GROWTH OF ALUMINUM NITRIDE THIN FILMS VIA PEALD WITH VARIOUS PLASMA EXPOSITION DURATIONS

Authors: Mikhail Ambartsumov, Alexander Altakhov, Vitaly Tarala, Vladimir Martens, Sergey Lisitsyn

Source: Вестник Северо-Кавказского федерального университета, Vol 0, Iss 2, Pp 7-12 (2022)

Subject Terms: атомно-слоевое осаждение, пленки нитрида алюминия, эллипсометрия, ик-поглощение, рентгеноструктурный анализ, atomic layer deposition, the aluminum nitride film, ellipsometry, ir absorption, x-ray analysis, Economics as a science, HB71-74

File Description: electronic resource

Relation: https://vestnikskfu.elpub.ru/jour/article/view/1000; https://doaj.org/toc/2307-907X

Access URL: https://doaj.org/article/865d528945794516b30a7436d81ca4eb

Local vibrational modes of vacancy-oxygen-related complexes at room temperature ; Локальные колебательные моды вакансионно-кислородных комплексов в кристаллическом кремнии при комнатной температуре

Authors: E. A. Tolkacheva, V. P. Markevich, L. I. Murin, Е. А. Толкачева, В. П. Маркевич, Л. И. Мурин

Source: Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series; Том 56, № 4 (2020); 480–487 ; Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук; Том 56, № 4 (2020); 480–487 ; 2524-2415 ; 1561-2430 ; 10.29235/1561-2430-2020-56-4

Subject Terms: изотопный состав, silicon, infra-red absorption, isotopic shift, isotopic content, кремний, ИК-поглощение, изотопический сдвиг

File Description: application/pdf

Relation: https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/553/459; Oxygen defect processes in silicon and silicon germanium / A. Chroneos [et al.] // Appl. Phys. Rev. – 2015. – Vol. 2. – P. 021306 (1–15). https://doi.org/10.1063/1.4922251; Pajot B., Clerjaud B. Optical absorption of impurities and defects in semiconducting crystal: Defect engineering in Czochralski silicon by electron irradiation at different temperatures / J. L. Lindstrom [et al.] // Nucl. Inst. Methods Phys. Res. B. – 2002. – Vol. 186, № 1/4. – P. 121–125. https://doi.org/10.1016/s0168-583x(01)00871-0; Optical Absorption of Impurities and Defects in Semiconducting Crystal: Electronic Absorption of Deep Centres and Vibrational Spectra. – Berlin; Heidelberg: Springer, 2013. – 463 p.; Thermal double donor annihilation and oxygen precipitation at around 650 °C in Czochralski-grown Si: local vibrational mode studies / L. I. Murin [et al.] // J. Phys.: Condens. Matter. – 2005. – Vol. 17, № 22. – P. S2237–S2246. https://doi. org/10.1088/0953-8984/17/22/011; Коршунов, Ф. П. Радиационная технология изготовления мощных полупроводниковых приборов / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев // Вес. Нац. акад. навук Беларусі. Сер. фіз.-тэхн. навук. – 2008. – № 4. – С. 106–114.; Толкачева, Е. А. Оптические свойства и механизм образования вакансионно-кислородных комплексов V2O2 и V3O2 в облученных кристаллах кремния / Е. А. Толкачева, В. П. Маркевич, Л. И. Мурин // Физика и техника полупроводников. – 2018. – Т. 52, №. 9. – С. 973–979.; Толкачева, Е. А. Влияние изотопного состава природного кремния на локальные колебательные моды вакансионно-кислородных комплексов / Е. А. Толкачева, Л. И. Мурин // Журн. приклад. спектроскопии. – 2013. – Т. 80, № 4. – С. 586–590.; Londos, C. A. IR studies of oxygen-vacancy related defects in irradiated silicon / C. A. Londos, L. G. Fytros, G. J. Georgiou // Defect and Diffusion Forum. – 1999. – Vol. 171/172. – P. 1–32. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/ ddf.171-172.1; Pajot, B. Optical absorption of impurities and defects in semiconducting crystal: I / B. Pajot. – Berlin; Springer: Hydrogen-like centres, 2010. – 470 p.; The trivacancy and trivacancy-oxygen family of defects in silicon / V. P. Markevich [et al.] // Solid State Phenom. – 2014. – Vol. 205/206. – P. 181–190. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.205-206.181; https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/553

Availability: https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/553
https://doi.org/10.29235/1561-2430-2020-56-4-480-487

Структурные, упругие, пьезоэлектрические и оптические свойства Pb2(BO3)X (X: Cl, Br, I, NO3) из первых принципов

Authors: Журавлев, Юрий Николаевич (физик)

Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2024. Т. 67, № 10. С. 47-57

Subject Terms: галогениды боратов свинца, нитрат бората свинца, теория функционала плотности, упругость, пьезоэлектричество, ИК-поглощение, комбинационное рассеяние, нелинейно-оптические свойства

File Description: application/pdf

Relation: koha:001151237; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151237

Availability: https://doi.org/10.17223/00213411/67/10/6
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151237

LOCAL VIBRATIONAL MODES OF THE COMPLEX CONSISTING OF DIVACANCY AND TWO OXYGEN ATOMS IN SILICON ; ЛОКАЛЬНЫЕ КОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ МОДЫ КОМПЛЕКСА ДИВАКАНСИЯ–ДВА АТОМА КИСЛОРОДА В КРЕМНИИ

Authors: E. A. Tolkacheva, L. I. Murin, F. P. Korshunov, Е. А. Толкачева, Л. И. Мурин, Ф. П. Коршунов

Source: Doklady of the National Academy of Sciences of Belarus; Том 60, № 3 (2016); 51-56 ; Доклады Национальной академии наук Беларуси; Том 60, № 3 (2016); 51-56 ; 2524-2431 ; 1561-8323 ; undefined

Subject Terms: ИК поглощение, irradiation, annealing, vacancy-oxygen-related complexes, IR absorption, облучение, отжиг, вакансионно-кислородные комплексы

File Description: application/pdf

Relation: https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/311/314; Бабич, B. М. Кислород в монокристаллах кремния / B. М. Бабич, Н. И. Блецкан, Е. Ф. Венгер. – Киев: Интерпрес ЛТД, 1997. – 240 с.; Oxygen defect processes in silicon and silicon germanium / A. Chroneos [et al.] // Appl. Phys. Rev. – 2015. – Vol. 2. – P. 021306(1–16).; Defect engineering in Czochralski silicon by electron irradiation at different temperatures / J. L. Lindström [et al.] // Nuclear Inst. and Methods in Physics Research B. – 2002. – Vol. 186. – P. 121–125.; Коршунов, Ф. П. Радиационная технология изготовления мощных полупроводниковых приборов / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев // Весці НАН Беларусі. Сер. фіз.-тэхн. навук. – 2008. – № 4. – С. 106–114.; Thermal double donor annihilation and oxygen precipitation at around 650 °C in Czochralski-grown Si: local vibrational mode studies / L. I. Murin [et al.] // J. Phys.: Condensed Matter. – 2005. – Vol. 17, N 22. – P. S2237–S2246.; Pajot, B. Optical absorption of impurities and defects in semiconducting crystal: Electronic absorption of deep centres and vibrational spectra / B. Pajot, B. Clerjaud. – Berlin; Heidelberg: Springer, 2013. – 463 p.; Local vibrational modes of the oxygen trimer in Si / L. I. Murin [et al.] // Physica Status Solidi (c). – 2011. – Vol. 8, N 3. – P. 709–712.; VO n (n ≥ 3) defects in irradiated and heat-treated silicon / L. I. Murin [et al.] // Solid State Phenomena. – 2005. – Vol. 108–109. – P. 267–272.; Divacancy-oxygen and trivacancy-oxygen complexes in silicon: Local Vibrational Mode studies / L. I. Murin [et al.] // Solid State Phenomena. – 2010. – Vol. 156–158. – P. 129–134.; Толкачева, Е. А. Исследование вакансионно-кислородных комплексов в облученных быстрыми электронами и нейтронами кристаллах кремния методом ИК поглощения / Е. А. Толкачева, Л. И. Мурин // Весці НАН Беларусі. Сер. фіз.-мат. навук. – 2014. – № 2. – С. 101–104.; Lee, Y.-H. EPR studies of defects in electron-irradiated silicon: A triplet state of vacancy-oxygen complexes / Y.-H. Lee, J. W. Corbett // Phys. Rev. B. – 1976. – Vol. 13, N 6. – P. 2653–2666.; Lee, Y.-H. Oxygen-vibrational bands in irradiated silicon / Y.-H. Lee, G. C. Corelli, J. W. Corbett // Physics Letters. – 1977. – Vol. 60A, N 2. – P. 55–57.; Ramdas, A. K. Infrared absorption spectra of oxygen-defect complexes in irradiated silicon / A. K. Ramdas, M. G. Rao // Phys. Rev. – 1966. – Vol. 142, N 2. – P. 451–456.; Толкачева, Е. А. Влияние изотопного состава природного кремния на локальные колебательные моды вакансионно-кислородных комплексов / Е. А. Толкачева, Л. И. Мурин // ЖПС. – 2013. – Т. 80, № 4. – С. 582–586.; Annealing of the divacancy-oxygen and vacancy-oxygen complexes in silicon / M. Mikelsen [et al.] // Phys. Rev. B. – 2007. – Vol. 13, N 15. – P. 155202 (1–8).; https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/311; undefined

Availability: https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/311

TRANSFORMATION PECULIARITIES OF OXYGEN-CONTAINING CENTERS IN SILICON UPON ANNEALING IN THE TEMPERATURE RANGE 450–700 ºC: IR ABSORPTION STUDIES ; ОСОБЕННОСТИ ТРАНСФОРМАЦИИ КИСЛОРОДОСОДЕРЖАЩИХ ЦЕНТРОВ В КРЕМНИИ ПРИ ОТЖИГЕ В ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР 450–700 °C: ДАННЫЕ ИК-ПОГЛОЩЕНИЯ

Authors: E. A. Tolkacheva, V. N. Kholad, L. I. Murin, Е. А. Толкачева, О. Н. Холод, Л. И. Мурин

Source: Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series; № 1 (2016); 124-128 ; Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук; № 1 (2016); 124-128 ; 2524-2415 ; 1561-2430 ; undefined

Subject Terms: ИК-поглощение, irradiation, annealing, vacancy-oxygen-related complexes, IR absorption, облучение, отжиг, вакансионно-кислородные комплексы

File Description: application/pdf

Relation: https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/18/19; Shimura, F. Oxygen in Silicon / F. Shimura. – San Diego: Academic Press Inc., 1994.; Бабич, B. М. Кислород в монокристаллах кремния / B. М. Бабич, Н. И. Блецкан, Е. Ф. Венгер. – Киев: Интерпрес ЛТД, 1997.; Vacancy-assisted oxygen precipitation phenomena in Si / R. Falster [et al.] // Solid State Phenomena. – 1997. – Vol. 57/58. – P. 129–136.; Defects in silicon crystals after the high temperature treatment / A. A. Groza [et al.] // Phys. Status Solidi. – 1982. – Vol. A70, N 2. – P. 763–768.; Бабицкий, Ю. М. Влияние облучения нейтронами реактора на генерацию высокотемпературных доноров и преципитацию кислорода в кремнии / Ю. М. Бабицкий, П. М. Гринштейн, М. А. Ильин // Физика и техника полупроводников. – 1985. – Т. 19, № 11. – С. 2070–2072.; Hallberg, T. Enhanced oxygen precipitation in electron irradiated silicon / T. Hallberg, J. L. Lindstrom // J. Appl. Phys. – 1992. – Vol. 72, N 11. – P. 5130–5138.; О влиянии нейтронного облучения на генерацию термодоноров и преципитацию кислорода в кремнии при 650 ºС / В. Б. Неймаш [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 1993. – Т. 27, № 10. – С. 1651–1655.; Thermal double donor annihilation and oxygen precipitation at around 650 °C in Czochralski-grown Si: local vibrational mode studies / L. I. Murin [et al.] // J. Phys.: Condens. Matter. – 2005. – Vol. 17, N 22. – P. S2237–S2246.; Мурин, Л. И. Механизмы формирования и термическая стабильность вакансионно-кислородных нанокластеров в облученных кристаллах Si / Л. И. Мурин // Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25–26 сент. 2008 г. – Минск: БГУ, 2008. – С. 132–136.; Murin, L. I. Oxygen-related nanoclusters formed upon thermal double donor annihilation in silicon / L. I. Murin, E. A. Tolkacheva, B. G. Svensson // Актуальные проблемы физики твердого тела: ФТТ-2009: сб. докл. Междунар. науч. конф., 20–23 окт. 2009 г., Минск: в 3 т. – Минск: А. Н. Вараксин, 2009. – Т. 3. – C. 14–16.; Interlaboratory determination of the calibration factor for the measurement of the interstitial oxygen content of silicon by infrared absorption / A. Baghdadi [et al.] // J. Electrochem. Soc. – 1989. – Vol. 136, N 7. – P. 2015–2024.; Davies, G. Carbon in monocrystalline silicon / G. Davies, R. C. Newman // Handbook on Semiconductors / ed. by S. Mahajan. – Amsterdam, 1994. – Vol. 3. – P. 1557–1635.; Oxygen precipitation in silicon / A. Borghesi [et al.] // J. Appl. Phys. – 1995. – Vol. 77, N 9. – P. 4169–4244.; Murin, L. I. Vacancy-oxygen nanoclusters and enhanced oxygen precipitation in silicon / L. I. Murin, E. A. Tolkacheva // Proc. 2nd Intern. Conf. on Modern Applications of Nanotechnology, Minsk, Belarus, 6–8 May 2015. – Minsk, 2015. – P. P096 (1–4); https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/18; undefined

Availability: https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/18