Влияние процессов генерации и рекомбинации кислородных вакансий и ионов на тепломассоперенос и электрофизические свойства металлооксидного мемристора ; The effect of oxygen ions and vacancies generation and recombination processes on heat and mass transfer and electrophysical properties of metal oxide memristor

Συγγραφείς: Габдулин, Б. Х., Бусыгин, А. Н., Удовиченко, С. Ю., Gabdulin, B. Kh., Busygin, A. N., Udovichenko, S. Yu.

Θεματικοί όροι: перенос заряда в мемристоре, теплоперенос в активном слое мемристора, металлооксидные мемристоры, движение ионов кислорода, вольт-амперная характеристика мемристора, численное моделирование, charge transfer in memristor, heat transfer in memristor active layer, metal oxide memristor, oxygen ion dynamics, current-voltage characteristic, numerical simulation

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Вестник Тюменского государственного университета. Серия: Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика. — 2025. — Т. 11, № 2 (42)

Διαθεσιμότητα: https://elib.utmn.ru/jspui/handle/ru-tsu/38532
https://doi.org/10.21684/2411-7978-2025-11-2-40-52