Внутритрубные отложения в испарителях котлов-утилизаторов ПГУ и ступенчатое испарение

Θεματικοί όροι: температурный режим, котёл-утилизатор, разрушение труб, водно-химический режим, отложения, 6. Clean water, скорость отложений, испаритель, 13. Climate action, паровой энергетический котёл, концентрирование примесей, ступенчатое испарение, подшламовая коррозия, степень концентрирования

Определение кремния в трисульфиде димышьяка и прекурсорах атомно-эмиссионным методом с концентрированием примесей в электроде

Συγγραφείς: Lebedeva, R. V., Pimenov, V. G.

Θεματικοί όροι: ARSENIC SULFIDE GLASSES, CONCENTRATION OF THE IMPURITIES, ОПРЕДЕЛЕНИЕ КРЕМНИЯ, СУЛЬФИДНО-МЫШЬЯКОВЫЕ СТЕКЛА, ARSENIC SULFIDES, SULFUR, СУЛЬФИДЫ МЫШЬЯКА, КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ, АТОМНО-ЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОМЕТРИЯ, ATOMIC-EMISSION SPECTROMETRY, СЕРА

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://elar.urfu.ru/handle/10995/42513

Влияние дисперсности фаз пробы на результаты анализа оксидов с концентрированием примесей отгонкой матрицы

Συγγραφείς: Shestakov, V. A., Shelpakova, I. R.

Θεματικοί όροι: ДИСПЕРСНОСТЬ ПРОБЫ, 13. Climate action, HIGH PURITY OXIDES, ХИМИЧЕСКАЯ ОТГОНКА ОСНОВЫ ПРОБЫ, SAMPLE PHASE DISPERSITY, CHEMICAL DISTILLING OFF THE SAMPLE MATRIX, CONCENTRATION OF IMPURITIES, КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ, ВЫСОКОЧИСТЫЕ ОКСИДЫ

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://elar.urfu.ru/handle/10995/42716

Моделирование поведения примесей в оксиде висмута при их концентрировании отгонкой основы пробы

Συγγραφείς: Shestakov, V. A., Shelpakova, I. R., Tsygankova, A. R.

Θεματικοί όροι: CONCENTRATING OF IMPURITIES, ОТГОНКА ОСНОВЫ ПРОБЫ, ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ, DISTILLING OFF THE SAMPLE MATRIX, ОКСИД ВИСМУТА, BISMUTH OXIDE, PHYSICO-CHEMICAL MODELING, КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://elar.urfu.ru/handle/10995/42704

Сравнение аналитических возможностей комбинированных методик анализа высокочистых веществ с возбуждением излучения в дуге постоянного тока и индуктивно связанной плазме

Συγγραφείς: Tsygankova, A. R., Shaverina, A. V., Shelpakova, I. R., Saprykin, A. I.

Θεματικοί όροι: ARC DC, ATOMIC EMISSION SPECTRAL ANALYSIS, ПРЕДЕЛЫ ОБНАРУЖЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ, АТОМНО-ЭМИССИОННЫЙ СПЕКТРАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ, INDUCTIVELY COUPLED PLASMA, CONCENTRATION OF IMPURITIES, THE DETECTION LIMITS OF IMPURITIES, ИНДУКТИВНО СВЯЗАННАЯ ПЛАЗМА, КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ, ДУГА ПОСТОЯННОГО ТОКА

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://elar.urfu.ru/handle/10995/42590

Методика анализа триоксида вольфрама с концентрированием примесей отгонкой основы пробы и физико-химическое моделирование поведения примесей в этом процессе

Συγγραφείς: Shelpakova, I. R., Shestakov, V. A., Tsygankova, A. R., Petrova, N. I.

Θεματικοί όροι: CONCENTRATION OF THE IMPURITIES, ОТГОНКА ОСНОВЫ ПРОБЫ, ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ, ОКСИД ВОЛЬФРАМА, DISTILLING OFF A SAMPLE MATRIX, PHYSICOCHEMICAL MODELING, КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ, TUNGSTEN OXIDE

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://elar.urfu.ru/handle/10995/42763

Некоторые особенности пробоподготовки трихлорсилана и четырёххлористого кремния к атомно-эмиссионному определению примесей

Συγγραφείς: Strunevich, S. K., Vasilyeva, I. E., Proydakova, O. A., Shabanova, E. V., Dzhugashvili, A. A.

Θεματικοί όροι: ЧЕТЫРЁХХЛОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ, TRICHLOROSILANE, ТРИХЛОРСИЛАН, CONCENTRATION OF IMPURITIES VIA MATRIX DISTILLATION, КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ ОТГОНКОЙ ОСНОВЫ, SILICON TETRACHLORIDE

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://elar.urfu.ru/handle/10995/42525

Определение примесного состава кремния (обзор)

Συγγραφείς: Shelpakova, I. R., Shaverina, A. V.

Θεματικοί όροι: LIMIT OF DETECTION, SURVEY ANALYSIS, ПРЕДЕЛЫ ОБНАРУЖЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ, КРЕМНИЙ, МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ АНАЛИЗ, SILICON, CONCENTRATION OF IMPURITIES, КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://elar.urfu.ru/handle/10995/42797

Сравнение аналитических возможностей комбинированных методик анализа высокочистых веществ с возбуждением излучения в дуге постоянного тока и индуктивно связанной плазме ; The comparison of analytical possibilities of combined methods for analysis of high-purity substances by direct current arc and inductivity coupled plasma methods

Συγγραφείς: Цыганкова, А. Р., Шаверина, А. В., Шелпакова, И. Р., Сапрыкин, А. И., Tsygankova, A. R., Shaverina, A. V., Shelpakova, I. R., Saprykin, A. I.

Θεματικοί όροι: ATOMIC EMISSION SPECTRAL ANALYSIS, INDUCTIVELY COUPLED PLASMA, ARC DC, CONCENTRATION OF IMPURITIES, THE DETECTION LIMITS OF IMPURITIES, АТОМНО-ЭМИССИОННЫЙ СПЕКТРАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ, ИНДУКТИВНО СВЯЗАННАЯ ПЛАЗМА, ДУГА ПОСТОЯННОГО ТОКА, КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ, ПРЕДЕЛЫ ОБНАРУЖЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Аналитика и контроль. 2012. № 4; http://elar.urfu.ru/handle/10995/42590

Διαθεσιμότητα: http://elar.urfu.ru/handle/10995/42590

Некоторые особенности пробоподготовки трихлорсилана и четырёххлористого кремния к атомно-эмиссионному определению примесей ; Some specialties of sample preparation of trichlorosilane and silicon tetrachloride for atomic-emission determination of impurities

Συγγραφείς: Струневич, С. К., Васильева, И. Е., Пройдакова, О. А., Шабанова, Е. В., Джугашвили, А. А., Strunevich, S. K., Vasilyeva, I. E., Proydakova, O. A., Shabanova, E. V., Dzhugashvili, A. A.

Θεματικοί όροι: TRICHLOROSILANE, SILICON TETRACHLORIDE, CONCENTRATION OF IMPURITIES VIA MATRIX DISTILLATION, ТРИХЛОРСИЛАН, ЧЕТЫРЁХХЛОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ, КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ ОТГОНКОЙ ОСНОВЫ

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Аналитика и контроль. 2012. № 1; http://elar.urfu.ru/handle/10995/42525

Διαθεσιμότητα: http://elar.urfu.ru/handle/10995/42525

Определение примесного состава кремния (обзор) ; The determination of impurities in silicon (review)

Συγγραφείς: Шелпакова, И. Р., Шаверина, А. В., Shelpakova, I. R., Shaverina, A. V.

Θεματικοί όροι: SILICON, SURVEY ANALYSIS, CONCENTRATION OF IMPURITIES, LIMIT OF DETECTION, КРЕМНИЙ, МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ АНАЛИЗ, КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ, ПРЕДЕЛЫ ОБНАРУЖЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Аналитика и контроль. 2011. № 2; http://elar.urfu.ru/handle/10995/42797

Διαθεσιμότητα: http://elar.urfu.ru/handle/10995/42797

Определение кремния в трисульфиде димышьяка и прекурсорах атомно-эмиссионным методом с концентрированием примесей в электроде ; Atomic-emission determination of silicon in diarsenic trisulfide and their precursors with the concentration of impurities in the electrode

Συγγραφείς: Лебедева, Р. В., Пименов, В. Г., Lebedeva, R. V., Pimenov, V. G.

Θεματικοί όροι: ARSENIC SULFIDES, SULFUR, ARSENIC SULFIDE GLASSES, CONCENTRATION OF THE IMPURITIES, ATOMIC-EMISSION SPECTROMETRY, СУЛЬФИДЫ МЫШЬЯКА, СЕРА, СУЛЬФИДНО-МЫШЬЯКОВЫЕ СТЕКЛА, КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ, ОПРЕДЕЛЕНИЕ КРЕМНИЯ, АТОМНО-ЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОМЕТРИЯ

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Аналитика и контроль. 2011. № 4; http://elar.urfu.ru/handle/10995/42513

Διαθεσιμότητα: http://elar.urfu.ru/handle/10995/42513

Методика анализа триоксида вольфрама с концентрированием примесей отгонкой основы пробы и физико-химическое моделирование поведения примесей в этом процессе ; Analysis procedure of tungsten oxide with concentration of impurities by distilling off the matrix and physicochemical modeling of impurity behavior in this process

Συγγραφείς: Шелпакова, И. Р., Шестаков, В. А., Цыганкова, А. Р., Петрова, Н. И., Shelpakova, I. R., Shestakov, V. A., Tsygankova, A. R., Petrova, N. I.

Θεματικοί όροι: TUNGSTEN OXIDE, CONCENTRATION OF THE IMPURITIES, DISTILLING OFF A SAMPLE MATRIX, PHYSICOCHEMICAL MODELING, ОКСИД ВОЛЬФРАМА, КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ, ОТГОНКА ОСНОВЫ ПРОБЫ, ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Аналитика и контроль. 2010. № 3; http://elar.urfu.ru/handle/10995/42763

Διαθεσιμότητα: http://elar.urfu.ru/handle/10995/42763

Влияние дисперсности фаз пробы на результаты анализа оксидов с концентрированием примесей отгонкой матрицы ; Effect of sample phase dispersity on results of oxide analysis with concentation of impurities by distilling of the matrix

Συγγραφείς: Шестаков, В. А., Шелпакова, И. Р., Shestakov, V. A., Shelpakova, I. R.

Θεματικοί όροι: HIGH PURITY OXIDES, CONCENTRATION OF IMPURITIES, CHEMICAL DISTILLING OFF THE SAMPLE MATRIX, SAMPLE PHASE DISPERSITY, ВЫСОКОЧИСТЫЕ ОКСИДЫ, КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ, ХИМИЧЕСКАЯ ОТГОНКА ОСНОВЫ ПРОБЫ, ДИСПЕРСНОСТЬ ПРОБЫ

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Аналитика и контроль. 2009. № 3; http://elar.urfu.ru/handle/10995/42716

Διαθεσιμότητα: http://elar.urfu.ru/handle/10995/42716

Моделирование поведения примесей в оксиде висмута при их концентрировании отгонкой основы пробы ; Modeling for behavior of impurities in bismuth oxide in the course of their concentrating by chemical distilling off the sample matrix

Συγγραφείς: Шестаков, В. А., Шелпакова, И. Р., Цыганкова, А. Р., Shestakov, V. A., Shelpakova, I. R., Tsygankova, A. R.

Θεματικοί όροι: BISMUTH OXIDE, CONCENTRATING OF IMPURITIES, DISTILLING OFF THE SAMPLE MATRIX, PHYSICO-CHEMICAL MODELING, ОКСИД ВИСМУТА, КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ, ОТГОНКА ОСНОВЫ ПРОБЫ, ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Аналитика и контроль. 2008. № 3/4; http://elar.urfu.ru/handle/10995/42704

Διαθεσιμότητα: http://elar.urfu.ru/handle/10995/42704

Некоторые особенности пробоподготовки трихлорсилана и четырёххлористого кремния к атомно-эмиссионному определению примесей

Συγγραφείς: Струневич, С. К., Васильева, И. Е., Пройдакова, О. А., Шабанова, Е. В., Джугашвили, А. А., Strunevich, S. K., Vasilyeva, I. E., Proydakova, O. A., Shabanova, E. V., Dzhugashvili, A. A.

Όροι ευρετηρίου: TRICHLOROSILANE, SILICON TETRACHLORIDE, CONCENTRATION OF IMPURITIES VIA MATRIX DISTILLATION, ТРИХЛОРСИЛАН, ЧЕТЫРЁХХЛОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ, КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ ОТГОНКОЙ ОСНОВЫ, Article, info:eu-repo/semantics/article, info:eu-repo/semantics/publishedVersion

Σύνδεσμος: http://hdl.handle.net/10995/42525
Аналитика и контроль. 2012. № 1

Сравнение аналитических возможностей комбинированных методик анализа высокочистых веществ с возбуждением излучения в дуге постоянного тока и индуктивно связанной плазме

Συγγραφείς: Цыганкова, А. Р., Шаверина, А. В., Шелпакова, И. Р., Сапрыкин, А. И., Tsygankova, A. R., Shaverina, A. V., Shelpakova, I. R., Saprykin, A. I.

Όροι ευρετηρίου: ATOMIC EMISSION SPECTRAL ANALYSIS, INDUCTIVELY COUPLED PLASMA, ARC DC, CONCENTRATION OF IMPURITIES, THE DETECTION LIMITS OF IMPURITIES, АТОМНО-ЭМИССИОННЫЙ СПЕКТРАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ, ИНДУКТИВНО СВЯЗАННАЯ ПЛАЗМА, ДУГА ПОСТОЯННОГО ТОКА, КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ, ПРЕДЕЛЫ ОБНАРУЖЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ, Article, info:eu-repo/semantics/article, info:eu-repo/semantics/publishedVersion

Σύνδεσμος: http://hdl.handle.net/10995/42590
Аналитика и контроль. 2012. № 4

Методика анализа триоксида вольфрама с концентрированием примесей отгонкой основы пробы и физико-химическое моделирование поведения примесей в этом процессе

Συγγραφείς: Шелпакова, И. Р., Шестаков, В. А., Цыганкова, А. Р., Петрова, Н. И., Shelpakova, I. R., Shestakov, V. A., Tsygankova, A. R., Petrova, N. I.

Όροι ευρετηρίου: TUNGSTEN OXIDE, CONCENTRATION OF THE IMPURITIES, DISTILLING OFF A SAMPLE MATRIX, PHYSICOCHEMICAL MODELING, ОКСИД ВОЛЬФРАМА, КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ, ОТГОНКА ОСНОВЫ ПРОБЫ, ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ, Article, info:eu-repo/semantics/article, info:eu-repo/semantics/publishedVersion

Σύνδεσμος: http://hdl.handle.net/10995/42763
Аналитика и контроль. 2010. № 3

Влияние дисперсности фаз пробы на результаты анализа оксидов с концентрированием примесей отгонкой матрицы

Συγγραφείς: Шестаков, В. А., Шелпакова, И. Р., Shestakov, V. A., Shelpakova, I. R.

Όροι ευρετηρίου: HIGH PURITY OXIDES, CONCENTRATION OF IMPURITIES, CHEMICAL DISTILLING OFF THE SAMPLE MATRIX, SAMPLE PHASE DISPERSITY, ВЫСОКОЧИСТЫЕ ОКСИДЫ, КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ, ХИМИЧЕСКАЯ ОТГОНКА ОСНОВЫ ПРОБЫ, ДИСПЕРСНОСТЬ ПРОБЫ, Article, info:eu-repo/semantics/article, info:eu-repo/semantics/publishedVersion

Σύνδεσμος: http://hdl.handle.net/10995/42716
Аналитика и контроль. 2009. № 3