Структуры для фотокатализа на основе ZnO с наночастицами Ag

Source: Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 27, Iss 2 (2025)

Subject Terms: гетеропереход, экология, Chemistry, наночастицы серебра, фотокатализ, оксид цинка, QD1-999

Access URL: https://doaj.org/article/e5306f5c5a874320a7263e0a9f08f540

Deep-level transient spectroscopy of solar cells based on HJT architecture under influence of electron irradiation

Authors: Mikhaylov, Oleg, Baranov, Artem, Gudovskik, Alexander, Terukov, Evgeny

Subject Terms: гетеропереход, heterojunction, irradiation, дефекты, solar cells, солнечные элементы, космическое излучение, 7. Clean energy, defects

Study of photoconvertion heterojunction n-GaP/p-Si obtained by PE-ALD

Authors: Kiianitsyn, Sergey, Gudovskikh, Alexander, Uvarov, Alexander, Maksimova, Alina, Vyacheslavova, Ekaterina, Baranov, Artem

Subject Terms: solar cell, admittance spectroscopy, солнечный элемент, atomic-layer deposition, GaP/Si гетеропереход, атомно-слоевое осаждение, 7. Clean energy, спектроскопия полной проводимости, GaP/Si heterojunction

The barriers for electron and hole injection from Si substrate into the RF magnetron-deposited In2O3 : Er films ; Барьеры для инжекции электронов и дырок из подложки кремния в ВЧ-магнетронно напыленные пленки In2O3 : Er

Authors: K. V. Feklistov, A. G. Lemzyakov, A. A. Shklyaev, D. Yu. Protasov, A. S. Deryabin, E. V. Spesivsev, D. V. Gulyaev, A. M. Pugachev, D. G. Esaev, К. В. Феклистов, А. Г. Лемзяков, А. А. Шкляев, Д. Ю. Протасов, А. С. Дерябин, Е. В. Спесивцев, Д. В. Гуляев, А. М. Пугачев, Д. Г. Есаев

Contributors: Optical measurements were conducted under State Assignment FWGW-2022-00005. The work was financially supported by the FSI (Grant 4235GS1/70543 as of 27.10.2021) and by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (Project No. 075-15-2020-797 (13.1902.21.0024)). Electrical measurements were carried out on facilities of the VTAN Joint Use Center of the Novosibirsk State University. Part of optical measurements were conducted on equipment of the Joint Use Center for High-Resolution Spectroscopy of Gases and Condensed Media of the Institute of Automation and Electrometry, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences. Films were deposited at the Siberian Center for Synchrotron and Terahertz Radiation Joint Use Center on the VEPP-4 – VEPP-2000 Complex Unique Research Installation of the Institute of Nuclear Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences. The sputtering target was manufactured by Phildal Holding Co., Ltd., China. The Authors are grateful to E.D. Zhanaev and N.V. Dudchenko for chemical and thermal treatment of the specimens., Оптические измерения выполнены в рамках гос. задания FWGW-2022-00005. Работа выполнена при финансовой поддержке ФСИ (грант 4235ГС1/70543 от 27.10.2021), а также при поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации (проект № 075-15-2020-797 (13.1902.21.0024)). Электрические измерения выполнены с использованием оборудования ЦКП «ВТАН» НГУ. Оптические измерения были частично выполнены на оборудовании ЦКП «Высокоразрешающая спектроскопия газов и конденсированных сред» ИАиЭ СО РАН. Напыление пленок выполнено в ЦКП «СЦСТИ» на базе УНУ «Комплекс ВЭПП-4 – ВЭПП-2000» в ИЯФ СО РАН. Мишень для напыления была изготовлена Phildal Holding Co., Ltd., Китай. Авторы благодарят Э.Д. Жанаева и Н.В. Дудченко за химическую обработку и термообработку образцов.

Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 26, № 3 (2023); 234-247 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 26, № 3 (2023); 234-247 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2023-3

Subject Terms: дырки, indium oxide, erbium, thin films, heterojunction, band structure, band discontinuity, barrier, injection, thermoemission, electrons, holes, оксид индия, эрбий, тонкие пленки, гетеропереход, зонная структура, разрыв зон, барьер, инжекция, термоэмиссия, электроны

File Description: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/529/441; Sun C., Wade M., Lee Y., Orcutt J.S., Alloatti L., Georgas M.S., Waterman A.S., Shainline J.M., Avizienis R.R., Lin S., Moss B.R., Kumar R., Pavanello F., Atabaki A.H., Cook H.M., Ou A.J., Leu J.C., Chen Y.-H., Asanović K., Ram R.J., Popović M.A., Stojanović V.M. Single-chip microprocessor that communicates directly using light. Nature. 2015; 528: 534—538. https://doi.org/10.1038/nature16454; Atabaki A.H., Moazeni S., Pavanello F., Gevorgyan H., Notaros J., Alloatti L., Wade M.T., Sun Ch., Kruger S.A., Al Qubaisi H.M.K., Wang I., Zhang B., Khilo A., Baiocco Ch.V., Popović M.A., Stojanović V.M., Rajeev J. Ram integrating photonics with silicon nanoelectronics for the next generation of systems on a chip. Nature. 2018; 556, 349—354. https://doi.org/10.1038/s41586-018-0028-z; Cornet Ch., Léger Y., Robert C. Integrated lasers on silicon. Elsevier Ltd.; 2016. 178 p. https://doi.org/10.1016/C2015-0-01237-0; Di L., Kurczveil G., Huang X., Zhang C., Srinivasan S., Huang Z., Seyedi M.A., Norris K., Fiorentino M., Bowers J.E., Beausoleil R.G. Heterogeneous silicon light sources for datacom applications. Optical Fiber Technology. 2018; 44: 43—52. https://doi.org/10.1016/j.yofte.2017.12.005; Norman J.C., Jung D., Wan Y., Bowers J.E. Perspective: The future of quantum dot photonic integrated circuits. APL Photonics. 2018; 3: 030901. https://doi.org/10.1063/1.5021345; Jung D., Norman J., Wan Y., Liu S., Herrick R., Selvidge J., Mukherjee K., Gossard A.C., Bowers J.E. Recent advances in InAs quantum dot lasers grown on on-Axis (001) silicon by molecular beam epitaxy. Physica Status Solidi (A). 2019; 216(1): 1800602. https://doi.org/10.1002/pssa.201800602; Jung D., Herrick R., Norman J., Turnlund K., Jan C., Feng K., Gossard A.C, Bowers J.E. Impact of threading dislocation density on the lifetime of InAs quantum dot lasers on Si. Applied Physics Letters. 2018; 112(15): 153507. https://doi.org/10.1063/1.5026147; Mukherjee K., Selvidge J., Jung D., Norman J., Taylor A.A., Salmon M., Liu A.Y., Bowers J.E., Herrick R.W. Recombination-enhanced dislocation climb in InAs quantum dot lasers on silicon. Journal of Applied Physics. 2020; 128(2): 025703. https://doi.org/10.1063/1.5143606; Shang C., Hughes E., Wan Y., Dumont M., Koscica R., Selvidge J., Herrick R., Gossard A.C., Mukherjee K., Bowers J.E. High-temperature reliable quantum-dot lasers on Si with misfit and threading dislocation filters. Optica. 2021; 8(5): 749—754. https://doi.org/10.1364/OPTICA.423360; Carnall W.T., Fields P.R., Rajnak K. Electronic energy levels in the trivalent lanthanide aquo ions. I. Pr3+, Nd3+, Pm3+, Sm3+, Dy3+, Ho3+, Er3+, and Tm3+. The Journal of Chemical Physics. 1968; 49(10): 4424—4442. http://dx.doi.org/10.1063/1.1669893; Gruber J.B., Henderson J.R., Muramoto M., Rajnak K., Conway J.G. Energy levels of single-crystal erbium oxide. The Journal of Chemical Physics. 1966; 45(2): 477—482. http://dx.doi.org/10.1063/1.1727592; Ennen H., Schneider J., Pomrenke G., Axmann A. 1.54 mkm luminescence of erbium implanted III-V semiconductors and silicon. Applied Physics Letters. 1983; 43(10): 943—945. http://dx.doi.org/10.1063/1.94190; Polman A. Erbium implanted thin film photonic materials. Journal of Applied Physics. 1997; 82(1): 1—39. https://doi.org/10.1063/1.366265; Kenyon A.J. Topical review: Erbium in silicon. Semiconductor Science and Technology. 2005; 20(12): R65—R84. https://doi.org/10.1088/0268-1242/20/12/R02; Coffa S., Franzò G., Priolo F. Mechanism and performance of forward and reverse bias electroluminescence at 1.54 μm from Er-doped Si diodes. Journal of Applied Physics. 1997; 81(6): 2784—2793. https://doi.org/10.1063/1.363935; Coffa S., Franzò G., Priolo F. High efficiency and fast modulation of Er-doped light emitting Si diodes. Applied Physics Letters. 1996; 69(14): 2077—2079. https://doi.org/10.1063/1.116885; Polman A., van den Hoven G.N., Custer J.S., Shin J.H., Serna R., Alkemade P.F.A. Erbium in crystal silicon: Optical activation, excitation, and concentration limits. Journal of Applied Physics. 1995; 77(3): 1256—1262. https://doi.org/10.1063/1.358927; Gusev O.B., Bresler M.S., Pak P.E., Yassievich I.N., Forcales M., Vinh N.Q., Gregorkiewicz T. Excitation cross section of erbium in semiconductor matrices under optical pumping. Physical Review B. 2001; 64(7): 075302. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.64.075302; Priolo F., Franzo G., Coffa S., Carnera A. Excitation and nonradiative deexcitation processes of Er3+ in crystalline Si. Physical Review B. 1998; 57(8): 4443. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.57.4443; Coffa S., Franz G., Priolo F., Polman A., Serna R. Temperature dependence and quenching processes of the intra-4f luminescence of Er in crystalline Si. Physical Review B. 1994; 49(23): 16313. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.49.16313; Bradley J.D.B., Pollnau M. Erbium-doped integrated waveguide amplifiers and lasers. Laser & Photonics Reviews. 2011; 5(3): 368—403. https://doi.org/10.1002/lpor.201000015; Wang S., Eckau A., Neufeld E., Carius R., Buchal Ch. Hot electron impact excitation cross-section of Er3+ and electroluminescence from erbium-implanted silicon metal-oxide-semiconductor tunnel diodes. Applied Physics Letters. 1997; 71(19): 2824—2826. https://doi.org/10.1063/1.120147; Krzyzanowska H., Ni K.S., Fu Y., Fauchet P.M. Electroluminescence from Er-doped SiO2/nc-Si multilayers under lateral carrier injection. Materials Science and Engineering: B. 2012; 177(17): 1547—1550. https://doi.org/10.1016/j.mseb.2011.12.032; Berencen Y., Illera S., Rebohle L., Ramirez J.M., Wutzler R., Cirera A., Hiller D., Rodríguez J.A., Skorupa W., Garrido B. Luminescence mechanism for Er3+ ions in a silicon-rich nitride host under electrical pumping. Journal of Physics D: Applied Physics. 2016; 49(8): 085106. https://doi.org/10.1088/0022-3727/49/8/085106; Zhu C., Lv C., Gao Z., Wang C., Li D., Ma X., Yang D. Multicolor and near-infrared electroluminescence from the light-emitting devices with rare-earth doped TiO2 films. Applied Physics Letters. 2015; 107(13): 131103. https://doi.org/10.1063/1.4932064; Yang Y., Li Y., Xiang L., Ma X., Yang D. Low-voltage driven ~1.54 μm electroluminescence from erbium-doped ZnO/p+-Si heterostructured devices: Energy transfer from ZnO host to erbium ions. Applied Physics Letters. 2013; 102(18): 181111. http://dx.doi.org/10.1063/1.4804626; Yang Y., Jin L., Ma X., Yang D. Low-voltage driven visible and infrared electroluminescence from light-emitting device based on Er-doped TiO2/p+-Si heterostructure. Applied Physics Letters. 2012; 100(3): 031103. http://dx.doi.org/10.1063/1.3678026; Kim H.K., Li C.C., Nykolak G., Becker P.C. Photoluminescence and electrical properties of erbium-doped indium oxide films prepared by RF sputtering. Journal of Applied Physics. 1994; 76(12): 8209—8211. https://doi.org/10.1063/1.357882; Xiao Q., Zhu H., Tu D., Ma E., Chen X. Near-infrared-to-near-infrared downshifting and near-infrared-to-visible upconverting luminescence of Er3+-doped In2O3 nanocrystals. The Journal of Physical Chemistry C. 2013; 117(20): 10834—10841. http://dx.doi.org/10.1021/jp4030552; Feklistov K.V., Lemzyakov A.G., Prosvirin I.P., Gismatulin A.A., Shklyaev A.A., Zhivodkov Y.A., Krivyakin G.K., Komonov A.I., Kozhukhov А.S., Spesivsev E.V., Gulyaev D.V., Abramkin D.S., Pugachev A.M., Esaev D.G., Sidorov G.Yu. Nanowired structure, optical properties and conduction band offset of RF magnetron-deposited n-Si/In2O3 : Er films. Materials Research Express. 2020; 7(12): 25903. https://doi.org/10.1088/2053-1591/abd06b; Tahar R.B.H., Ban T., Ohya Y., Takahashi Y. Tin doped indium oxide thin films: Electrical properties. Journal of Applied Physics. 1998; 83(5): 2631—2645. https://doi.org/10.1063/1.367025; Hamberg I., Granqvist C.G. Evaporated Sn-doped In2O3 films: Basic optical properties and applications to energy-efficient windows. Journal of Applied Physics. 1986; 60(11): R123—R159. https://doi.org/10.1063/1.337534; Hoffling B., Schleife A., Fuchs F., Rödl C., Bechstedt F. Band lineup between silicon and transparent conducting oxides. Applied Physics Letters. 2010; 97(3): 032116. https://doi.org/10.1063/1.3464562; Wang E.Y., Hsu L. Determination of electron affinity of In2O3 from its heterojunction photovoltaic properties. Journal of the Electrochemical Society. 1978; 125: 1328—1331. https://doi.org/10.1149/1.2131672; Zhang X., Zhang Q., Lu F. Energy band alignment of an In2O3 : Mo/Si heterostructure, Semiconductor Science and Technology. 2007; 22(8): 900—904. https://doi.org/10.1088/0268-1242/22/8/013; Weiher R.L. Electrical properties of single crystals of indium oxide. Journal of Applied Physics. 1962; 33(9): 2834—2839. https://doi.org/10.1063/1.1702560; Zhang D.H., Li C., Han S., Liu X.L., Tang T., Jin W., Zhou C.W. Electronic transport studies of single-crystalline In2O3 nanowires. Applied Physics Letters. 2003; 82(1): 112—114. https://doi.org/10.1063/1.1534938; Weiher R.L., Ley R.P. Optical properties of indium oxide. Journal of Applied Physics. 1966; 37(1): 299—302. http://dx.doi.org/10.1063/1.1707830; King P.D.C., Veal T.D., Fuchs F., Wang Ch.Y., Payne D.J., Bourlange A., Zhang H., Bell G.R., Cimalla V., Ambacher O., Egdell R.G., Bechstedt F., McConville C.F. Band gap, electronic structure, and surface electron accumulation of cubic and rhombohedral In2O3. Physical Review B. 2009; 79(20): 205211. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.79.205211; Kern W., Puotinen D.A. Cleaning solutions based on hydrogen peroxide for use in silicon semiconductor technology. RCA Review. 1970; 31: 187—206. URL: https://www.americanradiohistory.com/ARCHIVE-RCA/RCA-Review/RCA-Review-1970-Jun.pdf; Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. В 2-х кн. М:. Мир; 1984. Кн. 1. 456 с.; Lee M.S., Choi W.C., Kim E.K., Kim C.K., Min S.K. Characterization of the oxidized indium thin films with thermal oxidation. Thin Solid Films. 1996; 279(1-2): 1—3. https://doi.org/10.1016/0040-6090(96)08742-1; Liang C., Meng G., Lei Y., Phillipp F., Zhang L. Catalytic growth of semiconducting In2O3 nanofibers. Advanced Materials. 2001; 13(17): 1330—1333. https://doi.org/10.1002/1521-4095(200109)13:173.0.CO;2-6; Peng X., Meng G., Zhang J., Wang X., Wang Y., Wang C., Zhang L. Synthesis and photoluminescence of single-crystalline In2O3 nanowires. Journal of Materials Chemistry. 2002; (12): 1602—1605. https://doi.org/10.1039/B111315A; Mazzera M., Zha M., Calestani D., Zappettini A., Salviati G., Zanotti L. Low-temperature In2O3 nanowire luminescence properties as a function of oxidizing thermal treatments. Nanotechnology. 2007; 18(35): 355707. http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/18/35/355707; Kumar M., Singh V.N., Singh F., Lakshmi K.V., Mehta B.R., Singh J.P. On the origin of photoluminescence in indium oxide octahedron structures. Applied Physics Letters. 2008; 92(17): 171907. https://doi.org/10.1063/1.2910501; Wei Z.P., Guo D.L., Liu B., Chen R., Wong L.M., Yang W.F., Wang S.J., Sun H.D., Wu T. Ultraviolet light emission and excitonic fine structures in ultrathin single-crystalline indium oxide nanowires. Applied Physics Letters. 2010; 96(3): 031902. https://doi.org/10.1063/1.3284654; Amirhoseiny M., Hassan Z., Shashiong N. Synthesis of nanocrystalline In2O3 on different Si substrates at wet oxidation environment. Optik. 2013; 124(17): 2679—2681. https://doi.org/10.1016/j.ijleo.2012.08.073; https://met.misis.ru/jour/article/view/529

Availability: https://met.misis.ru/jour/article/view/529
https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202305.529

Design of heterostructure photocatalysts based on layered perovskite-like bismuth silicate

Authors: Belik, Yulia A., Vergilessov, Roman A., Kovaleva, Evgenia A., Svetlichnyi, Valerii A., Vodyankina, Olga V.

Source: Applied surface science. 2025. Vol. 682. P. 161733 (1-12)

Subject Terms: висмут, гетероструктура, гетеропереход, Родамин B, силикаты

File Description: application/pdf

Relation: Applied surface science; koha:001159481; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001159481

Availability: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.161733
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001159481

Engineering of nanostructured plasmonic substrates for use as SERS sensors

Authors: Bandeliuk, O. V., Kolobrodov, V. H.

Contributors: ELAKPI

Source: Vìsnik Nacìonalʹnogo Tehnìčnogo Unìversitetu Ukraïni Kììvsʹkij Polìtehnìčnij Ìnstitut: Serìâ Radìotehnìka, Radìoaparatobuduvannâ, Iss 70 (2017)
Visnyk NTUU KPI Seriia-Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; 70; 62-71
Вестник НТУУ" КПИ ". Серия радиотехника Радиоаппаратостроение; 70; 62-71
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; 70; 62-71

Subject Terms: molecule, SERS, plasmon, hetero transition metal-dielectric, nanostructure, ГКР, 535.215.5, плазмон, молекула, гетеропереход металл-полупроводник, наноструктура, TK5101-6720, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, 0104 chemical sciences, Telecommunication, гетеропереход метал-напiвпровiдник, 0210 nano-technology, гетеропереход метал-напівпровiдник

File Description: application/pdf

Access URL: https://doaj.org/article/c277e9392f23441ebe44730724ca7e95
https://cyberleninka.ru/article/n/engineering-of-nanostructured-plasmonic-substrates-for-use-as-sers-sensors
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/24310
http://doi.radap.kpi.ua/article/view/221641

NUMERICAL SIMULATION OF THERMAL BEHAVIOR AND OPTIMIZATION OF a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si HIT SOLAR CELL AT HIGH TEMPERATURES

Authors: Ganji, Jabbar

Source: Electrical engineering & Electromechanics, Iss 6, Pp 47-52 (2017)
Electrical Engineering & Electromechanics; № 6 (2017): Electrical Engineering & Electromechanics №6 2017; 47-52
Электротехника и Электромеханика; № 6 (2017); 47-52
Електротехніка і Електромеханіка; № 6 (2017): Електротехніка і Електромеханіка №6 2017; 47-52

Subject Terms: thin layer, heterojunction with intrinsic thin layer cell, high temperature, thermal behavior, heterojunction, 536.242, слой тонкий, 4. Education, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, 7. Clean energy, TK1-9971, гетеропереход, гетеропереходы с ячейками внутреннего тонкого слоя, высокая температура, тепловое поведение, поведение тепловое, 0103 physical sciences, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, температура высокая, 0210 nano-technology, ???????????????????? ???????????????????????????? ???? ??????????????????????????

File Description: application/pdf

Access URL: http://eie.khpi.edu.ua/article/download/2074-272X.2017.6.07/111225
https://doaj.org/article/9cb352c7733c40b1a2718f6fd037310c
http://eie.khpi.edu.ua/article/view/2074-272X.2017.6.07
http://eie.khpi.edu.ua/article/download/2074-272X.2017.6.07/111225
http://eie.khpi.edu.ua/article/view/2074-272X.2017.6.07
https://cyberleninka.ru/article/n/numerical-simulation-of-thermal-behavior-and-optimization-of-a-si-a-si-c-si-a-si-a-si-hit-solar-cell-at-high-temperatures
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/147602

FEATURES of VOLT-FARAD DEPENDENCE OF NONIDEAL HETEROJUNCTIONS BARRIER CAPACITY

Authors: Borschak, V. A., Kutalova, M. I., Zatovskaya, N. P., Vilinskaya, L. N., Karpenko, A. O.

Source: Photoelectronics; No. 25 (2016); 109-113
Photoelectronics; № 25 (2016); 109-113

Subject Terms: стрибкова провідність, volt-farad characteristic, вольт-фарадная характеристика, nonideal heterojunctin, неидеальный гетеропереход, вольт-фарадна характеристика, прыжковая проводимость, неідеальний гетероперехід

File Description: application/pdf

Access URL: http://photoelectronics.onu.edu.ua/article/view/157643

APPLICATION OF A SENSOR ON THE HETEROJUNCTION CdS-Cu2S BASIS

Source: Photoelectronics; № 21 (2012); 75-78

Subject Terms: astronomy, heterojunction, image sensor, X-ray image, астрономия, гетеропереход, сенсор изображения, рентгеновский сенсор, астрономія, гетероперехід, сенсор зображення, рентгенівських сенсор

File Description: application/pdf

Access URL: http://photoelectronics.onu.edu.ua/article/view/206298

INVESTIGATION OF CHEMICAL AND PHASE COMPOSITION OF CdS-Cu2S SENSORIC LAYERS

Authors: V. A. Borschak, Iе. V. Brytavskyi, M. I. Kutalova

Source: Photoelectronics; № 24 (2015); 72-76

Subject Terms: nonideal heterojunction, image sensor, phase composition, XRD, неидеальный гетеропереход, сенсор зображений, фазовый состав, рентгеноструктурный анализ, неідеальний гетероперехід, сенсор зображень, фазовий склад, рентгеноструктурний аналіз

File Description: application/pdf

Access URL: http://photoelectronics.onu.edu.ua/article/view/158110

Al/nanocrystalline CeOx/Si/Al structures for heterojunction photodetectors

Authors: Borisov, Oleksandr Vasyliovych, Korolevych, L. N., Maksimchuk, N. V.

Contributors: ELAKPI

Source: Electronics and Communications; Том 19, № 6 (2014); 9-13
Электроника и Связь; Том 19, № 6 (2014); 9-13
Електроніка та Зв'язок; Том 19, № 6 (2014); 9-13

Subject Terms: metal/oxide/semiconductor photodiode, heterojunction, структура Al/CeOx/Si/Al, Al/CeOx/Si/Al structure, СеОх, 05 social sciences, 02 engineering and technology, МДН-фотодіод, nanocrystalline cerium oxide films, гетероперехід, нанокристалічні плівки оксиду церію, гетеропереход, 0203 mechanical engineering, нанокристаллические пленки оксида церия, МДП-фотодиод, 0501 psychology and cognitive sciences

File Description: application/pdf

Access URL: http://elc.kpi.ua/old/article/download/112902/109537
http://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2014E&C....19f...9B/abstract
http://elc.kpi.ua/old/article/view/112902
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/11038
http://elc.kpi.ua/old/article/view/112902

Current – voltage characteristics of the graded gap and heterojunction diodes containing of the cathode static domain ; Вольтамперные характеристики диодов с катодным статическим доменом, варизонным слоем и гетеропереходом ; Вольтамперні характеристики діодів з катодним статичним доменом з вари зонним шаром та гетеропереходом

Authors: Боцула, О. В., Приходько, К. Г.

Source: Visnyk of V.N. Karazin Kharkiv National University, series “Radio Physics and Electronics”; Том 25, № 1116 (2016); 66-69 ; Вестник университета, серия «Радиофизика и электроника»; Том 25, № 1116 (2016); 66-69 ; Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Радіофізика та електроніка»; Том 25, № 1116 (2016); 66-69

Subject Terms: impact ionization, static cathode domain, current voltage characteristics, heterojunction, graded layer, ударная ионизация, статический катодный домен, вольтамперные характеристики, гетеропереход, варизонный слой, ударна іонізація, статичний катодний домен, вольтамперні характеристики, гетероперехід, варизонний шар

File Description: application/pdf

Relation: http://periodicals.karazin.ua/radiophysics/article/view/9381/8906; http://periodicals.karazin.ua/radiophysics/article/view/9381

Availability: http://periodicals.karazin.ua/radiophysics/article/view/9381

Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n+CdS — structure and surface states densitY pSi-nCdS — heterojunction ; Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n+CdS — структуры и на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS — гетероперехода ; Вплив ультразвукового опромінення на властивості інжекційного фотоприймача на основі pSi-nCdS-n +CdS — структури і на густини поверхневих станів pSi-nCdS — гетероперехода

Authors: Сапаев, И. Б., Мирсагатов, Ш. А.

Contributors: Академия Наук Узбекистана

Source: Физическая инженерия поверхности; Том 12, № 2 (2014): Фізична інженерія поверхні; 197-201 ; Фізична інженерія поверхні; Том 12, № 2 (2014): Фізична інженерія поверхні; 197-201 ; 1999-8112 ; 1999-8074

Subject Terms: ultrasonic, photodiode, heterojunction, ультразвук, фотодиод, гетеропереход, фотодіод, гетероперехід

File Description: application/pdf

Relation: http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8588/8100; http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8588

Availability: http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8588

Метод регистрации ИК-излучения неохлаждаемым фотоприемником

Authors: Иванченко, Ираида Александровна, Будиянская, Людмила Михайловна, Сантоний, Владимир Иванович, Смынтына, Валентин Андреевич

Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Vol. 60 No. 8 (2017); 472-479 ; Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 60 № 8 (2017); 472-479 ; Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка; Том 60 № 8 (2017); 472-479 ; 2307-6011 ; 0021-3470

Subject Terms: ИК-излучение, фотоприемник, гетеропереход, эквивалентная схема, тепловой фон, схема измерений

File Description: application/pdf

Relation: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347017080052/104065; https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347017080052

Availability: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347017080052
https://doi.org/10.20535/S0021347017080052

THE TYPICAL PHOTOGRAPHIC MATERIALS AND THE SOLID-STATE MEMORY ELEMENT CHARACTERISTICS AND PARAMETERS COMPARATIVE ANALYSIS

Authors: Borshchak, V. A., Balaban, A. P.

Source: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 5, № 1 (2008); 44-48
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 5, № 1 (2008); 44-48
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 5, № 1 (2008); 44-48

Subject Terms: 4. Education, гетероперехід, сенситометрія, елемент пам'яті, сенсор зображення, фотоматеріали, 0103 physical sciences, гетеропереход, сенситометрия, элемент памяти, сенсор изображения, фотоматериалы, 01 natural sciences, heterojunction, sensitometry, memory element, image sensor, photographic materials

File Description: application/pdf

Access URL: http://semst.onu.edu.ua/article/download/114325/112709
http://semst.onu.edu.ua/article/view/114325

QUANTUM EFFICIENCY OF PHOTODETECTORS AT THRESHOLD LUMINOSITIES

Authors: Bobrenko, U. N., Sachenko, A. V., Yaroshenko, M. V., Komaschenko, V. N.

Source: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 5, № 1 (2008); 26-31
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 5, № 1 (2008); 26-31
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 5, № 1 (2008); 26-31

Subject Terms: ultra-violet radiation, surface-barrier structure, thin-film heterojunction, ultra-violet receiver, ультрафиолетовое излучение, поверхностно-барьерная структура, тонкопленочный гетеропереход, ультрафиолетовый приемник, ультрафіолетове випромінювання, поверхнево-бар'єрна структура, тонкоплівковий гетероперехід, ультрафіолетовий приймач

File Description: application/pdf

Access URL: http://semst.onu.edu.ua/article/download/114314/112706
http://semst.onu.edu.ua/article/download/114314/112706
http://semst.onu.edu.ua/article/view/114314
http://semst.onu.edu.ua/article/view/114314

Механізми струмопереносу в анізотипних гетеропереходах p-NiO/n-SiC

Subject Terms: SiC, гетеропереход, charge transport mechanisms, heterojunction, гетероперехід, механізми струмопереносу, механизмы токопереноса, NiO

File Description: application/pdf

Access URL: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/68657

Two-dimensional plasmon excitations in a random array of quantum antidots

Authors: Vasilyev, Yuri

Subject Terms: гетеропереход, terahertz absorption, heterojunction, терагерцовое поглощение, magnetoplasmon, антиточки, antidots, магнитоплазмон

Capacitance-voltage characterization of BP layers grown by PECVD mode

Authors: Vtorygin, Georgii, Baranov, Artem, Uvarov, Alexander, Maksimova, Alina, Vyacheslavova, Ekaterina

Subject Terms: гетеропереход, heterojunction, boron phosphide, вольт-фарадная характеристика, selective contact, capacitance-voltage profiling, фосфид бора, 7. Clean energy, селективные контакты

Static characteristics of heterojunction GaAs-AlGaAs diodes for microwave noise ; Статические характеристики диодов с гетеропереходы GaAs-AlGaAs для генерации СВЧ - шума ; Статичні характеристики діодів з гетеропереходом GaAs-AlGaAs для генерації НВЧ – шуму

Authors: Боцула, О. В.

Source: Visnyk of V.N. Karazin Kharkiv National University, series “Radio Physics and Electronics”; Том 24, № 1115 (2014); 91–94 ; Вестник университета, серия «Радиофизика и электроника»; Том 24, № 1115 (2014); 91–94 ; Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Радіофізика та електроніка»; Том 24, № 1115 (2014); 91–94

Subject Terms: impact ionization, static cathode domain, current voltage characteristics, heterojunction, breakdown voltage, ударная ионизация, статический катодный домен, вольтамперные характеристики, гетеропереход, пробивные напряжения, ударна іонізація, статичний катодний домен, вольтамперні характеристики, гетероперехід, пробивні напруги

File Description: application/pdf

Relation: http://periodicals.karazin.ua/radiophysics/article/view/6391/5920; http://periodicals.karazin.ua/radiophysics/article/view/6391

Availability: http://periodicals.karazin.ua/radiophysics/article/view/6391