METHODS OF THE GAUGES BASED ON THE MAGNETOSENSITIVE TRANSISTOR STRUCTURE CHARACTERITIC STABILIZATION

Πηγή: Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 17, № 4 (2020); 23-28
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 17, № 4 (2020); 23-28
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 17, № 4 (2020); 23-28

Θεματικοί όροι: магниточувствительные транзисторные структуры, температурная нестабильность, стабилизация параметров, magnetosensitive transistor structure, temperature instability, parameter stabilization, 7. Clean energy, магніточутливі транзисторні структури, температурна нестабільність, стабілізація параметрів

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://semst.onu.edu.ua/article/view/219308

ВПЛИВ ТЕМПЕРАТУРИ НА ПАРАМЕТРИ МАГНІТОЧУТЛИВИХ ТРАНЗИСТОРНИХ СТРУКТУР

Πηγή: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 17, № 1 (2020); 29-38
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 17, № 1 (2020); 29-38
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 17, № 1 (2020); 29-38

Θεματικοί όροι: магниточувствительные транзисторные структуры, полупроводник, температура, магнитное поле, сенсоры, magnetosensitive transistor structures, semiconductor, temperature, magnetic field, sensors, магніточутливі транзисторні структури, напівпровідник, магнітне поле, сенсори

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://semst.onu.edu.ua/article/view/198924