Εμφανίζονται 1 - 3 Αποτελέσματα από 3 για την αναζήτηση '"конструктивно-технологический параметр"', χρόνος αναζήτησης: 0,45δλ Περιορισμός αποτελεσμάτων
  1. 1
    Academic Journal

    Πηγή: Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physical-technical series; Том 69, № 4 (2024); 329-339 ; Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук; Том 69, № 4 (2024); 329-339 ; 2524-244X ; 1561-8358 ; 10.29235/1561-8358-2024-69-4

    Περιγραφή αρχείου: application/pdf

    Relation: https://vestift.belnauka.by/jour/article/view/868/685; МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов / П. Антонетти [и др.]; под общ. ред. П. Антонетти. – М.: Радио и связь, 1988. – 490 с.; Абрамов, И. И. Лекции по моделированию элементов интегральных схем / И. И. Абрамов. – М.; Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2005. – 152 с.; Зи, С. Физика полупроводниковых приборов: в 2 кн.: пер. с англ. / С. Зи. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Мир, 1984. – Кн. 1. – 456 с.; Маллер, Р. Элементы интегральных схем / Р. Маллер, Т. Кейминс. – М.: Мир, 1989. – 630 с.; Дудар, Н. Л. Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В / Н. Л. Дудар, В. С. Сякерский, Н. Н. Корытко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2009. – № 3. – С. 10–12.; Дудар, Н. Л. Приборно-технологическое моделирование дискретного кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 Вольт / Н. Л. Дудар, В. М. Борздов // Электроника-инфо. – 2011. – № 2. – С. 77–80.; Лагунович, Н. Л. Моделирование влияния типа эпитаксиальной пленки на электрические характеристики высоковольтных кремниевых диодов / Н. Л. Лагунович, А. С. Турцевич, В. М. Борздов, // Вес. Нац. акад. навук Беларусi. Сер. фiз.-тэхн. навук. – 2015. – № 2. – С. 98–102.; Лагунович, Н. Л. Моделирование высоковольтного кремниевого диода, построение зависимостей его плотности тока от температуры / Н. Л. Лагунович // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем: сб. тр. IХ Всерос. науч.-техн. конф., Москва, 5–8 окт., 2020 г.: в 4 вып. – М., 2020. – Вып. 2. – С. 22–28.; Dudar, N. L. The Simulation of PNP-Transistor as an Element of High-Voltage Integrated Circuits by Various Parameters of Epitaxial Film / N. L. Dudar, V. M. Borzdov // 8th Proc. of IEEE East-West Desighn & Test Symposium, St. Petersburg, Russia, September 17–20, 2010. – P. 262–263.; https://vestift.belnauka.by/jour/article/view/868

  2. 2
    Academic Journal
  3. 3
    Academic Journal

    Πηγή: Mechanics and Advanced Technologies, 2021, Vol. 5, No. 1

    Περιγραφή αρχείου: P. 70-78; application/pdf

    Relation: Відновлення несучої здатності склопластикового обплетення авіаційних балонів для зберігання рідин, стиснутих газів та вогнегасних складових / Р. В. Качмар, Г. О. Кривов, Б. С. Карпінос, Д. М. Єрмолін, В. А. Матвієнко, М. М. Кайнов // Mechanics and Advanced Technologies. – 2021. – No. 1. – С. 70-78. – Бібліогр.: 14 назв.; https://ela.kpi.ua/handle/123456789/47361; https://doi.org/10.20535/2521-1943.2021.5.1.219224; orcid:0000-0002-5440-6853; orcid:0000-0001-8643-3787; orcid:0000-0002-8717-6732