Влияние физических параметров на ВАХ цилиндрических КНИ КМОП нанотранзисторов с полностью охватывающим затвором: Effects of the Physical Parameters on the I-V Data of Cylindrical Surrounding Gate SOI CMOS Nanotransistor

Source: Труды НИИСИ РАН. 11:15-19

Subject Terms: цилиндрическая рабочая область, вольт-амперные характеристики, нанотранзистор, моделирование, кремний на изоляторе

МЕТОД ДИАГНОСТИКИ РАДИАЦИОННОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ СЛОЕВ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ В КМОП-МИКРОСХЕМАХ НА ОСНОВЕ АНАЛИЗА ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК

Subject Terms: method of diagnostics, Poole-Frenkel effect, термический диоксид кремния, радиационная стойкость, silicon on insulator, метод диагностики, кремний-на-изоляторе, radiation hardness, эффект Пула-Френкеля, thermal silicon dioxide, charge carrier injection, инжекция носителей заряда

Temperature studies of Hall field sensors based on nanosized silicon-on-insulator heterostructures ; Температурные исследования полевых датчиков Холла на основе наноразмерных гетероструктур «кремний на изоляторе»

Authors: K. K. Abgaryan, A. V. Leonov, D. L. Reviznikov, К. К. Абгарян, А. В. Леонов, Д. Л. Ревизников

Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 24, № 4 (2021); 234-241 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 24, № 4 (2021); 234-241 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2021-4

Subject Terms: математическое моделирование, silicon-on-insulator, heterostructure, mathematical modeling, кремний на изоляторе, гетероструктура

File Description: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/486/385; Абгарян К.К., Ревизников Д.Л. Вычислительные алгоритмы в задачах моделирования и оптимизации полупроводниковых гетероструктур. М.: МАКС Пресс; 2016, 120 с.; Абгарян К.К., Ревизников Д.Л. Численное моделирование распределения носителей заряда в наноразмерных полупроводниковых гетероструктурах с учетом поляризационных эффектов. Журнал вычислительной математики и математической физики. 2015; 56(1): 153—164. https://doi.org/10.7868/S004446691601004X; Abgaryan K.K., Mutigullin I.V., Reviznikov D.L. Computational model of 2DEG mobility in the AlGaN/GaN heterostructures. Physica Status Solidi (c). 2015; 12(4-5): 460—465. https://doi.org/10.1002/PSSC.201400200; Abgaryan K.K., Mutigullin I.V., Reviznikov D.L. Theoretical investigation of 2DEG concentration and mobility in the AlGaN/GaN heterostructures with various Al concentrations. Physica Status Solidi (c). 2015; 12(12): 1376—1382. https://doi.org/10.1002/PSSC.201510159; Mordkovich V.N., Abgaryan K.K., Reviznikov D.L., Leonov A.V. Simulation of hall field elements based on nanosized silicon-on-insulator heterostructures. Russian Microelectronics 2021; 50(8): 617—622. https://doi.org/10.1134/S1063739721080059; Мордкович В.Н. Датчики на основе структур «кремний на изоляторе». Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2008; 2(221): 34—44.; Huijsing I.H. Smart Sensor Systems: Why? Where? How? G.C.M. Meiyer, ed. Great Britain: I. Wiley and Sons; 2008. 385 p. https://doi.org/10.1002/9780470866931.CH1; Balakrishnan V., Phan H.-P., Dinh T., Dao D.V., Nguyen N.-T. Sensors for harsh environments. Sensors. 2017; 17(9): 2060—2092. https://doi.org/10.3390/s17092061; Baumgartner A., Ihn T., Ensslin K., Papp G., Peeters F., Maranowski K., Gossard A.C. Classical Hall effect in scanning gate experiments. Physical Review B. 2006. 74: 165426. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.74.165426; Щербачев К.Д., Бублик В.Т., Мордкович В.Н., Пажин Д.М. Особенности образования радиационных дефектов в слое кремния структур «кремний на изоляторе». Физика и техника полупроводников. 2011; 45(6): 754—758.; Громов Д.В., Мордкович В.Н., Пажин Д.М., Скоробогатов П.К. Релаксационные эффекты в полевых датчиках Холла при воздействии импульса ионизирующего облучения. Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2011; 1(226): 19—26.; Королев М.А., Козлов А.В., Петрунина С.С. Особенности функционирования полевого датчика Холла на основе КНИ структур, предназначенного для работы в телекоммуникационных сетях. Труды МФТИ. 2015; 7(3): 91—95.; Королев М.А., Павлюк М.И., Девликанова С.С. Физическая модель полевого датчика Холла на основе КНИ-структуры. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2017; 22(2): 166—170. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2017-22-2-166-170; Popovich R.S. Hall effect devices. 2nd. ed. Bristol; Philadelphia: Institute of Physics; 2004. 419 p.; Леонов А.В., Малых А.А., Мордкович В.Н., Павлюк М.И. Тонкопленочный кремниевый магниточувствительный полевой транзистор холловского типа с расширенным до 350 °С диапазоном рабочих температур. Письма в журнал технической физики. 2016; 42(2): 30—36.; Leonov A.V., Malykh A.A., Mordkovich V.N., Pavlyuk M.I. Field controlled Si hall element with extended operation temperature range from liquid helium temperature up to 650 K. Procedia Engineering. 2015; 120: 1197—1200. https://doi.org/10.1016/J.PROENG.2015.08.786; Stengel F., Noor Mohammad S., Morkoc H. Theoretical investigation of electrical characteristics of AlGaN/GaN modulation doped field-effect transistors. Journal of Applied Physics. 1996; 80(5): 3031—3042. https://doi.org/10.1063/1.363162; Наумова О.В., Зайцева Э.Г., Фомин Б.И., Ильницкий М.А., Попов В.П. Зависимость подвижности электронов в режиме обогащения от их плотности в полностью обедняемых пленках кремний-на-изоляторе. Физика и техника полупроводников. 2015; 49(10): 1360—1365.; https://met.misis.ru/jour/article/view/486

Availability: https://met.misis.ru/jour/article/view/486
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-4-234-241

Investigation of the Optical Properties of Silicon-on-Insulator Microring Resonators Using Optical Backscatter Reflectometry ; Исследование оптических свойств микрокольцевых резонаторов, изготовленных по технологии кремний на изоляторе, методом оптической рефлектометрии обратного рассеяния

Authors: I. A. Ryabcev, A. A. Ershov, D. V. Ryaikkenen, A. P. Burovikhin, R. V. Haponchyk, I. Yu. Tatsenko, A. A. Stashkevich, A. A. Nikitin, A. B. Ustinov, И. А. Рябцев, А. А. Ершов, Д. В. Ряйккенен, А. П. Буровихин, Р. В. Гапончик, И. Ю. Таценко, А. А. Сташкевич, А. А. Никитин, А. Б. Устинов

Contributors: The work was carried out with the support of Ministry of Education and Science of Russian Federation (project no. 075-01438-22-07, grant no. FSEE-2022-0017)., Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации в рамках выполнения государственного задания № 075-01438-22-07 и гранта № FSEE-2022-0017.

Source: Journal of the Russian Universities. Radioelectronics; Том 25, № 6 (2022); 79-89 ; Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника; Том 25, № 6 (2022); 79-89 ; 2658-4794 ; 1993-8985

Subject Terms: кремний на изоляторе, reflectometry, silicon on insulator, рефлектометрия обратного рассеяния

File Description: application/pdf

Relation: https://re.eltech.ru/jour/article/view/697/652; Silicon Nitride in Silicon Photonics / D. J. Blumenthal, R. Heideman, D. Geuzebroek, A. Leinse, C. Roeloffzen // Proc. IEEE. 2018. Vol. 106, № 12. P. 2209–2231. doi:10.1109/JPROC.2018.2861576; Marpaung D., Yao J., Capmany J. Integrated microwave photonics // Nature Photon. 2019. Vol. 13, № 2. P. 80–90. doi:10.1038/s41566-018-0310-5; Xu Q., Lipson M. All-optical logic based on silicon micro-ring resonators // Optics Express. 2007. Vol. 15, № 3. P. 924–929. doi:10.1364/OE.15.000924; All-optical nonlinear switching in GaAs-AlGaAs microring resonators / V. Van, T. A. Ibrahim, K. Ritter, P. P. Absil, F. G. Johnson, R. Grover, J. Goldhar, P. T. Ho // IEEE Photonics Technology Letters. 2002. Vol. 14, № 1. P. 74–76. doi:10.1109/68.974166; Naweed A. Photonic coherence effects from dual-waveguide coupled pair of co-resonant microring resonators // Optics Express. 2015. Vol. 23, № 10. P. 12573–12581. doi:10.1364/OE.23.012573; Compact multi-million Q resonators and 100 MHz passband filter bank in a thick-SOI photonics platform / B. Zhang, K. Al Qubaisi, M. Cherchi, M. Harjanne, Y. Ehrlichman, A. N. Khilo, M. A. Popović // Optics Letters. 2020. Vol. 45, № 11. P. 3005– 3008. doi:10.1364/OL.395203; A continuously tunable sub-gigahertz microwave photonic bandpass filter based on an ultra-high-Q silicon microring resonator / H. Qiu, F. Zhou, J. Qie, Y. Yao, X. Hu, Y. Zhang, X. Xiao, Y. Yu, J. Dong, X. Zhang // J. of Lightwave Technology. 2018. Vol. 36, № 19. P. 4312–4318. doi:10.1109/JLT.2018.2822829; Label-free technologies for quantitative multiparameter biological analysis / A. J. Qavi, A. L. Washburn, J. Y. Byeon, R. C. Bailey // Analytical and bio-analytical chemistry. 2009. Vol. 394, № 1. P. 121–135. doi:10.1007/s00216-009-2637-8; Electro-optic modulation in integrated photonics / G. Sinatkas, T. Christopoulos, O. Tsilipakos, E. E. Kriezis // J. of Applied Physics. 2021. Vol. 130, № 1. P. 010901. doi:10.1063/5.0048712; Silicon microring modulator for 40 Gb/s NRZOOK metro networks in O-band / Z. Xuan, Y. Ma, Y. Liu, R. Ding, Y. Li, N. Ophir, A. Eu-Jin Lim, G.-Q. Lo, P. Magill, K. Bergman, T. Baehr-Jones, M. Hochberg // Optics Express. 2014. Vol. 22, № 23. P. 28284–28291. doi:10.1364/OE.22.028284; Ultrafast nonlinear all-optical processes in silicon-on-insulator waveguides / R. Dekker, N. Usechak, M. Först, A. Driessen // J. of physics D: Applied physics. 2007. Vol. 40, № 14. P. R249. doi:10.1088/0022-3727/40/14/R01; Optical bistable SOI micro-ring resonators for memory applications / A. A. Nikitin, I. A. Ryabcev, A. A. Nikitin, A. V. Kondrashov, A. A. Semenov, D. A. Konkin, A. A. Kokolov, F. I. Sheyerman, L. I. Babak, A. B. Ustinov // Optics Communications. 2022. Vol. 511. P. 127929. doi:10.1016/j.optcom.2022.127929; Carrier-induced optical bistability in the silicon micro-ring resonators under continuous wave pumping / A. A. Nikitin, A. V. Kondrashov, V. V. Vitko, I. A. Ryabcev, G. A. Zaretskaya, N. A. Cheplagin, D. A. Konkin, A. A. Kokolov, L. I. Babak, A. B. Ustinov, B. A. Kalinikos // Optics Communications. 2021. Vol. 480. P. 126456. doi:10.1016/j.optcom.2020.126456; Optical multistability in a cross-coupled double-ring resonator system / S. Zhuang, J. Feng, H. Liu, S. Yuan, Y. Chen, H. Zeng // Optics Communications. 2022. Vol. 507. P. 127637. doi:10.1016/j.optcom.2021.127637; Ultrahigh Q SOI ring resonator with a strip waveguide / B. Mou, Y. Boxia, Q. Yan, W. Yanwei, H. Zhe, Y. Fan, W. Yu // Optics Communications. 2022. Vol. 505. P. 127437. doi:10.1016/j.optcom.2021.127437; Gottesman Y., Rao E. V. K., Rabus D. G. New Methodology to Evaluate the Performance of Ring Resonators Using Optical Low-Coherence Reflectometry // J. of Lightwave Technology. 2004. Vol. 22, № 6. P. 1566–1572. doi:10.1109/JLT.2004.829216; An alternative methodology based on spectral analysis for a direct access to ring resonator parameters / . Gottesman, D. G. Rabus, E. V. K. Rao, B. E. Benkelfat // IEEE Photonics Technology Letters. 2009. Vol. 21, № 19. P. 1399–1401. doi:10.1109/LPT.2009.2025603; Compact and Highly Efficient Grating Couplers Between Optical Fiber and Nanophotonic Waveguides / F. Van Laere, G. Roelkens, M. Ayre, J. Schrauwen, D. Taillaert, D. Van Thourhout, F. Thomas Krauss, R. Baets // J. of Lightwave Technology. 2007. Vol. 25, № 1. P. 151–156.; Taillaert D., Bienstman P., Baets R. Compact efficient broadband grating coupler for silicon-oninsulator waveguides // Optics Letters. 2004. Vol. 29, № 23. P. 2749–2757. doi:10.1364/OL.29.002749; Nonlinear frequency response of the multiresonant ring cavities / A. A. Nikitin, V. V. Vitko, M. A. Cherkasskii, A. B. Ustinov, B. A. Kalinikos // Results in Physics. 2020. Vol. 18. P. 103279. doi:10.1016/j.rinp.2020.103279; Gerhard D. Integrated ring resonators: a Compendium. Germany: Springer, 2021. 490 p.; https://re.eltech.ru/jour/article/view/697

Availability: https://re.eltech.ru/jour/article/view/697
https://doi.org/10.32603/1993-8985-2022-25-6-79-89

Особенности аномальной подвижности в полностью обедненных КНИ транзисторах: Features of anomalous mobility in the fully depleted SOI transistors

Source: Труды НИИСИ РАН. 8:28-34

Subject Terms: поверхностный потенциал, подвижность, структура кремний на изоляторе, surface potential distribution, полностью обедненный полевой транзистор, fully depleted SOI CMOS transistor, silicon on isolator structure, mobility

Charge-coupling effect in a Hall field element based on thin-film SOI-MOS transistor ; Эффект зарядовой связи в полевом элементе Холла на основе тонкопленочного КНИ МОП транзистора

Authors: A. V. Leonov, V. N. Murashev, D. N. Ivanov, V. D. Kirilov, А. В. Леонов, В. Н. Мурашев, Д. Н. Иванов, В. Д. Кирилов

Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 24, № 1 (2021); 57-62 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 24, № 1 (2021); 57-62 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2021-1

Subject Terms: магнитное поле, transistor, Hall field sensor, magnetic field sensor, кремний на изоляторе, полевой датчик Холла, зарядовая связь

File Description: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/432/333; Huijsing J. H. Smart Sensor System: Why? Where? Now? // In: Smart Sensor System. Ed by G. C. M. Meijer. John Wiley & Sons, Ltd, 2008. P. 1—21. DOI:10.1002/9780470866931.ch1; Magnetic field sensor market will be worth $2.9 billion by 2020. URL: https://intelligencecommunitynews.com/magnetic-field-sensor-market-will-be-worth-2-9-billion-by-2020-says-report/; Magnetic Sensors Market Analysis By Technology. 2016. URL: http://www.grandviewresearch.com/industry-analysis/magnetic-sensors-market; Бараночников М. Л. Микромагнитоэлектроника. Т. 1. М.: ДМК Пресс, 2016. 544 с.; Войтович И. Д., Корсунский В. М. Интеллектуальные сенсоры. М.: Изд-во Интуит, Бином. Лаборатория знаний, 2009. 626 с.; Мордкович В. Н. Структуры «кремний на изоляторе» перспективный материал микроэлектроники // Материалы электронной техники. 1998. № 2. С. 4—7.; Colinge J.-P. Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI. Boston: Springer, 2004, 366 p. (pp. 157—159). DOI:10.1007/978-1-4419-9106-5; Naumova O. V., Fomin B. I., Safronov L. N., Nasimov D. A., Ilnitskii M. A., Dudchenko N. V., Devyatova S. F., Zhanaev E. D., Popov V. P., Latyshev A. V., Aseev A. L. Silicon nanowire transistors for electron biosensors // Optoelectron. Instrument. Proc. 2009. V. 54, N 4. P. 287—291. DOI:10.3103/S8756699009040013; Naumova O. V., Fomin B. I., Nasimov D. A., Dudchenko N. V., Devyatova S. F., Zhanaev E. D., Popov V. P., Latyshev A. V., Aseev A. L., Ivanov Yu. D., Archakov A. I. SOI nanowires as sensors for charge detection // Semocond. Sci. Technol. 2010. V. 25, N 5. P. 055004. DOI:10.1088/0268-1242/25/5/055004; Elfström N., Juhasz R., Sychugov I., Engfeldt T., Karlström A. E., Linnros J. Surface charge sensitivity of silicon nanowires: size dependence // Nano Lett. 2007. V. 7. N 9. P. 2608—2612. DOI:10.1021/nl0709017; Lim H. K., Fossum J. G. Threshold voltage of thin-film Silicon-on-insulator (SOI) MOSFET’s // IEEE Transactions on Electron Devices. 1983. V. 30, Iss. 10. P. 1244—1251. DOI:10.1109/T-ED.1983.21282; Celler G. K. Frontiers of silicon-on-insulator // J. Appl. Phys. 2003. V. 93, Iss. 9. P. 4955. DOI:10.1063/1.1558223; Rudenko T., Nazarov A., Kilchytska V., Flandre D., Popov V., Ilnitsky M., Lysenko V. Revision of interface coupling in ultra-thin body silicon-on-insulator MOSFETs // Semicond. Physics, Quant. Electron & Optoelectron. 2013. V. 16, N 3. P. 300—309. URL: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_3_15; Попов В. П., Ильницкий М. А., Наумова О. В., Назаров А. Н. Квантовые поправки для пороговых напряжений полностью обедняемых КНИ-транзисторов с двумя независимыми затворами // Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48, № 10. С. 1348—1353.; Мордкович В. Н., Бараночников М. Л., Леонов А. В., Мокрушин А. Д., Омельяновская Н. М., Пажин Д. М. Полевой датчик холла — новый тип преобразователя магнитного поля // Датчики и системы. 2003. Вып. 7. С. 33—38.; Мокрушин А. Д., Омельяновская Н. М., Леонов А. В., Мордкович В. Н., Пажин Д. М. Радиационные эффекты в КНИ магниточувствительных элементах при различных условиях облучения // В сб.: «Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2000». М.: СПЭЛС, 2000. Т. 3. С. 38—42.; Леонов А. В., Малых А. А., Мордкович В. Н., Павлюк М. И. Многоканальные и многофукциональные датчики физических воздействий с частотным выходом на основе универсального полевого транзисторного чувствительного элемента со структурой «кремний на изоляторе» // Приборы и техника эксперимента. 2018. № 2. С 132—138. DOI:10.7868/S0032816218010329; Наумова О. В., Зайцева Э. Г., Фомин Б. И., Ильницкий М. А., Попов В. П. Зависимость подвижности электронов в режиме обогащения от их плотности в полностью обедняемых пленках кремний-на-изоляторе // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, № 10. C 1360—1365. URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/42306; Popovich R. S. Hall Effect Devices. Bristol (Philadelphia): IOP Publishing Ltd, 2004. 419 p.; Зи С. Физика полупроводниковых приборов. M.: Мир, 1984. Т. 2. 453 с.; https://met.misis.ru/jour/article/view/432

Availability: https://met.misis.ru/jour/article/view/432
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-1-57-62

Simulation of Hall field elements based on nanoscale silicon-on-insulator heterostructures ; Моделирование полевых элементов Холла на основе наноразмерных гетероструктур «кремний на изоляторе»

Authors: V. N. Mordkovich, K. K. Abgaryan, D. L. Reviznikov, A. V. Leonov, В. Н. Мордкович, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, А. В. Леонов

Contributors: This work was supported by the RFBR grant No. 19-08-01191., Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ № 19-08-01191.

Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 23, № 2 (2020); 109-115 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 23, № 2 (2020); 109-115 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2020-2

Subject Terms: математическое моделирование, кремний на изоляторе, гетероструктура

File Description: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/389/316; Мордкович В. Н. Датчики на основе структур «кремний на изоляторе» // Электронная техника. Cер. 2. Полупроводниковые приборы. 2008. Вып. 2. С. 34—44.; Popovich R. S. Hall Effect Devices. Bristol (Philadelphia): IOP Publishing Ltd, 2004. 419 p.; Baranochnikov M. L., Leonov A. V., Mordkovich V. N., Pazhin D. M., Filatov M. M. Some features of magnetometric and sensor devices based on the field effect Hall sensor // Advanced Electromagnetics Symposium. Proceedings. Paris (France), 2012. P. 455—459.; Мордкович В. Н., Бараночников М. Л., Леонов А. В, Мокрушин А. Д., Омельяновская Н. М., Пажин Д. М. Полевой датчик холла — новый тип преобразователя магнитного поля // Датчики и системы. 2003. Вып. 7. С. 33—38.; Королев М. А., Павлюк М. И., Девликанова С. С. Физическая модель полевого датчика Холла на основе КНИ структуры // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2017. № 2. С. 166—170. DOI:10.24151/1561-5405-2017-22-2-166-170; Щербачев К. Д., Бублик В. Т., Мордкович В. Н., Пажин Д. М. Особенности образования радиационных дефектов в слое кремния структур «кремний на изоляторе» // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45, Вып. 6. С. 754—758.; Мордкович В. Н., Пажин Д. М., Громов Д. В., Скоробогатов П. К., Релаксационные эффекты в полевых датчиках Холла при воздействии импульса ионизирующего облучения // Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2011. № 1. С. 19—26.; Королев М. А., Козлов А. В., Петрунина С. С. Особенности функционирования полевого датчика Холла на основе КНИ структур, предназначенного для работы в телекоммуникационных сетях // Труды МФТИ. 2015. Т. 7, № 3. С. 91—95.; Леонов А. В., Малых А. А., Мордкович В. Н., Павлюк М. И. Тонкопленочный кремниевый магниточувствительный полевой транзистор холловского типа с расширенным до 350 °С диапазоном рабочих температур // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42, Вып. 2. С. 30—36. URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/42789; Leonov A. V., Malykh A. A., Mordkovich V. N., Pavlyuk M. I. Field controlled Si Hall element with extended operation temperature range from liquid helium temperature up to 650 K // Proc. Engineering. 2015. V. 120. P. 1197—1200. DOI:10.1016/j.proeng.2015.08.786; Абгарян К. К., Ревизников Д. Л. Вычислительные алгоритмы в задачах моделирования и оптимизации полупроводниковых гетероструктур. М.: МАКС Пресс, 2016. 120 с.; Абгарян К. К., Ревизников Д. Л. Численное моделирование распределения носителей заряда в наноразмерных полупроводниковых гетероструктурах с учетом поляризационных эффектов // Ж. вычисл. матем. и матем. физ. 2016. Т. 56, № 1. С. 155—166. DOI:10.7868/S004446691601004X; Abgaryan K. K., Mutigullin I. V., Reviznikov D. L. Computational model of 2DEG mobility in the AlGaN/GaN heterostructures // Phys. Status Solidi (c). 2015. V. 12, N. 4–5. P. 460—465. DOI:10.1002/pssc.201400200; Abgaryan K. K., Mutigullin I. V., Reviznikov D. L. Theoretical investigation of 2DEG concentration and mobility in the AlGaN/GaN heterostructures with various Al concentrations // Phys. Status Solidi (c). 2015. V. 12, N 12. P. 1376—1382. DOI:10.1002/pssc.201510159; Vasileska D., Goodnick S. M., Goodnick S. Computational Electronics: Semiclassical and Quantum Device Modeling and Simulation, CRC Press, 2010.; Stengel F., Noor Mohammad S., Morkoç H. Theoretical investigation of electrical characteristics of AlGaN/GaN modulation doped field-effect transistors // J. Appl. Phys. 1996. V. 80, Iss. 5. P. 3031—3042. DOI:10.1063/1.363162; Наумова О. В., Зайцева Э. Г., Фомин Б. И., Ильницкий М. А., Попов В. П., Зависимость подвижности электронов в режиме обогащения от их плотности в полностью обедняемых пленках кремний-на-изоляторе // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, Вып. 10. C. 1360—1365. URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/42306; Зи С. Физика полупроводниковых приборов. M.: Мир, 1984. Т. 2. 453 с.; https://met.misis.ru/jour/article/view/389

Availability: https://met.misis.ru/jour/article/view/389
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2020-2-109-115

Сигма-дельта АЦП по технологии КНИ для работы при высоких температурах

Contributors: Исследования выполнены при финансовой поддержке Минобрнауки России в рамках реализации программы Научного центра мирового уровня по направлению «Передовые цифровые технологии» СПбПУ (соглашение № 075-15-2020-934 от 17.11.2020).

Source: Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 63, № 11 (2020); 683-694
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Том 63, № 11 (2020); 683-694

Subject Terms: аналого-цифровой преобразователь, сигма-дельта АЦП, высокая температура, цифро-аналоговый преобразователь, динамическое согласование элементов, кремний-на-изоляторе, интегральная схема, цифровой фильтр, схемы на переключаемых конденсаторах

File Description: application/pdf

Access URL: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347020110035

Современные проблемы микро- и наноэлектроники

Contributors: Сибирский федеральный университет, Институт инженерной физики и радиоэлектроники

Subject Terms: НАНОКОМПОЗИТНЫЕ СТРУКТУРЫ, 621.38.049.77(07), гетероструктуры, технологии микрообработки, микрообработка, полупроводники органические, алмазные пленки, кремниевые низкоразмерные структуры, полупроводниковые материалы, монокристаллы, композиционные материалы, структуры 'кремний на изоляторе', органические полупроводники

Access URL: https://openrepository.ru/article?id=456062

The Monitoring of Structural Quality of Silicon-Sapphire Interface by the Surface Photovoltage Method ; Мониторинг структурного качества границы раздела 'кремний-сапфир' методом поверхностной фотоЭДС

Authors: S. D. Fedotov, S. P. Timoshenkov, E. M. Sokolov, V. N. Statsenko, С. Д. Федотов, С. П. Тимошенков, Е. М. Соколов, В. Н. Стаценко

Source: Journal of the Russian Universities. Radioelectronics; № 5 (2017); 28-35 ; Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника; № 5 (2017); 28-35 ; 2658-4794 ; 1993-8985

Subject Terms: поверхностный потенциал, Gas Phase Epistaxis, Silicon on Sapphire, Silicon on Insulator, Interface, Surface Photo Voltage, Surface Potential, газофазная эпитаксия, кремний на сапфире, кремний на изоляторе, граница раздела, поверхностная фотоЭДС

File Description: application/pdf

Relation: https://re.eltech.ru/jour/article/view/191/198; Celler G. K., Cristoloveanu S. Frontiers of Siliconon-Insulator // J. of Appl. Phys. 2003. Vol. 93. P. 4955-4978.; Heteroepitaxial Silicon Film Growth at 600 °C from an Al-Si Eutectic Melt / P. Chaudhari, H. Shim, B. A. Wacaser, M. C. Reuter, C. Murray, K. B. Reuter, J. Jordan- Sweet, F. M. Ross, S. Guha // Thin Solid Films. 2010. Vol. 518, iss. 19. P. 5368-5371.; Large Thickness-Dependent Improvement of Crystallographic Texture of CVD Silicon Films on r-Sapphire / M. Moyzykh, S. Samoilenkov, V. Amelichev, A. Vasiliev, A. Kaul // J. of Crystal Growth. 2013. Vol. 383. P. 145-150.; Colinge J. P. Thin film SOI technology: the solution for many submicron CMOS problems // IEEE Int. Electron Devices Meeting. Washington: Technical Digest proceedings, 1989. P. 817-820.; Advanced Thin-Film Silicon-on-Sapphire Technology: Microwave Circuit Applications / R. A. Johnson, P. R. de la Houssaye, C. E. Chang, Pin-Fan Chen, M. E. Wood, G. A. Garcia, I. Lagnado, P. M. Asbeck // IEEE Trans Electron Dev. 1998. Vol. 45, iss. 5. P. 1047-1054.; Galchev T., Welch W. C., Najafi K. A New Low-Temperature High-Aspect-Ratio MEMS Process Using Plasma Activated Wafer Bonding // J. Micromech. Microeng. 2011. Vol. 21. P. 1-11.; Cristoloveanu S., Li Sh. Electrical Characterization of Silicon-on-Insulator Materials and Devices // The Springer Int. Ser. in Engineering and Computer Science. Vol. 305. New York: Springer, 1995. 381 р.; Бордовский П. A., Булдыгин А. Ф., Петухов Н. И. Контроль качества структур КНС CBЧ-методом // Микроэлектроника. 2008. Т. 37, № 2. С. 101-110. Статья поступила в редакцию 28 июля 2017 г.; Implant Metrology for SOI Wafers Using а Surface Photovoltage Technique / A. F. Bertuch, W. Smith, K. Steeples, R. Standley, A. Stefanescu, R. Johnson // ECS Trans. 2007. Vol. 6, iss. 4. P. 179-184.; Подшивалов В. Н. Определение диффузионной длины неосновных носителей заряда с использованием цифрового осциллографирования сигнала поверхностной фотоЭДС // Микроэлектроника. 2010. Т. 39, № 1. С. 38-45.; Применение методики поверхностной фотоЭДС для контроля качества кремниевых эпитаксиальных слоев на сапфире / А. Ф. Яремчук, А. В. Старков, А. В. Заикин, А. В. Алексеев, Е. М. Соколов // Изв. вузов. Электроника. 2013. Вып. 103, № 5. С. 14-19.; Козлов Ю. Ф., Зотов В. В. Структуры КНС: технология, свойства, методы контроля, применение. М.: Изд-во МГИЭТ, 2004, 137 с.; Игнатов А. Ю., Постолов В. С., Филимонов А. С. Влияние технологических факторов процесса эпитаксии на физические свойства границы раздела кремний-сапфир // Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии: VI Междунар. конф., Кисловодск-Ставрополь, 17-22 сент. 2006 г. / СевКавГТУ. Ставрополь, 2006. С. 210-213.; Сидоров А. И., Сальников Л. А., Чумак В. Д. Исследование границы раздела кремний-сапфир структур КНС по измерению проводимости четырехзондовым методом с поперечным высоковольтным полем // Электронная техника. Материалы. 1985. Вып. 5 (204). C. 20-22.; Mechanism of H2 Pre-annealing on the Growth of GaN on Sapphire by MOVPE / M. Tsuda, K. Watanabe, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, R. Liu, A. Bell, F. A. Ponce // App. Surface Science, 2003, Vol. 216. P. 585-589.; https://re.eltech.ru/jour/article/view/191

Availability: https://re.eltech.ru/jour/article/view/191

ELECTRICAL PROPERTIES OF FINFET STRUCTURES

Authors: Rudenko, T. E., Kilchytska, V. I., Collaert, N., Jurczak, M., Nazarov, A. N., Lysenko, V. S., Flandre, D.

Source: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 4, № 3 (2007); 13-18
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 4, № 3 (2007); 13-18
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 4, № 3 (2007); 13-18

Subject Terms: металл-окисел-полупроводник (МОП) транзистор, кремний на изоляторе, нано-размерные приборы, FinFET (fin field-effect-transistor), 0103 physical sciences, metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor, semiconductor on insulator (SOI), nano-scale devices, 01 natural sciences, 7. Clean energy, метал-оксид-напівпровідник (МОН) транзистор, кремній на ізоляторі (КНІ), нано-розмірні прилади, 3. Good health

File Description: application/pdf

Access URL: http://semst.onu.edu.ua/article/download/113979/112566
https://dial.uclouvain.be/pr/boreal/object/boreal:133483
http://semst.onu.edu.ua/article/view/113979
http://semst.onu.edu.ua/article/download/113979/112566
http://semst.onu.edu.ua/article/view/113979

SOI photonic circuits for optical communication systems

Authors: Mansoor, Riyadh

Subject Terms: Optical waveguides, фотонные схемы, оптические волноводы, Silicon on insulator, Ring resonator, кремний на изоляторе, Optical modulator, Photonic circuits, оптический модулятор, кольцевой резонатор

Peculiarities of Electronic Structure of Silicon–on–Insulator Structures and Their Interaction with Synchrotron Radiation ; ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОННОГО СТРОЕНИЯ НАНОСЛОЕВ «КРЕМНИЙ–НА–ИЗОЛЯТОРЕ» И ИХ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ С ИЗЛУЧЕНИЕМ НАНОМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА

Authors: V. A. Terekhov, D. N. Nesterov, E. P. Domashevskaya, S. Y. Turishchev, G. N. Kamaev, A. Kh. Antonenko, В. А. Терехов, Д. Н. Нестеров, Э. П. Домашевская, С. Ю. Турищев, Г. Н. Камаев, А. Х. Антоненко

Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 2 (2014); 81-86 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 2 (2014); 81-86 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2014-2

Subject Terms: синхро- тронное излучение, silicon−on−insulator, strained silicon, ultrasoft X−ray spectroscopy, synchrotron radiation, кремний−на−изоляторе, «растянутый» кремний, ультрамягкая рентгеновская спектроскопия

File Description: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/125/118; Суворов, А. Л. Технологии структур кремний−на− изоляторе / А. Л. Суворов, Б. Ю. Богданович, А. Г. Залужный, В. И. Графутин, В. В. Калугин, А. В. Нестерович, Е. П. Прокопьев, С. П. Тимошенков, Ю. А. Чаплыгин. − М. : МИЭТ, 2004. − 408 с.; Lee,J.W.Effectsofburiedoxidestressonthin−filmsilicon− on−insulator metal−oxide−semiconductor field−effect transistor /J. W.Lee,M.H.Nam,J.H.Oh,J.W.Yang,W.C.Lee,H. K. Kim, M. R. Oh,Y.H.Koh//Appl.Phys.Lett.−1998.−V.72,N6.−P. 677— 679.; Бир, Г. Л. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках / Г. Л. Бир, Г. Е. Пикус. − М. : Наука, 1972. − 584 с.; Домашевская, Э. П. Интерференция синхротронного излучения перед краем поглощения кремния в структурах кремний−на−изоляторе / Э. П. Домашевская, В. А. Терехов, С. Ю. Турищев // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. − 2011. − No 2. − С. 42—50.; Kasrai, M. Sampling depth of total electron and fluorescence measurements in Si L− and K−edge absorption spectroscopy / M. Kasrai, W. N. Lennard, R. W. Brunner, G. M. Bancroft, J. A. Bardwell, K. H. Tan // Appl. Surf. Sci. − 1996. − V. 99, N 4. − P. 303—312.; Зимкина, Т. М. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия / Т. М. Зимкина, В. А. Фомичев. − Л. : Изд−во ЛГУ, 1971. − 132 c.; Румш, М. А. К вопросу о применении вторичноэлектронных умножителей для изучения мягких рентгеновских спектров / М. А. Румш, А. П. Лукирский, В. Н. Щемелев // Изв. АН СССР. Сер. Физ. − 1961. − Т. 25, No 8. − C. 1060—1065.; Филатова, Е. О. Спектроскопия зеркального отражения и рассеяния мягкого рентгеновского излучения поверхностями твердых тел: дисс. . д−ра физ.− мат. н. − С.−Пб., 2000. − 374 с.; Chelikowsky,J.Calculatedvalence−banddensitiesofstates and photoemission spectra of diamond and zinc−blende semiconductors / J. Chelikowsky, D. J. Chadi, M. L. Cohen // Phys. Rev. B. − 1973. − V. 8, N 6. − P. 2786—2794.; Chelikowsky, J. R. Electronic structure of silicon / J. R. Chelikowsky, M. L. Cohen // Phys. Rev. B. − 1974. − V 10, N 12. − P. 5095—5107.; Euaruksakul, C. Relationships between strain and band structure in Si(001) and Si(110) nanomembranes / C. Euaruksakul, F. Chen, B. Tanto, C. S. Ritz, D. M. Paskiewicz, F. J. Himpsel, D. E. Savage,ZhengLiu,YuguiYao,FengLiu,M.G.Lagally//Ibid. − 2009. − V. 80. − P. 115323.; Andreeva,M.A.InterferencephenomenaofsynchrotronradiationinTEYspectraforsilicon−on−insulatorstructure/M. A. Andreeva, E. P. Domashevskaya, E. E. Odintsova, V. A. Terekhov, S. Yu. Turishchev // J. Synchrotron Radiation. − 2012. − V. 19, iss. 4. − P. 609—618.; Zheludeva, S. I. The role of film thickness in the realization of X−ray waveguide effects at total reflection / S. I. Zheludeva, M. V. Kovalchuk, N. N. Novikova, A. N. Sosphenov // Adv. X−ray Chem. Anal. Jpn. − 1995. − V. 26s. − P. 181—186.; https://met.misis.ru/jour/article/view/125

Availability: https://met.misis.ru/jour/article/view/125
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-2-81-86

МОДУЛЯЦИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ НАНОРАЗМЕРНЫХ P-I-N КНИ УСТРОЙСТВ

Authors: МАСАЛЬСКИЙ НИКОЛАЙ ВАЛЕРЬЕВИЧ

Subject Terms: КРЕМНИЕВАЯ ФОТОНИКА,ВОЛНОВОДНАЯ ОПТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА,P-I-N ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИЙ МОДУЛЯТОР,СТРУКТУРА "КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ",SILICON PHOTONIC,WAVEGUIDE OPTIC STRUCTURE,P-I-N ELECTROOPTICAL MODULATOR,SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURE

File Description: text/html

Availability: http://cyberleninka.ru/article/n/modulyatsionnye-harakteristiki-nanorazmernyh-p-i-n-kni-ustroystv
http://cyberleninka.ru/article_covers/16416469.png

МОДЕРНИЗАЦИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МАРШРУТА ПРОИЗВОДСТВА КМОП КНС БИС С ЦЕЛЬЮ ПОВЫШЕНИЯ ПРОБИВНОГО НАПРЯЖЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ

Authors: СОЛОВЬЕВ АНДРЕЙ ВЛАДИМИРОВИЧ

Subject Terms: КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ,КРЕМНИЙ НА САПФИРЕ,LDD ОБЛАСТИ,ПРОБИВНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ,ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ(TCAD),SILICON ON INSULATOR,SILICON ON SAPPHIRE,LIGHTLY DOPED DRAIN,SHORTING VOLTAGE,TECHNOLOGY COMPUTER AIDED DESIGN (TCAD)

File Description: text/html

Availability: http://cyberleninka.ru/article/n/modernizatsiya-tehnologicheskogo-marshruta-proizvodstva-kmop-kns-bis-s-tselyu-povysheniya-probivnogo-napryazheniya-tranzistorov
http://cyberleninka.ru/article_covers/16357364.png

МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК НАНОФОТОННОГО ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКОГО МОДУЛЯТОРА НА СТРУКТУРЕ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ»

Authors: Масальский, Николай

Subject Terms: КРЕМНИЕВАЯ ФОТОНИКА,ВОЛНОВОДНАЯ ОПТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА,ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИЙ МОДУЛЯТОР,КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ,SILICON PHOTONIC,WAVEGUIDE OPTICAL STRUCTURE,ELOCTROOPTICAL MODULATOR,SILICON ON INSULATOR (SOI)

File Description: text/html

Availability: http://cyberleninka.ru/article/n/modelirovanie-harakteristik-nanofotonnogo-elektroopticheskogo-modulyatora-na-strukture-kremniy-na-izolyatore
http://cyberleninka.ru/article_covers/15765380.png

РАСЧЕТ ЕМКОСТЕЙ В НАНО-МОП ТРАНЗИСТОРАХ СО СТРУКТУРОЙ КНИ

Authors: Петров, Б., Краснов, А.

Subject Terms: НАНО-МОП ТРАНЗИСТОР, ЕМКОСТЬ, КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ

File Description: text/html

Availability: http://cyberleninka.ru/article/n/raschet-emkostey-v-nano-mop-tranzistorah-so-strukturoy-kni
http://cyberleninka.ru/article_covers/13997395.png

БАЛАНСИРОВКА ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫХ КАСКАДОВ В ПАРАЛЛЕЛЬНЫХ КМОП-АЦП СО СКЛАДЫВАЮЩЕЙСЯ АРХИТЕКТУРОЙ НА КНИ-ПОДЛОЖКАХ

Authors: Рембеза, C., Кононов, В.

Subject Terms: КМОП, АЦП, КНИ (КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ), СМЕЩЕНИЕ, ИНТЕРФЕЙС, SOI (SILICON-ON-INSULATOR)

File Description: text/html

Availability: http://cyberleninka.ru/article/n/balansirovka-differentsialnyh-kaskadov-v-parallelnyh-kmop-atsp-so-skladyvayuscheysya-arhitekturoy-na-kni-podlozhkah
http://cyberleninka.ru/article_covers/14736783.png

Волноводный оптический модулятор на структуре «Кремний на изоляторе»

Authors: Масальский, Николай

Subject Terms: КРЕМНИЕВАЯ ФОТОНИКА, ВОЛНОВОДНЫЙ ОПТИЧЕСКИЙ МОДУЛЯТОР, КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ

File Description: text/html

Availability: http://cyberleninka.ru/article/n/volnovodnyy-opticheskiy-modulyator-na-strukture-kremniy-na-izolyatore
http://cyberleninka.ru/article_covers/14323043.png

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КМОП-МИКРОСХЕМ КОНВЕРТОРНОГО ТИПА С ПОДЛОЖКАМИ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ»

Authors: Рембеза, C., Кононов, В.

Subject Terms: КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ, КМОП, КОНВЕРТОР, ИСТОЧНИК ОПОРНОГО НАПРЯЖЕНИЯ

File Description: text/html

Availability: http://cyberleninka.ru/article/n/tehnologicheskie-osobennosti-izgotovleniya-kmop-mikroshem-konvertornogo-tipa-s-podlozhkami-kremniy-na-izolyatore
http://cyberleninka.ru/article_covers/14006746.png