Study of Optimization Options for Second Generation Solar Cell Materials by Multilevel Modeling ; ИССЛЕДОВАНИЕ ПУТЕЙ ОПТИМИЗАЦИИ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ ВТОРОГО ПОКОЛЕНИЯ МЕТОДОМ МНОГОУРОВНЕВОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ

Authors: D. N. Krasikov, A. A. Knizhnik, A. V. Gavrikov, B. V. Potapkin, Д. Н. Красиков, А. В. Книжник, А. В. Гавриков, Б. В. Потапкин

Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 18, № 1 (2015); 43-47 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 18, № 1 (2015); 43-47 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; undefined

Subject Terms: солнечные элементы, кинетический метод Монте–Карло, первопринципные расчеты, квазихимическая модель дефектов, II–VI полупроводники, дефекты в кристаллах

File Description: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/154/146; Green, M. A. Solar cell efficiency tables (version 42) / M. A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, E. D. Dunlop // ProgressinPhotovoltaicsResearchandApplications.−2013.−V. 21. − P. 827—837.; Perdew,J.P.Generalizedgradientapproximationmadesimple / J. P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof // Phys. Rev. Lett. − 1996. − V. 77, N 18. − P. 3865—3868.; Kohn,W.Self−consistentequationsincludingexchangeand correlation effects / W. Kohn, L. J. Sham // Phys. Rev. A. − 1965. − V. 140, N 4. − P. 1133—1138.; Blöchl, P. E. Projector augmented−wave method / P. E. Blöchl // Phys. Rev. B. − 1994. − V. 50, N 4. − P. 17953—17979.; Kresse, G. Efficient iterative schemes for ab initio total− energy calculations using a plane−wave basis set / G. Kresse, J. Furthmuller // Phys. Rev. B. − 1996. − V. 54. − P. 11169—11186.; Brebrick, R. High temperature thermodynamic data for CdTe(c) / R. Brebrick // J. Phase Equilibria and Diffusion. − 2010. − V. 31, N 3. − P. 260—269.; Krukau,A.V.Influenceoftheexchangescreeningparameter on the performance of screened hybrid functionals / A. V. Krukau, O. A. Vydrov, A. F. Izmaylov, G. E. Scuseria // J. Chemi. Phys. − 2006. − V. 125. − P. 224106.; Grill, R. Point defects and diffusion in cadmium telluride / R. Grill, A. Zappettini // Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. − 2004. − V. 48/49. − P. 209—244.; Krasikov, D. Why shallow defect levels alone do not cause high resistivity in CdTe / D. Krasikov, A. Knizhnik, B. Potapkin, T. Sommerer // Semiconductor Science and Technology. − 2013. − V. 28. − P. 125019.; Franc, J. Galvanomagnetic properties of CdTe below and above the melting point / J. Franc, P. Höschl, R. Grill, L. Turjanska, E. Belas, P. Moravec // J. Electronic Materials. − 2001. − V. 30, N 6. − P. 595—602.; Grill, R. Chemical diffusion in CdTe : Cl / R. Grill, B. Nahlovskyy, E. Belas, M. Bugar, P. Moravec, P. Höschl // Semiconductor Science and Technology. − 2010. − V. 25. − P. 045019.; Popovych,V.D.Theeffectofchlorinedopingconcentration on the quality of CdTe single crystals grown by the modified physical vapor transport method / V. D. Popovych, I. S. Virt, F. F. Sizov, V. V. Tetyorkin,Z.F.Tsybrii(Ivasiv),L.O.Darchuk,O.A.Parfenjuk, M. I. Ilashchuk // J. Cryst. Growth. − 2007. − V. 308. − P. 63—70.; Shin, H.−Y. Temperature−gradient−solution grown CdTe crystals for γ−ray detectors / H.−Y. Shin, C.−Y. Sun // J. Cryst. Growth. − 1998. − V. 186. − P. 67—78.; https://met.misis.ru/jour/article/view/154

Availability: https://met.misis.ru/jour/article/view/154
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-1-43-47