Dependence of static and dynamic characteristics of high-voltage pulsed p–i–n diodes on the composition of heteroepitaxial AlxGa1−xAs1−ySby base layers

Authors: Soldatenkov, Fedor, Pugovkin, Alexey, Ivanov, Anton, Malevskiy, Dmitriy, Levin, Sergey

Subject Terms: reverse recovery of diodes, жидко-фазная эпитаксия, diode, AlGaAsSb, high-voltage p0–i–n0 junction, liquid-phase epitaxy, диод, heterostructure, высоковольтный p0–i–n0-переход, обратное восстановление диодов, гетероструктура

High-temperature high-voltage p–i–n diodes based on low doped heteroepitaxial layers AlGaAs and AlGaAsSb

Authors: Soldatenkov, Fedor, Ivanov, Anton, Malevskiy, Dmitriy, Levin, Sergey

Subject Terms: reverse recovery of diodes, жидко-фазная эпитаксия, diode, high-voltage p0–i–n0 junction, диод, heterostructure, высоковольтный p0–i–n0-переход, 7. Clean energy, гетероструктура, lattice mismatch, AlGaAsSb, liquid-phase epitaxy, рассогласование по параметру решетки, обратное восстановление диодов