Influence of CdхHg1-хTe epitaxial layers defects on photo-electric parameters of matrix detector devices ; ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ CdхHg1-хTe НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ МАТРИЧНЫХ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ

Συγγραφείς: V. V. Arbenina, A. S. Kashuba, Е. V. Permikina, В. В. Арбенина, А. С. Кашуба, Е. В. Пермикина

Πηγή: Fine Chemical Technologies; Vol 8, No 6 (2013); 82-87 ; Тонкие химические технологии; Vol 8, No 6 (2013); 82-87 ; 2686-7575 ; 2410-6593

Θεματικοί όροι: высокоразрешающая электронная микроскопия, матричные фоточувст-вительные элементы (МФЧЭ), гетероэпитаксиальные слои (ГЭС), твердые растворы Cd х Hg 1-х Te (КРТ), вольтамперная характеристика (ВАХ), V-дефекты

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://www.finechem-mirea.ru/jour/article/view/517/563; Любченко А.В., Сальков Е.А., Сизов Ф.Ф. Физические основы полупроводниковой инфра-красной фотоэлектроники. – Киев: Наукова думка, 1984. С. 94–127.; Филачёв А.М., Таубкин И.И., Тришенков М.А. Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды. – М.: Физматкнига, 2011. С. 5–135.; Филиппов С.Н., Болтарь К.О. Исследование механизмов переноса заряда в фотодиодах на основе эпитаксиальных слоев CdHgTe // Труды МФТИ. 2010. Т. 2. № 1(5). С. 54–65.; Болтарь К.О., Яковлева Н.И. Моделирование вольт-амперных характеристик фотодиодов из КРТ // Прикладная физика. 2004. № 3. С. 82–88.; Permikina E.V., Kashuba A.S., Arbenina V.V. Defects in CdxHg1-xTe-based heterostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs-substrates (310) // Inorgan. Materials. 2012. V. 48. № 7. Р. 665–670.; Sabinina I.V., Gutakovsky A.K,. Sidorov Yu.G, Latyshev A.V. Nature of V-shaped defects in HgCdTe epilayers grown by molecular beam epitaxy // J. Crystal Growth. 2005. № 274. Р. 339–346.

Διαθεσιμότητα: https://www.finechem-mirea.ru/jour/article/view/517