Modeling the characteristics of gamma detectors based on silicon p–i–n structures ; Моделирование характеристик гамма-детекторов на основе кремниевых p-i-n-структур

Συγγραφείς: S. A. Legotin, S. Yu. Yurchuk, V. N. Murashev, M. P. Konovalov, K. I. Tapero, A. V. Sidelev, E. P. Sideleva, N. S. Khrushchev, С. А. Леготин, С. Ю. Юрчук, В. Н. Мурашев, М. П. Коновалов, К. И. Таперо, А. В. Сиделев, Е. П. Сиделева, Н. С. Хрущев

Συνεισφορές: The work was carried out within the framework of the project of the Unified Industry Thematic Plan of the State Corporation Rosatom “Development of a fully functional monolithic matrix sensitive element for quantum coordinate detectors of ionizing radiation., Работа выполнена в рамках проекта Единого отраслевого тематического плана Госкорпорации «Росатом» «Разработка полнофункционального монолитного матричного чувствительного элемента для квантовых координатных детекторов ионизирующих излучений.

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 27, № 3 (2024); 232-244 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 27, № 3 (2024); 232-244 ; 2413-6387 ; 1609-3577

Θεματικοί όροι: спектральные зависимости, silicon p–i–n structure, numerical solution of the basic system of equations, spectral dependences, кремниевая p—i—n-структура, численное решение базовой системы уравнений

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/591/480; Голодных Е.В. Обзор детекторов гамма-излучения для контроля положения ствола горизонтальной скважины. Вестник науки Сибири. Серия: Инженерные науки. 2013; (1(7)): 129—138. URL: https://jwt.su/journal/article/view/419?ysclid=m90ew506xh892151363; Сидоренко В.В., Кузнецов Ю.А., Оводенко А.А. Детекторы ионизирующих излучений. Ленинград: Судостроение; 1984. 240 с.; Volkov D.L., Murashev V.N., Legotin S.A., Karmanov D.E., Mukhamedshin R.A., Chubenko A.P. A new position-sensitive silicon pixel detector based on bipolar transistor. Instruments and Experimental Techniques. 2009; 52(5): 655—664. https://doi.org/10.1134/S0020441209050042; Murashev V.N., Legotin S.A., Orlov O.M., Korol'Chenko A.S., Ivshin P.A. A silicon position-sensitive detector of changed particles and radiation on the basis of functionally integrated structures with nano-micron active regions. Instruments and Experimental Techniques. 2010; 53(5): 657—662. https://doi.org/10.1134/S0020441210050076; Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Пер. с англ. М.: Мир; 1984. Кн. 2. 456 с.; МОП СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов. Под ред.: П. Апонетти, Р.В. Даттон, В.Г. Ольдхам. Пер. с англ. М.: Радио и связь; 1988. 496 с.; De Mari A. An accurate numerical steady-state one-dimensional solution of the p-n junction. Solid-State Electronics. 1968; 11(1): 33—58. https://doi.org/10.1016/0038-1101(68)90137-8; Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий приборов и схем. М.: Высш. шк.; 1989. 320 с.; Юрчук С.Ю., Мурашов В.Н. Моделирование полупроводниковых приборов. М.: Издательский Дом НИТУ «МИСиС»; 2001. 99 с.; Варлашов И.Б. Физико-топологическое моделирование полупроводниковых структур. URL: http://www.old.mpei.ru/Exp/getparm_AU.asp?parmvalueid=4000070001971; Марчук Г.И. Методы вычислительной математики. М.: Наука; 1989. 608 с.; Самарский А.А., Гулин А.В. Численные методы математической физики. М.: Научный мир; 2000. 316 с.; Dainty J.C., Shaw R. Image science: Principles, analysis and evaluation of photographic-type imaging processes. London: NY, San-Francisco: Academic Press; 1974. 402 p.; Вологдин Э.Н., ЛысенкоА.П. Интегральное радиационное изменение параметров полупроводниковых материалов. М.: Моск. гос. ин-т электроники и математики; 1999. 94 с.; X-Ray mass attenuation coefficients. NIST Standard Reference Database 126. URL: https://physics.nist.gov/PhysRefData/XrayMassCoef/ElemTab/z14.html; New semiconductor materials. Biology systems. Characteristics and properties. URL: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/; https://met.misis.ru/jour/article/view/591

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/591
https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202405.591

Интегральные кремниевые p–i–n-структуры с высоколегированными p++, n++ областями для модуляции в терагерцовом диапазоне

Συγγραφείς: Гримальский, Владимир Всеволодович, Кошевая, Светлана Владимировна, Текпойотль-Торрес, Маргарита

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Vol. 53 No. 6 (2010); 31-39 ; Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 53 № 6 (2010); 31-39 ; Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка; Том 53 № 6 (2010); 31-39 ; 2307-6011 ; 0021-3470

Θεματικοί όροι: интегральная кремниевая p-i-n-структура, высоколегированная p, n область, инжекция, граничные условия, модуляция, терагерцовый диапазон

Relation: https://radio.kpi.ua/article/view/S002134701006004X

Διαθεσιμότητα: https://radio.kpi.ua/article/view/S002134701006004X
https://doi.org/10.20535/S002134701006004X

Интегральные кремниевые p–i–n-структуры с высоколегированными p++, n++ областями для модуляции в терагерцовом диапазоне

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Том 53, № 6 (2010); 31-39
Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 53, № 6 (2010); 31-39

Θεματικοί όροι: интегральная кремниевая p-i-n-структура, высоколегированная p++, n++ область, инжекция, граничные условия, модуляция, терагерцовый диапазон

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://radio.kpi.ua/article/view/S002134701006004X

Интегральные кремниевые p–i–n-структуры с высоколегированными p++, n++ областями для модуляции в терагерцовом диапазоне

Συγγραφείς: Гримальский, Владимир Всеволодович; Автономный университет штата Морелос, Кошевая, Светлана Владимировна; Автономный университет штата Морелос, Текпойотль-Торрес, Маргарита; Автономный университет штата Морелос

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 53, № 6 (2010); 31-39; Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; 2307-6011; 0021-3470

Όροι ευρετηρίου: интегральная кремниевая p-i-n-структура, высоколегированная p++, n++ область, инжекция, граничные условия, модуляция, терагерцовый диапазон, info:eu-repo/semantics/article, info:eu-repo/semantics/publishedVersion

Σύνδεσμος: http://radio.kpi.ua/article/view/S002134701006004X