Сдвиг полос в спектрах комбинационного рассеяния света твердых растворов кремний - германий, обработанных в водородной плазме

Θεματικοί όροι: твердые растворы кремний - германий, спектры комбинационного рассеяния света, водородная плазма, комбинационное рассеяние света

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/69290

ПОЛУПРОВОДНИКОВ ТОНКИЕ ПЛЕНКИЕ В НАНОЭЛЕКТРОНИКЕ

Θεματικοί όροι: тонких пленок, кремний, германий, ширины запрещенной зоны, ионно-плазменного, n-p- гетероструктура

ПОЛУПРОВОДНИКОВ ТОНКИЕ ПЛЕНКИЕ В НАНОЭЛЕКТРОНИКЕ

Θεματικοί όροι: тонких пленок, кремний, германий, ширины запрещенной зоны, ионно-плазменного, n-p- гетероструктура

Сдвиг полос в спектрах комбинационного рассеяния света твердых растворов кремний - германий, обработанных в водородной плазме

Συγγραφείς: Волобуев, Влас Сергеевич, Гиро, Алексей Владимирович

Θεματικοί όροι: твердые растворы кремний - германий, водородная плазма, комбинационное рассеяние света, спектры комбинационного рассеяния света

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://elib.belstu.by/handle/123456789/69290; 535.375.54

Διαθεσιμότητα: https://elib.belstu.by/handle/123456789/69290

IMPACT OF PROTON IRRADIATION ON THE PHYSICAL PROPERTIES OF Si-Ge WHISKERS N

Συγγραφείς: Pavlovska, N. T., Litovchenko, P. G., Druzhinin, A. A., Ostrovskyy, I. P., Khoverko, Yu. M., Karpenko, A. Ya., Tsmots, V. M., Pavlovskyy, Yu. V.

Πηγή: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 7, № 4 (2010); 5-8
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 7, № 4 (2010); 5-8
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 7, № 4 (2010); 5-8

Θεματικοί όροι: whiskers, silicon-germanium, proton irradiation, electroconductivity, magnetoresistance, ниткоподібні кристали, кремній-германій, протонне опромінення, електропровідність, магнітоопір, нитевидные кристаллы, кремний-германий, протонное облучение, электропроводность, магнитосопротивление

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://semst.onu.edu.ua/article/download/116161/113218
http://semst.onu.edu.ua/article/view/116161

Magnetoresistance of Proton Irradiated Si0.97Ge0.03 Whiskers ; МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ НИТЕВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si0,97Ge0,03

Συγγραφείς: N. T. Pavlovskaya, P. G. Litovchenko, Yu. O. Ugrin, Yu. V. Pavlovskiy, I. P. Ostrovskii, K. Rogacki, Н. Т. Павловская, П. Г. Литовченко, Ю. О. Угрин, Ю. В. Павловский, И. П. Островский, К. Рогацкий

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 18, № 1 (2015); 69-74 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 18, № 1 (2015); 69-74 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; undefined

Θεματικοί όροι: нитевидные кристаллы, кремний−германий, протонное облучение, сопротивление, магнитное поле, магнетосопротивление, подвижность, silicon−germanium, proton irradiation, resistance, magnetic field, magnetoresistance, mobility

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/159/151; Гиваргизов, Е.И.Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара / Е. И. Гиваргизов. − М. : Наука, 1977. − 304 с.; Baitsar, R. Mechanical sensors based on Si−Ge whiskers / R. Baitsar, V. Voronin, E. Krasnogenov, N. Bogdanova // Sensors and Actuators. A. − 1992. − V. 30. − Р. 175—181.; Voronin,V. Silicon whiskers for mechanical sensors/ V.Voronin, I. Maryamova, Y. Zaganyach, E. Karetnikova, A. Kutrakov // Sensors and Actuators. A. − 1992. − V. 30. − P. 27—33.; Maryamova, I. Mechanical sensors for cryogenic temperatures / I. J. Maryamova, E. N. Karetnikova, I. D. Gortynskaya, Ju. S Yatzuk / Int. Conf. Actual problems of electronics instrument enginiring (APEIE−92). − Novosibirsk, 1992. − V. 4. − P. 96—99.; Maryamova, I. Low temperature semiconductor mechanical sensors / I. Maryamova, A. Druzhinin, E. Lavitska, I. Hortynska, Y. Yatzuk //Sensors and Actuators. A. − 2000. − V. 85. − P. 153—157.; Baitsar, R.I. Mechanical properties of silicon−germanium alloy whiskers / R. I. Baitsar, I. V. Kurylo, S. S. Varshava, I. P. Ostrovskii // Functional materials. − 2001. − V. 8, N 2. − P. 398—400.; Климовская, А. И. Рентгенометрическое исследование субмикронных нитевидных кристаллов кремния n−типа / А. И. Климовская, И. П. Островский, Р. И. Байцар // Изв. РАН. Сер. физ. − 1993. − Т. 57, No 11. − С. 210—213.; Gule, E. G. Visible light emission from free−standing filament crystals of silicon / E. G. Gule., G. Yu. Rudko, A. I. Klimovskaya, M.Ya.Valakh, I.P.Ostrovskii//Physica status solidi.−1997.−V. 161. − P. 565—571.; Цмоць, В. М. Исследование и моделирование магнитной восприимчивости нитевидных кристаллов Si и Si0,95Ge0,05 / В. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, Н. Т. Павловская, И. П. Островский, Ю. В. Павловский // ФТП. − 2010. − Т. 44, вып. 5. − С. 649—653.; Дружинин, А. А. Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы / А. А. Дружинин, И. И. Марьямова, А. П. Кутраков, Н. С. Лях−Кагуй, В. Т. Маслюк, И. Г. Мегела // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. − 2010. − No 1(85). − C. 26—29.; Дружинин, А. О. Влияние облучения γ−квантами на свойства нитевидных кристаллов Si−Ge / А. О. Дружинин; И. П. Островский, Ю. Н. Ховерко, В. М. Цмоць, Ю. В. Павловский, Н. Т. Павловская, В. Ю. Поварчук // Физика и химия твердого тела. − 2010. − Т. 11, No 1. − С. 89—92.; Агринская, Н.В. Проявление Е2−проводимости в магнио-сопротивлении многодолинных полупроводников / Н. В. Агринская // ФТП. − 1999. − Т. 33, No 2. − С. 161—169.; Киреев, П. С. Физика полупроводников / П. С. Киреев. − М. : Высш. школа, 1975. − 584 с.; Смит, Р. Полупроводники / Р. Смит. − М. : Мир, 1992. − 558 с.; https://met.misis.ru/jour/article/view/159

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/159
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-1-69-74

О взаимосвязи относительной степени пересыщения в газовой фазе и относительного объема равновесной капли катализатора в процессе роста нитевидных кристаллов Ge Хsi 1-х

Πηγή: Вестник Воронежского государственного технического университета.

Θεματικοί όροι: НИТЕВИДНЫЙ КРИСТАЛЛ, КРЕМНИЙ, ГЕРМАНИЙ, КАТАЛИЗАТОР, РОСТ КРИСТАЛЛОВ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://cyberleninka.ru/article/n/o-vzaimosvyazi-otnositelnoy-stepeni-peresyscheniya-v-gazovoy-faze-i-otnositelnogo-obema-ravnovesnoy-kapli-katalizatora-v-protsesse-rosta
http://cyberleninka.ru/article_covers/15150884.png

Нитчасті кристали кремнію-германію як чутливі елементи сенсорів деформації, працездатні в складних умовах експлуатації

Συγγραφείς: Druzinin, A., Ostrovskii, I., Khoverko, Yu., Vuitsyk, A.

Συνεισφορές: ELAKPI

Θεματικοί όροι: кремній-германій, нитевидные кристаллы, whiskers, сенсор, переход металл-диэлектрик, деформация, перехід метал-діелектрик, деформація, strain, кремний-германий, sensor, microcontroller, мікроконтролер, metal-insulator transition, нитчасті кристали, Silicon-germanium, микроконтроллер

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/7246

Рост нитевидных кристаллов кремния, легированных германием

Πηγή: Вестник Воронежского государственного технического университета.

Θεματικοί όροι: НИТЕВИДНЫЙ КРИСТАЛЛ, КРЕМНИЙ, ГЕРМАНИЙ, РОСТ КРИСТАЛЛОВ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://cyberleninka.ru/article/n/rost-nitevidnyh-kristallov-kremniya-legirovannyh-germaniem
http://cyberleninka.ru/article_covers/13978015.png

Перезарядка локализованных состояний в структурах Si/SiGe/Si с квантовыми ямами в зависимости от содержания Ge

Πηγή: Вестник Северо-Восточного федерального университета им. М.К. Аммосова.

Θεματικοί όροι: КРЕМНИЙ, ГЕРМАНИЙ, ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, КВАНТОВЫЕ ЯМЫ, МЕТОД ЗАРЯДОВОЙ СПЕКТРОСКОПИИ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ, ГЛУБОКИЕ УРОВНИ, ДЕФЕКТЫ, НАПРЯЖЕННЫЕ СТРУКТУРЫ, ЛОКАЛИЗОВАННЫЕ СОСТОЯНИЯ, ПЕРЕЗАРЯДКА УРОВНЕЙ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://cyberleninka.ru/article/n/perezaryadka-lokalizovannyh-sostoyaniy-v-strukturah-si-sige-si-s-kvantovymi-yamami-v-zavisimosti-ot-soderzhaniya-ge
http://cyberleninka.ru/article_covers/14105541.png

Нитчасті кристали кремнію-германію як чутливі елементи сенсорів деформації, працездатні в складних умовах експлуатації ; Silicon-germanium wiskers as sensitive elements of strain sensors, operating in harsh conditions ; Нитевидные кристаллы кремния-германия как чувствительные элементы сенсоров деформации, работоспособные в сложных условиях эксплуатации

Συγγραφείς: Дружинін, А.О., Островський, І.П., Ховерко, Ю.М., Вуйцик, А.М., Druzinin, A., Ostrovskii, I., Khoverko, Yu., Vuitsyk, A., Дружинин, А.А., Островский, И.П., Ховерко, Ю.Н.

Πηγή: Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових праць

Θεματικοί όροι: кремній-германій, нитчасті кристали, перехід метал-діелектрик, деформація, сенсор, мікроконтролер, Silicon-germanium, whiskers, metal-insulator transition, strain, sensor, microcontroller, кремний-германий, нитевидные кристаллы, переход металл-диэлектрик, деформация, микроконтроллер, 621.315.592

Περιγραφή αρχείου: С. 126-135; application/pdf

Relation: Нитчасті кристали кремнію-германію як чутливі елементи сенсорів деформації, працездатні в складних умовах експлуатації / Дружинін А.О., Островський І.П., Ховерко Ю.М., Вуйцик А.М. // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2013. – № 54. – С. 126-135. – Бібліогр.: 6 назв.; https://ela.kpi.ua/handle/123456789/7246

Διαθεσιμότητα: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/7246

Туннельная кристаллизация кремния, германия

Additional Titles: Туннельная кристаллизация кремния, германия
Тунельна кристалізація кремнію, германію

Συγγραφείς: Червоный, Иван Федорович; Запорожская государственная инженерная академия пр. Ленина 226, г. Запорожье, Украина, 69006, Швец, Евгений Яковлевич; Запорожская государственная инженерная академия пр. Ленина 226, г. Запорожье, Украина, 69006, Головко, Юрий Викторович; Запорожская государственная инженерная академия пр. Ленина 226, г. Запорожье, Украина, 69006, Егоров, Сергей Геннадиевич; Запорожская государственная инженерная академия пр. Ленина 226, г. Запорожье, Украина, 69006

Πηγή: Вісник Національного технічного університету «ХПІ». Серія: Нові рішення у сучасних технологіях; № 18 (2012): Вісник Національного технічного університету «ХПІ». Серія: Нові рішення у сучасних технологіях; 79-84; Вестник Национального Технического Университета "ХПИ" Серия Новые решения в современных технологиях; № 18 (2012): Вестник Национального технического университета "ХПИ". Серия: Новые решения в современных технологиях; 79-84; Bulletin of the National Technical University «KhPI» Series: New solutions in modern technologies; № 18 (2012): ; 79-84; 2413-4295; 2079-5459

Όροι ευρετηρίου: Silicon; germanium; structure; density; crystallization mechanism, УДК 537.331.33, Кремний; германий; структура; плотность; механизм кристаллизации, Кремній; германій; структура; густина; механізм кристалізації, info:eu-repo/semantics/article, info:eu-repo/semantics/publishedVersion

Σύνδεσμος: http://vestnik2079-5459.khpi.edu.ua/article/view/5048
http://vestnik2079-5459.khpi.edu.ua/article/view/5048/4667
http://vestnik2079-5459.khpi.edu.ua/article/view/5048/4667