, Игорь Иванович, Варавин, Василий Семенович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Якушев, Максим Витальевич, Сидоров, Георгий Юрьевич
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 370-
Subject Terms: молекулярно-лучевая эпитаксия, металл-диэлектрик-полупроводник, адмиттанс, экспериментальные исследования, ионная имплантация
File Description: application/pdf
Relation: vtls:000709242; https://openrepository.ru/article?id=460974
Availability: https://openrepository.ru/article?id=460974
-
20
Authors: Гаман, Василий Иванович
Contributors: Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск)
Subject Terms: диссертации, полупроводниковые диоды, диэлектрические диоды, переходные процессы, фотодиоды, рекомбинация носителей заряда в полупроводниках, рекомбинация носителей заряда в диэлектриках, ионизирующие излучения, время жизни носителей заряда, вольтамперные характеристики, магнитные поля, защитные покрытия полупроводниковых диодов, металл-диэлектрик-металл (МДМ), металл-диэлектрик-полупроводник (МДП), металл-полупроводник
File Description: application/pdf
Relation: vtls:000493194; http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000493194
