Ion Implantation in Narrow-Gap CdxHg1–xTe Solid Solutions

Συγγραφείς: Talipov, Niyaz Kh., Voytsekhovskiy, Alexander V.

Πηγή: Russian physics journal. 2018. Vol. 61, № 6. P. 1005-1023

Θεματικοί όροι: ионная имплантация, фотодиоды, гетероэпитаксиальные слои, 0103 physical sciences, радиационные дефекты, 01 natural sciences, варизонные структуры, узкозонные твердые растворы

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://link.springer.com/article/10.1007/s11182-018-1490-7
http://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2018RuPhJ..61.1005T/abstract
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000789738

Определение электрофизических свойств МДП на основе nB(SL)n-структуры из HgCdTe в широком температурном диапазоне ; Determination of the electrical properties of MIS based on the nB(SL)n-structure of HgCdTe in a wide temperature range

Συγγραφείς: Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич (физик), Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич

Πηγή: Прикладная физика. 2023. № 5. С. 75-83

Θεματικοί όροι: сверхрешетки, гетероэпитаксиальные слои, nBn-структура, МДП-структура, адмитанс

Relation: koha:001139307; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001139307

Διαθεσιμότητα: https://doi.org/10.51368/1996-0948-2023-5-75-83
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001139307

Influence of CdхHg1-хTe epitaxial layers defects on photo-electric parameters of matrix detector devices ; ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ CdхHg1-хTe НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ МАТРИЧНЫХ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ

Συγγραφείς: V. V. Arbenina, A. S. Kashuba, Е. V. Permikina, В. В. Арбенина, А. С. Кашуба, Е. В. Пермикина

Πηγή: Fine Chemical Technologies; Vol 8, No 6 (2013); 82-87 ; Тонкие химические технологии; Vol 8, No 6 (2013); 82-87 ; 2686-7575 ; 2410-6593

Θεματικοί όροι: высокоразрешающая электронная микроскопия, матричные фоточувст-вительные элементы (МФЧЭ), гетероэпитаксиальные слои (ГЭС), твердые растворы Cd х Hg 1-х Te (КРТ), вольтамперная характеристика (ВАХ), V-дефекты

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://www.finechem-mirea.ru/jour/article/view/517/563; Любченко А.В., Сальков Е.А., Сизов Ф.Ф. Физические основы полупроводниковой инфра-красной фотоэлектроники. – Киев: Наукова думка, 1984. С. 94–127.; Филачёв А.М., Таубкин И.И., Тришенков М.А. Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды. – М.: Физматкнига, 2011. С. 5–135.; Филиппов С.Н., Болтарь К.О. Исследование механизмов переноса заряда в фотодиодах на основе эпитаксиальных слоев CdHgTe // Труды МФТИ. 2010. Т. 2. № 1(5). С. 54–65.; Болтарь К.О., Яковлева Н.И. Моделирование вольт-амперных характеристик фотодиодов из КРТ // Прикладная физика. 2004. № 3. С. 82–88.; Permikina E.V., Kashuba A.S., Arbenina V.V. Defects in CdxHg1-xTe-based heterostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs-substrates (310) // Inorgan. Materials. 2012. V. 48. № 7. Р. 665–670.; Sabinina I.V., Gutakovsky A.K,. Sidorov Yu.G, Latyshev A.V. Nature of V-shaped defects in HgCdTe epilayers grown by molecular beam epitaxy // J. Crystal Growth. 2005. № 274. Р. 339–346.

Διαθεσιμότητα: https://www.finechem-mirea.ru/jour/article/view/517

Модельные представления формирования глубоких конвертированных слоев в р-CdxHg1-xTe при ионной имплантации

Συνεισφορές: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 267-270

Θεματικοί όροι: ионная имплантация, теллурид кадмия ртути, гетероэпитаксиальные слои

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000522382

Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией

Συνεισφορές: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники

Πηγή: Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, вып. 3. С. 379-384

Θεματικοί όροι: теллурид кадмия ртути, гетероэпитаксиальные слои, молекулярно-лучевая эпитаксия, фотолюминесценция

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000500764

Влияние состава варизонного слоя на формирование n+–n−–p-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe

Συνεισφορές: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 3. С. 54-67

Θεματικοί όροι: ионная имплантация, теллурид кадмия ртути, фотодиоды, гетероэпитаксиальные слои, радиационные дефекты, молекулярно-лучевая эпитаксия, варизонные структуры

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000477749

Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdXHg1–XTe

Συνεισφορές: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 5. С. 104-109

Θεματικοί όροι: ионная имплантация, теллурид кадмия ртути, фотодиоды, гетероэпитаксиальные слои, молекулярно-лучевая эпитаксия

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000460651

Низкотемпературная активация ионно-имплантированных атомов бора и азота в гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe

Συνεισφορές: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 36-49

Θεματικοί όροι: ионная имплантация, теллурид кадмия ртути, гетероэпитаксиальные слои, радиационные дефекты, электрическая активация, спектры подвижности

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000465730

Исследование воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на свойства поверхности гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe

Συνεισφορές: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8. С. 29-36

Θεματικοί όροι: лазерное облучение, гетероэпитаксиальные слои, кадмиевый теллурид ртути, радиационные дефекты, ИК-излучение

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000464055

Ионная имплантация в узкозонные твердые растворы CdxHg1–xTe

Συγγραφείς: Талипов, Нияз Хатимович, Войцеховский, Александр Васильевич

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 6. С. 3-20

Θεματικοί όροι: гетероэпитаксиальные слои, варизонные структуры, радиационные дефекты, ионная имплантация, фотодиоды

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: koha:001148155; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148155

Διαθεσιμότητα: https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148155

Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией

Συγγραφείς: Мынбаев, Карим Джафарович, Баженов, Николай Леонидович, Ижнин, Александр Иванович, Ижнин, Игорь Иванович, Михайлов, Николай Николаевич (физик), Варавин, Василий Семенович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Шиляев, Артур Владимирович

Συνεισφορές: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники

Πηγή: Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, вып. 3. С. 379-384

Θεματικοί όροι: теллурид кадмия ртути, молекулярно-лучевая эпитаксия, гетероэпитаксиальные слои, фотолюминесценция

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: vtls:000500764; http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000500764

Διαθεσιμότητα: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000500764

Модельные представления формирования глубоких конвертированных слоев в р-CdxHg1-xTe при ионной имплантации

Συγγραφείς: Войцеховский, Александр Васильевич, Талипов, Нияз Хатимович

Συνεισφορές: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 267-270

Θεματικοί όροι: теллурид кадмия ртути, гетероэпитаксиальные слои, ионная имплантация

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: vtls:000522382; http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000522382

Διαθεσιμότητα: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000522382

Влияние состава варизонного слоя на формирование n+–n−–p-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe

Συγγραφείς: Талипов, Нияз Хатимович, Войцеховский, Александр Васильевич, Григорьев, Денис Валерьевич

Συνεισφορές: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 3. С. 54-67

Θεματικοί όροι: молекулярно-лучевая эпитаксия, теллурид кадмия ртути, гетероэпитаксиальные слои, варизонные структуры, радиационные дефекты, ионная имплантация, фотодиоды

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: vtls:000477749; http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000477749

Διαθεσιμότητα: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000477749

Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdXHg1–XTe

Συγγραφείς: Войцеховский, Александр Васильевич, Никитин, Михаил Степанович, Талипов, Нияз Хатимович

Συνεισφορές: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 5. С. 104-109

Θεματικοί όροι: гетероэпитаксиальные слои, теллурид кадмия ртути, молекулярно-лучевая эпитаксия, фотодиоды, ионная имплантация

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: vtls:000460651; http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000460651

Διαθεσιμότητα: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000460651

Низкотемпературная активация ионно-имплантированных атомов бора и азота в гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe

Συγγραφείς: Войцеховский, Александр Васильевич, Талипов, Нияз Хатимович

Συνεισφορές: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 36-49

Θεματικοί όροι: гетероэпитаксиальные слои, теллурид кадмия ртути, радиационные дефекты, электрическая активация, ионная имплантация, спектры подвижности

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: vtls:000465730; http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000465730

Διαθεσιμότητα: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000465730

Исследование воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на свойства поверхности гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe

Συγγραφείς: Бурлаков, Игорь Дмитриевич, Войцеховский, Александр Васильевич, Сизов, Александр Леонидович, Средин, Виктор Геннадиевич, Талипов, Нияз Хатимович, Шульга, Сергей Анатольевич, Болтарь, Константин Олегович

Συνεισφορές: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8. С. 29-36

Θεματικοί όροι: гетероэпитаксиальные слои, кадмиевый теллурид ртути, радиационные дефекты, лазерное облучение, ИК-излучение

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: vtls:000464055; http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000464055

Διαθεσιμότητα: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000464055

Влияние воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на электрофизические свойства гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1–xТе

Συγγραφείς: Талипов, Нияз Хатимович

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 12. С. 3-14

Θεματικοί όροι: гетероэпитаксиальные слои, радиационные дефекты, лазерное облучение, ионная имплантация

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: koha:001140073; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140073

Διαθεσιμότητα: https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140073

Об особенностях эффекта Холла в МЛЭ и ЖФЭ гетероэпитаксиальных структурах n-CdxHg1-xTe в импульсном магнитном поле до 55 Тл ; About features of Hall effect in the n-CdxHg1-xTe MBE and LPE heteroepitaxial structures in the pulse magnetic field up to 55 T

Συγγραφείς: Талипов, Нияз Хатимович, Войцеховский, Александр Васильевич, Никитин, Михаил Степанович

Πηγή: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 1 : Пленарные и устные доклады. С. 239-241

Θεματικοί όροι: Холла эффект, гетероэпитаксиальные слои, молекулярно-лучевая эпитаксия, жидкофазная эпитаксия, импульсные магнитные поля

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: vtls:000658539; http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000658539

Διαθεσιμότητα: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000658539

Оптимизация технологии формирования многоэлементных матричных ИК-фотоприемников на основе МЛЭ слоев CdxHg1-xТе

Συγγραφείς: Талипов, Нияз Хатимович, Войцеховский, Александр Васильевич

Συνεισφορές: Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники

Πηγή: Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2015. С. 139

Θεματικοί όροι: теллурид кадмия ртути, гетероэпитаксиальные слои, травление ионно-лучевое, ионная имплантация, матричные фотоприемники

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: vtls:000520432; http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000520432

Διαθεσιμότητα: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000520432

Свойства гетероэпитаксиальных слоев германия и арсенида галлия и гетеропереходов на их основе : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.

Συγγραφείς: Захаров, Иван Сафонович, Лаврентьева, Людмила Германовна (научный руководитель)

Συνεισφορές: Томский государственный университет

Θεματικοί όροι: диссертации, гетероэпитаксиальные слои германия, гетероэпитаксиальные слои арсенида галлия, гетеропереходы полупроводниковые, полупроводниковые материалы, получение гетеропереходов, массоперенос, рост пленок, легирование эпитаксиальных слоев, поверхности гетероэпитаксиальных слоев, гетеропереходы резкие, электрические свойства гетероструктур, фотоэлектрические свойства гетероструктур, спектральные характеристики гетеропереходов, гетеропереходы разнотипные, гетеропереходы изотипные

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: vtls:000492864; http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000492864

Διαθεσιμότητα: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000492864