INFLUENCE OF SURFACE RECOMBINATION ON PHOTOVOLTAIC CONVERSION PROCESSES IN SILICON PHOTOSENSITIVE STRUCTURES

Πηγή: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 8, № 2 (2011); 32-38
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 8, № 2 (2011); 32-38
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 8, № 2 (2011); 32-38

Θεματικοί όροι: кремниевая фоточувствительная структура, поверхностная рекомбинация, приповерхностный изотипный переход, пассивация, кремнієва фоточутлива структура, поверхнева рекомбінація, приповерхневий ізотипний перехід, пасивація, silicon photosensitive structure, surface recombination, near-surface isotypic junction, passivation

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://semst.onu.edu.ua/article/view/116602