-
1Academic Journal
Συγγραφείς: D. A. Belorusov, E. I. Goldman, M. S. Afanasyev, G. V. Chucheva, Д. А. Белорусов, Е. И. Гольдман, М. С. Афанасьев, Г. В. Чучева
Συνεισφορές: The study was carried out at the expense of the grant of the Russian Science Foundation, No. 22-19-00493, https://rscf.ru/en/project/22-19-00493/, Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда № 22-19-00493, https://rscf.ru/project/22-19-00493/
Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 27, № 3 (2024); 278-282 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 27, № 3 (2024); 278-282 ; 2413-6387 ; 1609-3577
Θεματικοί όροι: высокочастотная вольт-фарадная характеристика, metal-ferroelectric-semiconductor structure, high-frequency C–V-characteristic, структура металл-сегнетоэлектрик-полупроводник
Περιγραφή αρχείου: application/pdf
Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/586/461; Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства. М.: Энергоатомиздат; 2011. 175 с.; Park J.Y., Yang K., Lee D.H., Kim S.H., Lee Y., Reddy P.R.S., Jones J.L., Park M.H. A perspective on semiconductor devices based on fluorite-structured ferroelectrics from the materials-device integration perspective. Journal of Applied Physics. 2020; 128(24): 240904. https://doi.org/10.1063/5.0035542; Wang B., Huang W., Chi L., Al-Hashimi M., Marks T.J., Facchetti A. High-k gate dielectrics for emerging flexible and stretchable electronics. Chemical Reviews. 2018; 118(11): 5690—5754. https://doi.org/10.1021/acs.chemrev.8b00045; Du D., Hu J., Kawasaki J.K. Strain and strain gradient engineering in membranes of quantum materials featured. Applied Physics Letters. 2023; 122(17): 170501. https://doi.org/10.1063/5.0146553; Zhang K., Ren Y., Cao Y. Mechanically tunable elastic modulus of freestanding Ba1-xSrxTiO3 membranes via phase-field simulation. Applied Physics Letters. 2022; 121(15): 152902. https://doi.org/10.1063/5.0099772; Ko D.L., Tsai M.F., Chen J.W., Shao P.W., Tan Y.Z., Wang J.J., Ho S.Z., Lai Y.H., Chueh Y.L., Chen Y.C., Tsai D.P., Chen L-Q., Chu Y.H. Mechanically controllable nonlinear dielectrics. Science Advances. 2020; 6(10): eaaz3180. https://doi.org/10.1126/sciadv.aaz3180; Xu R., Huang J., Barnard E.S., Hong S.S., Singh P., Wong E.K., Jansen T., Harbola V., Xiao J., Wang B.Y., Crossley S., Lu D., Liu S., Hwang H.Y. Strain-induced room-temperature ferroelectricity in SrTiO3 membranes. Nature Communications. 2020; 11: 3141. https://doi.org/10.1038/s41467-020-16912-3; Wang B., Lu H., Bark C.W., Eom C-B., Gruverman A., Chen L-Q. Mechanically induced ferroelectric switching in BaTiO3 thin films. Acta Materialia. 2020; 193: 151—162. https://doi.org/10.1016/j.actamat.2020.04.032; Иванов М.С., Афанасьев М.С. Особенности формирования тонких сегнетоэлектрических пленок BaxSr1-xTiO3 на различных подложках методом высокочастотного распыления. Физика твердого тела. 2009; 51(7): 1259—1262.; Киселев Д.А., Афанасьев М.С., Левашов С.А., Чучева Г.В. Кинетика роста индуцированных доменов в сегнетоэлектрических тонких пленках Ba0.8Sr0.2TiO3. Физика твердого тела. 2015; 57(6): 1134—1137.; Goldman E.I., Chucheva G.V., Belorusov D.A. On the form of high-frequency voltage-capacitance characteristics of metal-insulator-semiconductor structures with a ferroelectric insulating layer BaxSr1-хTiO3. Ceramics International. 2021; 47(15): 21248—21252. https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2021.04.129; Goldman E.I., Chucheva G.V., Belorusov D.A. The role of а buffer layer at the contact with silicon in structures with an insulating gap made of a material replacing SiO2. Ceramics International. 2024; 50(6): 9678—9681. https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2023.12.286; https://met.misis.ru/jour/article/view/586