Features of formation of microwave GaAs structures on homo and hetero-transitions for the sub-microconnection of the lsic structures

Συγγραφείς: Stepan Novosiadlyi, Volodymyr Gryga, Bogdan Dzundza, Sviatoslav Novosiadlyi, Volodymyr Mandzyuk, Halyna Klym, Omelian Poplavskyi

Πηγή: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 1, № 5 (97) (2019): Applied physics; 13-19
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 1, № 5 (97) (2019): Прикладная физика; 13-19
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 1, № 5 (97) (2019): Прикладна фізика; 13-19

Θεματικοί όροι: комплементарные структуры, эпитаксия, интегральные схемы, буферный слой, магнетронного осаждения, complementary structures, low-temperature epitaxy, integrated circuits, buffer layer, magnetron deposition, 0103 physical sciences, UDC 621.382.621.3.049, 7. Clean energy, 01 natural sciences, комплементарні структури, низькотемпературна епітаксія, інтегральні схеми, буферний шар, магнетронне осадження

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://journals.uran.ua/eejet/article/download/157212/157232
http://journals.uran.ua/eejet/article/download/157212/157232
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/157212
https://www.neliti.com/publications/308032/features-of-formation-of-microwave-gaas-structures-on-homo-and-hetero-transition
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/157212

Development of technology of superconducting multilevel wiring in speed GaAs structures of LSI/VLSI

Συγγραφείς: Novosiadlyi, Stepan, Kotyk, Myhaylo, Dzundza, Bogdan, Gryga, Volodymyr, Novosiadlyi, Sviatoslav, Mandzyuk, Volodymyr

Πηγή: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 1, № 5 (91) (2018): Applied physics; 53-62
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 1, № 5 (91) (2018): Прикладная физика; 53-62
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 1, № 5 (91) (2018): Прикладна фізика; 53-62

Θεματικοί όροι: комплементарные структуры, эпитаксия, интегральные схемы, сверхпроводимость, магнетронное осаждение, 0103 physical sciences, комплементарні структури, епітаксія, інтегральні схеми, карбонові плівки, надпровідність, магнетронне осадження, 0211 other engineering and technologies, complementary structures, epitaxy, integrated circuits, carbon films, superconductivity, magnetron deposition, 02 engineering and technology, UDC 621.382.621.3.049, 01 natural sciences, 7. Clean energy

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://journals.uran.ua/eejet/article/download/123143/119418
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/123143
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/123143

Research into constructive and technological features of epitaxial gallium-arsenide structures formation on silicon substrates

Συγγραφείς: Novosyadlyj, Stepan, Dzundza, Bogdan, Gryga, Volodymyr, Novosyadlyj, Svyatoslav, Kotyk, Mykhailo, Mandzyuk, Volodymyr

Πηγή: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 3, № 5 (87) (2017): Applied physics; 54-61
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 3, № 5 (87) (2017): Прикладная физика; 54-61
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 3, № 5 (87) (2017): Прикладна фізика; 54-61

Θεματικοί όροι: complementary structures, semiconductors, epitaxy, integrated circuits, technological features, комплементарні структури, напівпровідники, епітаксія, інтегральні схеми, технологічні особливості, комплементарные структуры, полупроводники, эпитаксия, интегральные схемы, технологические особенности, 0103 physical sciences, 8. Economic growth, 0211 other engineering and technologies, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, 02 engineering and technology, UDC 621.382.621.3.049, 01 natural sciences, 7. Clean energy

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://journals.uran.ua/eejet/article/download/104563/100833
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/104563
http://journals.uran.ua/eejet/article/download/104563/100833
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/104563

Формування карбонових плівок як підзатворного діелектрика GaAs мікросхем на Si-підкладках

Συγγραφείς: Novosiadlyi, Stepan, Kotyk, Myhaylo, Dzundza, Bogdan, Gryga, Volodymyr, Novosiadlyi, Svyatoslav, Mandzyuk, Volodymyr

Πηγή: Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 5, № 5 (89) (2017): ПРИКЛАДНА ФІЗИКА; 26-34
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 5, № 5 (89) (2017): ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА; 26-34
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 5, № 5 (89) (2017): APPLIED PHYSICS; 26-34

Θεματικοί όροι: комплементарні структури, гетероструктури, епітаксія, інтегральні схеми, технологічні особливості, карбонові плівки, complementary structures, heterostructures, epitaxy, integrated circuits, technological features, carbon films, 0211 other engineering and technologies, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, комплементарные структуры, гетероструктуры, эпитаксия, интегральные схемы, технологические особенности, 02 engineering and technology, UDC 621.382.621.3.049, 7. Clean energy

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/112289

The analysis of the modern multielement photosensors and optoelectronic methods and means on their basis ; Анализ современных многоэлементных фотоприемных устройств и оптико-электронных методов и средств на их основе ; Аналіз сучасних багатоелементних фотоприймальних пристроїв та оптико-електронних методів і засобів на їх основі

Συγγραφείς: Білинський, Й. Й.

Πηγή: Visnyk of Vinnytsia Politechnical Institute; No 5 (2005); 9-15 ; Вестник Винницкого политехнического института; № 5 (2005); 9-15 ; Вісник Вінницького політехнічного інституту; № 5 (2005); 9-15 ; 1997-9274 ; 1997-9266

Θεματικοί όροι: imaging array, pixel, charge-coupled device (ccd), position sensitive device (psd), complementary metal-oxide semiconductor (cmos), фотоматрица, пиксел, прибор с зарядовой связью (пзз), позиционно чувствительный детектор (пчд), комплементарные структуры металл—оксид—полупроводник (кмон), фотоматриця, піксел, прилад із зарядовим зв'язком (пзз), позиційно чутливий детектор (пчд), комплементарні структури метал—оксид—напівпровідник (кмон)

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/217/217; https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/217

Διαθεσιμότητα: https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/217