Investigation of geometric parameters of silicon structures in device layer during manufacture of sensitive elements of micromechanical accelerometers

Συγγραφείς: N. S. Karanin

Πηγή: Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики, Vol 25, Iss 2, Pp 236-242 (2025)

Θεματικοί όροι: глубокое реактивно-ионное травление, bosch-процесс, приборный слой, инерциальный чувствительный элемент, микромеханический акселерометр, Information technology, T58.5-58.64

Περιγραφή αρχείου: electronic resource

Relation: https://ntv.elpub.ru/jour/article/view/443; https://doaj.org/toc/2226-1494; https://doaj.org/toc/2500-0373

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/758e91faa6114b85910e014894d4bdb7