Showing 1 - 20 results of 28 for search '"дефектоутворення"', query time: 0.60s Refine Results
  1. 1
  2. 2
    Academic Journal

    Source: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 5, № 1 (101) (2019): Engineering technological systems; 49-57
    Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 5, № 1 (101) (2019): Производственно-технологические системы; 49-57
    Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 5, № 1 (101) (2019): Виробничо-технологічні системи; 49-57

    File Description: application/pdf

  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6
  7. 7
  8. 8
  9. 9
  10. 10
    Academic Journal
  11. 11
  12. 12
    Academic Journal

    File Description: application/pdf

    Relation: Чала О. О. Дефектоутворення, як основа Defect Engineering в МЕМС та МОЕМС / О. О. Чала // НТЖ «Технология приборостоения». – Харьков. – 2020. – № 1. – С. 78–81.; http://openarchive.nure.ua/handle/document/12771

  13. 13
  14. 14
  15. 15
  16. 16
    Report

    Contributors: Калюжний, В. Л., Kalljuzhny, Vladimir L., Калюжный, В. Л., Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут», Механіко-машинобудівний інститут, Кафедра механіки пластичності матеріалів та ресурсозберігаючих процесів, ELAKPI

    File Description: application/msword

  17. 17
    Academic Journal

    Contributors: Національний університет “Львівська політехніка”, Lviv Polytechnic National University

    Subject Geographic: Львів

    File Description: 88-96; application/pdf; image/png

    Relation: Вісник Національного університету «Львівська політехніка». Серія: Радіоелектроніка та телекомунікації, 885, 2017; 1. Kharisov B. I., Kharissova O. V. and Mendez U. O. (2013) Radiation Synthesis of Materials and Compounds, Boca Raton – London – New York, SRC Press.; 2. Курносов А. И., Юдин В. В. (1986) Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. – М.: Высшая школа, 1986.; 3. Матковский А. О., Сугак Д. Ю, Убизский С. Б., Шпотюк О. И., Черный Е. А., Вакив Н. М., Мокрицкий В. А. (1996), Воздействие ионизирующих излучений на материалы электронной техники, – Львов: Світ.; 4. Реутов В. Ф., Дмитриев С. Н. (2002). Ионно-трековая нанотехнология. Российский химический журнал, 2002, т. 46, № 5, с. 74–80.; 5. Sugak D., Matkovski A., Durygin A., Suchocki A., Solskii I., Ubizskii S., Kopczynski K., Mierczyk Z (1999) Influence of color centers on optical and lasing properties of the gadolinium gallium garnet single crystals doped with Nd3+ ions. J. Luminescence, vol. 82, no. 1, pp. 9–15.; 6. Ubizskii S, Matkovskii A, Mironova-Ulmane N, Skvortsova V, Suchocki A, Zhydachevskii Ya and Potera P (2000), “Displacement defect formation in complex oxide crystals under irradiation”, J. Luminescence, vol. 177, no. 2, pp. 349–366.; 7. Ubizskii S., Matkovskii A. and Kholyavka R. and Rak M. (1993) Investigation of Radiation-Stimulated Processes in Epitaxial Yttrium-Iron Garnet Films. J. Magn. &Magn. Mat., vol. 125, pp. 110–112.; 8. Ubizskii S., Matkovski A. and Kuzma M. (1996) Irradiation-induced effects in yttrium – iron garnet films. J. Magn.& Magn. Mat., vol. 157/158, pp. 279–280.; 9. Bury O., Ubizski S. and Potera P. (2008) The kinetics of radiation defect accumulation in oxide crystals. Radiation Effects and Defects in Solids, vol. 163, no. 8,pp. 713–727.; 11. Zhydachevskii Ya., Morgun A., Dubinski S., Yan Yu, Glowacki M., Ubizskii S., Chumak V., Berkowski M. and Suchocki A. (2016) Energy response of the TL detectors based on YAlO3: Mn crystals. Radiation Measurments, vol. 90, pp. 262–264.; 12. Камкэ Э. (1976) Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям. – М.: Наука. 13. Prado L, Gomes L., Baldochi S., Morato S. and Vieira Jr. N (1998) Electron-irradiation-induced defects in BaLiF3 crystals. J. Phys.: Condens. Matter, vol. 10, no. 37, pp. 8247–8256.; 2. Kurnosov A. I., Iudin V. V. (1986) Tekhnolohiia proizvodstva poluprovodnikovykh priborov i intehralnykh mikroskhem, M., Vysshaia shkola, 1986.; 3. Matkovskii A. O., Suhak D. Iu, Ubizskii S. B., Shpotiuk O. I., Chernyi E. A., Vakiv N. M., Mokritskii V. A. (1996), Vozdeistvie ioniziruiushchikh izluchenii na materialy elektronnoi tekhniki, Lvov: Svit.; 4. Reutov V. F., Dmitriev S. N. (2002). Ionno-trekovaia nanotekhnolohiia. Rossiiskii khimicheskii zhurnal, 2002, V. 46, No 5, P. 74–80.; 6. Ubizskii S, Matkovskii A, Mironova-Ulmane N, Skvortsova V, Suchocki A, Zhydachevskii Ya and Potera P (2000), "Displacement defect formation in complex oxide crystals under irradiation", J. Luminescence, vol. 177, no. 2, pp. 349–366.; 12. Kamke E. (1976) Spravochnik po obyknovennym differentsialnym uravneniiam, M., Nauka. 13. Prado L, Gomes L., Baldochi S., Morato S. and Vieira Jr. N (1998) Electron-irradiation-induced defects in BaLiF3 crystals. J. Phys., Condens. Matter, vol. 10, no. 37, pp. 8247–8256.; Бурий О. А. Особливості кінетики радіаційного дефектоутворення за умови формування комплексів дефектів / О. А. Бурий, С. Б. Убізський // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». Серія: Радіоелектроніка та телекомунікації. — Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2017. — № 885. — С. 88–96.; https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/43029; Buryy O. The peculiarities of the radiation defects formation kinetics in the case of defect complexes genesis / O. Buryy, S. B. Ubizskii // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". Serie: Radioelektronika ta telekomunikatsii. — Lviv : Vydavnytstvo Lvivskoi politekhniky, 2017. — No 885. — P. 88–96.

  18. 18
  19. 19
  20. 20
    Report

    Contributors: Калюжний, В. Л., Kalljuzhny, Vladimir L., Калюжный, В. Л., Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут», Механіко-машинобудівний інститут, Кафедра механіки пластичності матеріалів та ресурсозберігаючих процесів

    File Description: 8 с.; application/msword

    Relation: 2446-п; 0111U001581; https://ela.kpi.ua/handle/123456789/20159