-
1Academic Journal
Authors: N. I. Gorbachuk, K. A. Ermakova, N. A. Poklonski, S. V. Shpakovski, Н. И. Горбачук, Е. А. Ермакова, Н. А. Поклонский, С. В. Шпаковский
Contributors: The work was supported by the Be larusian National Research Program “Materials Science, New Materials and Technologies” for 2021–2025, subprogram “Condensed Matter Physics and Development of New Functional Materials and Technologies for their Production” (task 1.8.2)., Работа поддержана Государ ственной программой научных исследований «Материало ведение, новые материалы и технологии» на 2021–2025 годы, подпрограмма «Физика конденсированного состояния и создание новых функциональных материалов и технологий их получения» (задание 1.8.2).
Source: Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series; Том 61, № 1 (2025); 34-46 ; Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук; Том 61, № 1 (2025); 34-46 ; 2524-2415 ; 1561-2430 ; 10.29235/1561-2430-2025-61-1
Subject Terms: DLTS, C–V curves, impedance, silicon, surface electron states, irradiation-induced defects, вольт-фарадные характеристики, импеданс, кремний, поверхностные электронные состояния, радиационные дефекты
File Description: application/pdf
Relation: https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/824/627; Sze, S. M. Physics of semiconductor devices / S. M. Sze, K. K. Ng. – Hoboken: Wiley, 2007. – X + 816 p. https://doi.org/10.1002/0470068329; Вавилов, В. С. Действие излучений на полупроводники / В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С. Смирнов. – М.: Наука, 1988. – 190 с.; Барабан, А. Н. Электроника слоев SiO2 на кремнии / А. Н. Барабан, В. В. Булавинов, П. П. Коноров. – Л.: Ленингр. ун-т, 1988. – 304 с.; Nicollian, E. H. The Si-SiO2 interface electrical properties as determined by metal-insulator-silicon conductance technique / E. H. Nicollian, A. Goetzberger // The Bell System Technical Journal. – 1967. – Vol. XLVI, № 6. – P. 1055–1133. https://doi.org/10.1002/j.1538-7305.1967.tb01727.x; Белоус, А. И. Космическая электроника: в 2 кн. / А. И. Белоус, В. А. Солодуха, С. В. Шведов. – М.: Техносфера, 2015. – Кн. 2. – 488 с.; Емкость и электропроводность полупроводниковых структур на переменном токе: учеб. пособие / Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, Т. М. Лапчук, Д. А. Кириленко. – Минск: БГУ, 1997. – 62 с.; Комплексная электрическая емкость структур Al/SiO2/n-Si, облученных высокоэнергетическими ионами ксенона / Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский [и др.] // Опто-, микро- и СВЧ-электроника. – 2018: сб. науч. ст. I Междунар. науч.-техн. конф., Минск, Беларусь, 22–26 окт. 2018 г. / Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси; ред.: Н. С. Казак, А. С. Чиж, В. В. Малютина-Бронская. – Минск, 2018. – С. 132–135.; Емкость в режиме сильной инверсии cтруктур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенона / Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский [и др.] // Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VIII Междунар. науч. конф., Минск, Беларусь, 10–11 окт. 2018 г. / БГУ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск, 2018. – С. 192–196.; Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2/n-Si / Н. И. Горбачук, Н. А. Пок лонский, С. В. Шпаковский [и др.] // Взаимодействие излучений с твердым телом (ВИТТ-2019): материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. – 3 окт. 2019 г. / БГУ; редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. – Минск, 2019. – С. 139–142.; Influence of radiation defects on electrical losses in silicon diodes irradiated with electrons / N. A. Poklonski, N. I. Gor bachuk, S. V. Shpakovski [et al.] // Semiconductors. – 2010. – Vol. 44, № 3. – P. 380–384. https://doi.org/10.1134/S1063782610030188; Equivalent circuit of silicon diodes subjected to high–fluence electron irradiation / N. A. Poklonski, N. I. Gorbachuk, S. V. Shpakovski, A. Wieck // Technical Physics. – 2010. – Vol. 55, № 10. – P. 1463–1471. https://doi.org/10.1134/S1063784210100117; Диэлектрические потери структур Al/SiO2/n-Si, облученных электронами с энергией 3.5 МэВ / Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский [и др.] // Взаимодействие излучений с твердым телом (ВИТТ-2015): материалы 11-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 23–25 сент. 2015 г. / БГУ; редкол.: В. М. Анищик (отв. ред.) [и др.]. – Минск, 2015. – С. 136–138.; Электрическая емкость структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВ / Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский [и др.] // Актуальные проблемы физики твердого тела (ФТТ-2016): сб. докл. Междунар. науч. конф., Минск, Беларусь, 22–25 нояб. 2016 г.: в 3 т. / НПЦ НАНБ по материаловедению; редкол.: Н. М. Олехнович (пред.) [и др.]. – Минск, 2016. – Т. 2. – С. 39–41.; Impedance spectroscopy: Theory experiment and applications / ed. by E. Barsoukov, J. R. Macdonald. – Hoboken: John Wiley & Sons, Inc., 2005. – xviii + 596 p. https://doi.org/10.1002/0471716243; Lang, D. V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors / D. V. Lang // Journal of Applied Physics. – 1974. – Vol. 45, № 7. – P. 3023–3032. https://doi.org/10.1063/1.1663719; Dmitriev, S. G. Semiconductor surface potential relaxation in the MIS structure in the presence of convective currents in insulator and through its boundaries / S. G. Dmitriev // Semiconductors. – 2011. – Vol. 45, № 2. – P. 188–191. https://doi.org/10.1134/S1063782611020072; Давыдов, В. Н. Программа расчета параметров МДП-структуры по методу Термана / В. Н. Давыдов, П. Е. Троян, Н. Г. Зайцев // Известия Томского политехнического университета. – 2006. – Т. 309, № 8. – С. 47–51.; DLTS-спектроскопия радиационных дефектов в облученных ионами гелия структурах Al/Si3N4/n-Si / Н. И. Горбачук, Н. А. Поклонский, Е. А. Ермакова [и др.] // Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния: материалы седьмой Междунар. науч.-практ. конф., Минск, Беларусь, 18–19 мая 2023 г. / Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко Белорус. гос. ун-та; редкол.: Ю. И. Дудчик (гл. ред.), И. М. Цикман, И. Н. Кольчевская. – Минск, 2023. – С. 272–274.; C–V and DLTS studies of radiation induced Si–SiO2 interface defects / I. Capan, V. Janicki, R. Jacimovic, B. Pivac // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. – 2012. – Vol. 282. – P. 59–62. https://doi.org/10.1016/j.nimb.2011.08.065; Hara, T. DLTS analysis of interface and near-interface bulk defects induced by TCO-plasma deposition in carrier-selective contact solar cells / T. Hara, Y. Ohshita // AIP Advances. – 2024. – Vol. 14, № 1. – Art. ID 015202. https://doi.org/10.1063/5.0177685; Energy state distributions of the Pb centers at the (100), (110), and (111) Si/SiO2 interfaces investigated by Laplace deep level transient spectroscopy / L. Dobaczewski, S. Bernardini, P. Kruszewski [et al.] // Applied Physics Letters. – 2008. – Vol. 92, № 24. – Art. ID 242104. https://doi.org/10.1063/1.2939001; Traps at the bonded interface in silicon-on-insulator structures / I. V. Antonova, O. V. Naumova, D. V. Nikolaev [et al.] // Applied Physics Letters. – 2001. – Vol. 79, № 27. – P. 4539–4540. https://doi.org/10.1063/1.1428412; Ziegler, J. F. SRIM – The Stopping and Range of Ions in Matter / J. F. Ziegler, J. P. Biersack, M. D. Ziegler. – Chester, MD: SRIM Co., 2008. – 398 p.; Цифровой емкостный спектрометр СЕ-6 / H. H. Дедович, В. А. Кузьминых, А. Н. Лазарчик [и др.] // Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, Беларусь, 25–26 сент. 2008 г. / БГУ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск, 2008. – С. 16–19.; Hazdra, P. Influence of radiation defects on formation of thermal donors in silicon irradiated with high-energy helium ions / P. Hazdra, V. Komarnitskyy // Materials Science and Engineering B. – 2009. – Vol. 159–160. – P. 346–349. https://doi.org/10.1016/j.mseb.2008.10.008; Defect reactions associated with the dissociation of the phosphorus–vacancy pair in silicon / V. P. Markevich, O. Andersen, I. F. Medvedeva [et al.] // Physica B. – 2001. – Vol. 308–310. – P. 513–516. https://doi.org/10.1016/S09214526(01)00737-2; https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/824
-
2Academic Journal
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 6. С. 111-119
Subject Terms: плазменно-стимулированное атомно-слоевое осаждение, тонкие пленки, вольт-фарадные характеристики, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
File Description: application/pdf
-
3Academic Journal
Source: Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika, Vol 24, Iss 3 (2019)
Microsystems, Electronics and Acoustics; Том 24, № 3 (2019); 13-19
Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 24, № 3 (2019); 13-19
Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 24, № 3 (2019); 13-19Subject Terms: система зарядов, TK7800-8360, thin films, cerium oxide, MIS-structure, capacitance-voltage characteristics (CV characteristics), charge system, effective charge, тонкі плівки, оксид церію, МДН-структура, вольт-фарадні характеристики (ВФХ), система зарядів, ефектив-ний заряд, 01 natural sciences, МДП-структура, вольт-фарадные характеристики (ВФХ), Microelectronics, Микроэлектронника, эффективный заряд, тонкие пленки, 621.382, 0103 physical sciences, Мікроелектроніка, Electronics, оксид церия, поверхностный потенциал
File Description: application/pdf
-
4Academic Journal
Source: Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56, № 9. С. 928-932
-
5Academic Journal
Authors: Kalygina, Vera M., Kiselyeva, O. S., Kushnarev, Bogdan O., Oleinik, Vladimir L., Petrova, Julianna S., Tsymbalov, Alexander V.
Source: Semiconductors. 2022. Vol. 56, № 9. P. 707-711
-
6Academic Journal
Source: Journal of physics and chemistry of solids. 2017. Vol. 102. P. 42-48
Subject Terms: электрические характеристики, адмиттанс, 0103 physical sciences, вольт-фарадные характеристики, градиентные слои, МДП-структуры, 01 natural sciences
Linked Full TextAccess URL: https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2017JPCS..102...42V/abstract
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022369716302451
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577239 -
7Academic Journal
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 3. С. 76-87
Subject Terms: метод эквивалентных схем, адмиттанс, концентрация примесей, вольт-фарадные характеристики, молекулярно-лучевая эпитаксия, барьерные детекторы, nBn-структура, теллурид кадмия-ртути
File Description: application/pdf
-
8Academic Journal
Contributors: ELAKPI
Subject Terms: система зарядов, effective charge, поверхностный потенциал, charge system, МДН-структура, тонкі плівки, ефективний заряд, MIS-structure, МДП-структура, вольт-фарадные характеристики (ВФХ), thin films, эффективный заряд, тонкие пленки, система зарядів, capacitance-voltage characteristics (CV characteristics), оксид церия, оксид церію, cerium oxide, вольт-фарадні характеристики (ВФХ)
File Description: application/pdf
Access URL: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/33300
-
9Academic Journal
Source: Прикладная физика. 2018. № 3. С. 22-26
Subject Terms: варизонные слои, адмиттанс, вольт-фарадные характеристики, молекулярно-лучевая эпитаксия, МДП-структуры, теллурид кадмия-ртути
File Description: application/pdf
-
10Academic Journal
Source: Прикладная физика. 2018. № 4. С. 54-60
Subject Terms: рентгеновское излучение, вольт-фарадные характеристики, радиационные дефекты, точечные дефекты, лазерная плазма
File Description: application/pdf
-
11Academic Journal
Source: Прикладная физика. 2018. № 4. С. 43-48
Subject Terms: варизонные слои, HgCdTe пленки, вольт-фарадные характеристики, МДП-структуры
File Description: application/pdf
-
12Academic Journal
Source: Прикладная физика. 2018. № 3. С. 15-21
Subject Terms: теллурид кадмия и ртути, варизонные слои, легирующие примеси, концентрация примесей, вольт-фарадные характеристики, молекулярно-лучевая эпитаксия, МДП-структуры, моделирование
File Description: application/pdf
-
13Academic Journal
Authors: K. L. Enisherlova, V. G. Goryachev, T. F. Rusak, S. A. Kapilin, К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин
Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 18, № 2 (2015); 137-145 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 18, № 2 (2015); 137-145 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2015-2
Subject Terms: гетероструктуры AlGaN/GaN, вольт-фарадные характеристики, зонная диаграмма, частотные измерения, пассивирующий слой, двухмерный электронный газ, дислокация, резерфордовское обратное рассеяние, capacity−voltage characteristic, frequency measurement, band diagram, 2D electron gas, dislocation, Rutherford backscattering
File Description: application/pdf
Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/171/160; Green, B. M. The effect of surface passivation on the microwave characteristics of undoped AlGaN/GaN HEMTs / B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, L. F. Eastman // IEEE Electron Device Lett. − 2000. −V. 21, N 6. − P. 268—270. DOI:10.1109/55.843146; Liu, W. L. Capacitance−voltage spectrocopy of trapping states in GaN/AlGaN heterostructure field−effect transistors / W. L. Liu, Y. L. Chen, A. A. Balandin, K. L. Wang // J. Nanоelectronics and Optoelectronics. − 2006. − V. 1. − P. 258—263.; Arulkumaran, S. Studies on the influences of i−GaN, n−GaN, p−GaN and InGaN cap layers in AlGaN/GaN high−electron−mobility transistors/ S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa // Jap. J. Appl. Phys. − 2005. − V. 44. − P. 2953—2960.; Vertiachikh, A. V. Effect of the surface and barrier defects on the AlGaN/GaN HEMT low−frequency noise performance / A. V. Vertiachikh, L. F. Eastman // IEEE Electron Dev. Lett. − 2003. − V. 24, N 9. − P. 535—537. DOI:10.1109/LED.2003.816588; Derluyn, J. Improvement of AlGaN/GaN high electron mobility transistor structures by in situ deposition of a Si3N4 surface layer/ J. Derluyn, S. Boeykens, K. Cheng, R. Vandersmissen, J. Das, W. Ruythooren, S. Degroote, M. R. Leys, M. Germain, G. Borghs // J. Appl. Phys. − 2005. − V. 98. − P. 054501−1−5; Kroemer, H. Measurement of isotype heterojunction barriers by C−V profiling/ H. Kroemer, Wu−Yi Chien, J. S. Harris (Jr), D. D. Edwall // Appl. Phys. Lett. − 1980. − V. 36, N 4. − P. 295—297. DOI:10.1063/1.91467; Enisherlova, K. L. AlGaN/GaN heterostructure study using Rutherford backscattering spectrometry / K. L. Enisherlova, V. S. Kulikauskas, V. V. Zatekin, T. F. Rusak, N. B. Gladysheva, I. I. Razguleyaev // J. Surf. Investigation, X−ray, Synchrotron and Neutron Techniq. − 2011. − V. 5, N 4. − P. 626—635.; Брунков, П. Н. Емкостная спектроскопия электронных состояний в гетероструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками. Дисс. … докт. физ.−мат. наук / П. Н. Брунков. − СПб., 2007.; Ambacher, O. Two−dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization charges in N− and Ga− gace AlGaN/ GaN heterostructures/ O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murhy, W. J. Schaff, L. F. Eastman // J. Appl. Phys. − 1999. − V. 85, N 6. − P. 3222—3233.; Ibbetson, J. P. Polarization effects, surface states, and the sourface of electrons in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistor/ J. P. Ibbetson, P. T. Fini, K. D. Ness, S. P. DenBaars, J. S. Speck, U. K. Mishra // Appl. Phys. Lett. − 2000. − V. 77, N 2. − P. 250—252; Yu, E. T. Spontaneous and piezoelectric polarization effects in III−V nitride heterostructures / E. T. Yu, X. Z. Dang, P. M. Asbeck, S. S. Lau // J. Vac. Sci. Technol. B. − 1999. − V. 17, N 4. − P.1742—1749.; Dawei, Y. Capacitance and conduction dispersion in AlGaN/GaN heterostructure/ Yan Dawei, Wang Fuxue, Zhu Zhaomin, Cheng Jianmin, Gu Xiaofeng // J. Semiconductors. − 2013. − V. 34, N 1. − P. 014003−1−4.; https://met.misis.ru/jour/article/view/171
-
14Academic Journal
Authors: K. L. Enisherlova, V. G. Goryachev, V. G. Saraykin, S. A. Kapilin, К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин, С. А. Капилин
Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 19, № 2 (2016); 115-123 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 19, № 2 (2016); 115-123 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2016-2
Subject Terms: генерационно- рекомбинационный вклад, Schottky barriers, HEMT- transistors, C-V method, sequential and parallel substitution schemes, hodograph of the circuit impedance, generation-recombination centers, барьеры Шотки, НЕМТ- транзисторы, вольт-фарадные характеристики, последовательная и параллельная схемы замещения, годограф импеданса цепи
File Description: application/pdf
Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/271/227; Зубков, В. И. Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами InxGa1-xAs/GaAs методом вольт-фарадных характеристик: разрыв зон, уровни квантования, волновые функции / В. И. Зубков // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 3. - C. 331—337.; Солтанович, О. А. Частотные и температурные зависимости вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами / О. А. Солтанович, Н. М. Шмидт, Е. Б. Якимов // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - C. 226—229.; Солтанович, О. А. Анализ температурных зависимостей вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами / О. А. Солтанович, Е. Б. Якимов // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып 12. - С. 1597—1603.; Liu, W. L. Capacitance-voltage spectroscopy of trapping states in GaN/AlGaN heterostructure field-effect transistors / W.L. Liu, Y. L. Chen, A. A. Balandin, K. L. Wang // J. Nanoelectron. Optoelectron. - 2006. - V. 1, N 2. - P. 258—263. DOI:10.1166/jno.2006.212; Антонова, И. В. Глубокие уровни и электронный транспорт в гетероструктурах AlGaN/GaN / И. В. Антонова, В. И. Поляков, А. И. Руковишников, В. Г. Мансуров, К. С. Журавлев // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 1. - С. 53—59.; Енишерлова, К. Л. Исследование влияния пассивирующих слоев на емкостные характеристики гетероструктур AlGaN/GaN / К. Л. Енишерлова, В. В. Горячев, Т. Ф. Русак С. А. Капилин // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. - 2015. - Т. 18, № 2. - С. 137—145. DOI:10.17073/1609-3577-2015-2-137-145; Gallium Nitride (GaN): Physics, Devices and Technology / Ed. by F. Medjdoub. - Boca Raton; London; New York: CRC Press, Taylor & Francis Group, 2014. - 388 p.; Subramani, N. K. A Physics based analytical model and numerical simulation for current-voltage characteristics of microwave power AlGaN/GaN HEMT / N. K. Subramani, J.-C. Nallatamby, A. K. Sahoo, R. Sommet, R. Quéré, B. Bindu. URL: https://www.researchgate.net/profile/Nandhakumar_Subramani/publication/312377111_A_Physics_Based_Analytical_Model_and_Numerical_Simulation_for_Current-Voltage_Characteristics_of_Microwave_Power_AlGaNGaN_HEMT/links/587c852808ae4445c06733c0.pdf; Брудный, В. Н. Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN / В. Н. Брудный, С. С. Веревкин, А. В. Говорков, В. С. Ермаков, Н. Г. Колин, А. В. Корулин, А. Я. Поляков, Н. Б. Смирнов // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 450—456.; Поклонский, Н. А. Основы импендансной спектроскопии композитов : курс лекций / Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук.- Минск : БГУ, 2005. - 103 с.; Гусев, В. А. Основы диэлектрической спектроскопии: учебное пособие / В. А. Гусев. - Казань : КГУ, 2008. - 112 с.; Polyakov, A. Y. Admitance spectra studies of quantum well states in AlGaN/AlN/GaN heterojunctions / A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, E. A. Kozhukhova, S. J. Pearton, F. Ren, S. Yu. Karpov, K. D. Shchebachev, W. Lim // ECS J. Solid State Sci. Technol. - 2012. - V. 1, N 3.- P. P152—P156. DOI:10.1149/2.019203jss; Комаров, Ф. Ф. Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии / Ф. Ф. Комаров, А. П. Новиков, В. С. Соловьев, С. Ю. Ширяев. - Мн: Университетское, 1990. - 320 с. (C. 21—47).; Polyakov, A. Y. Deep traps responsible for hysteresis in capacitance-voltage characteristics of AlGaN/GaN heterostructure transistors / A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, A. V. Markov, A. M. Dabiran, A. M. Wowchak, A. V. Osinsky, B. Cui, P. P. Chow, S. J. Pearton // Appl. Phys. Lett. - 2007. - V. 91, iss. 23. - P. 232116-1-3. DOI:10.1063/1.2823607; Бочкарева, Н. И. Влияние состояний на границах раздела на емкость и эффективность электролюминесценции InGaN/ GaN-световодов / Н. И. Бочкарева, Е. А. Жирнов, А. А. Ефремов, Ю. Т. Ребане, Р. И. Горбунов, А. В. Клочков, Д. А. Давринович, Ю. Г. Шретер // Физика и техника полупроводников. - 2005. - Т. 39, вып. 7. - С. 829—833.; Morkoc, H. Handbook of Nitride Semiconductors and Devices. Vol. 1: Materials Properties, Physics and Growth / H. Morkoc. – Weinheim: Wiley-VCH Verlag GmbH&Co. KGaA, 2008. - 1311 p. (P. 817—1010). DOI:10.1002/9783527628438; Stradiotto, R. On the fly characterization of charge trapping phenomena at GaN/dielectric and GaN/AlGaN/dielectric interfaces using impedance measurements / R. Stradiotto, G. Pobegen, C. Ostermaier, T. Grasser // 45th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC). - Graz (Austria): IEEE, 2015. - P. 72—75. DOI:10.1109/ESSDERC.2015.7324716; https://met.misis.ru/jour/article/view/271
-
15Academic Journal
Source: Bulletin of Kyiv Polytechnic Institute. Series Instrument Making; No. 50(2) (2015); 84-92 ; Вестник Киевского политехнического института. Серия приборостроение; № 50(2) (2015); 84-92 ; Вісник Київського політехнічного інституту. Серія Приладобудування; № 50(2) (2015); 84-92 ; 2663-3450 ; 0321-2211
Subject Terms: ferroelectric thin films, capacitance-voltage characteristics of polymetallic oxides, тонкие сегнетоэлектрические пленки, вольт-фарадные характеристики, полиметаллические оксиды, тонкі сегнетоелектричні плівки, вольт-фарадні характеристики, поліметалічні оксиди
File Description: application/pdf
Relation: http://visnykpb.kpi.ua/article/view/57765/53995; http://visnykpb.kpi.ua/article/view/57765
Availability: http://visnykpb.kpi.ua/article/view/57765
https://doi.org/10.20535/1970.50(2).2015.57765 -
16Academic Journal
Authors: Гаврушко, В., Григорьев, А., Иванов, В.
Subject Terms: ФОТОДИОДЫ, ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, КОНЦЕНТРАЦИЯ, ПОСТОЯННАЯ ВРЕМЕНИ
File Description: text/html
-
17Academic Journal
Authors: Трегулов, Вадим
Subject Terms: ГЕТЕРОСТРУКТУРА,ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ,ГЛУБОКИЕ УРОВНИ,ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ,ПОВЕРХНОСТНЫЕ СОСТОЯНИЯ
File Description: text/html
-
18Academic Journal
Subject Terms: золь-гель, ZnO, вольт-фарадные характеристики, вольт-амперные характеристики
Relation: http://rour.neicon.ru:80/xmlui/bitstream/rour/203941/1/nora.pdf; 538.915;681.7.064; https://openrepository.ru/article?id=203941
Availability: https://openrepository.ru/article?id=203941
-
19Academic Journal
Authors: НОВИКОВ С.А. ЧАЙКОВСКИЙ В.М.
Subject Terms: МДП СТРУКТУРА, ГИСТЕРЕЗИС, ЗАРЯДОВАЯ НЕСТАБИЛЬНОСТЬ, ПОВЕРХНОСТНЫЕ СОСТОЯНИЯ, ВСТРОЕННЫЙ ЗАРЯД, НАПРЯЖЕНИЕ СМЕЩЕНИЯ, ЦИКЛ ИЗМЕРЕНИЯ, МИКРОКОНТРОЛЛЕР, ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ВЫЧИСЛЕНИЕ, Metal insulator semiconductor (MIS) structure hysteresis
File Description: text/html
-
20Academic Journal
Source: Известия Томского политехнического университета
Subject Terms: металл-диэлектрик-полупроводник, расчеты, параметры, программы, полупроводник-диэлектрик, вольт-фарадные характеристики, плотность, МДП-структуры, границы раздела, МДП, метод Термана
File Description: application/pdf
Access URL: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1447
