The Experimental Study of the Cerium Dioxide - Silicon Interface of MIS Structures

Authors: L. M. Korolevych, A. V. Borisov, A. O. Voronko

Contributors: ELAKPI

Source: Vìsnik Nacìonalʹnogo Tehnìčnogo Unìversitetu Ukraïni Kììvsʹkij Polìtehnìčnij Ìnstitut: Serìâ Radìotehnìka, Radìoaparatobuduvannâ, Iss 85 (2021)

Subject Terms: дiоксид церiю, MIS structure, flat-band voltage, напряжение плоских зон, capacitance-voltage characteristic (CV characteristic), напруга плоских зон, МДН структура, щiльнiсть заряду на межi подiлу дiелектрикнапiвпровiдник, TK5101-6720, МДП структура, вольт-фарадна характеристика (ВФХ), вольт-фарадная характеристика (ВФХ), cerium dioxide, 7. Clean energy, charge density at the dielectric-semiconductor interface, диоксид церия, Telecommunication, плотность заряда на границе раздела диэлектрик-полупроводник

File Description: application/pdf

Access URL: https://doaj.org/article/dfa434ee89ef41a5bebc16d0deafa739
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1722
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/56109

The barrier capacitance of n-SnS2/n-CdIn2Te4 heterojunction ; Бар’єрна ємність гетеропереходу n-SnS2/n-CdIn2Te4

Authors: Grushka, O.G., Chupyra, S. M., Myslyuk, O.M., Slyotov, O.M.

Source: Physics and Chemistry of Solid State; Vol. 23 No. 3 (2022); 450-453 ; Фізика і хімія твердого тіла; Том 23 № 3 (2022); 450-453 ; 2309-8589 ; 1729-4428

Subject Terms: heterojunction, barrier capacitance, capacitance-voltage characteristic, structural defects, гетероперехід, бар'єрна ємність, вольт-фарадна характеристика, структурні дефекти

File Description: application/pdf

Relation: https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/5744/6530; https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/5744/6531; https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/5744

Availability: https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/5744
https://doi.org/10.15330/pcss.23.3.450-453

The Experimental Study of the Cerium Dioxide - Silicon Interface of MIS Structures ; Экспериментальное исследование границы раздела диоксид церия — кремний МДП структур ; Експериментальне дослідження межі розділу діоксид церію — кремній МДН структур

Authors: Королевич, Л. М., Борисов, О. В., Воронько, А. О.

Source: Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 85 (2021); 69-74 ; Вестник НТУУ" КПИ ". Серия радиотехника Радиоаппаратостроение; № 85 (2021); 69-74 ; Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; № 85 (2021); 69-74 ; 2310-0389 ; 2310-0397 ; 10.20535/RADAP.2021.85

Subject Terms: MIS structure, cerium dioxide, capacitance-voltage characteristic (CV characteristic), flat-band voltage, charge density at the dielectric-semiconductor interface, МДН структура, діоксид церію, вольт-фарадна характеристика (ВФХ), напруга плоских зон, щільність заряду на межі поділу діелектрик-напівпровідник

File Description: application/pdf

Relation: http://doi.radap.kpi.ua/article/view/326641/316440; http://doi.radap.kpi.ua/article/view/326641

Availability: http://doi.radap.kpi.ua/article/view/326641

The Experimental Study of the Cerium Dioxide Silicon Interface of MIS Structures ; Експериментальне дослiдження межi роздiлу дiоксид церiю – кремнiй МДН структур ; Экспериментальное исследование границы раздела диоксид церия – кремний МДП структур

Authors: Korolevych, L. M., Borisov, A. V., Voronko, A. O.

Subject Terms: MIS structure, cerium dioxide, capacitance-voltage characteristic (CV characteristic), flat-band voltage, charge density at the dielectric-semiconductor interface, МДН структура, дiоксид церiю, вольт-фарадна характеристика (ВФХ), напруга плоских зон, щiльнiсть заряду на межi подiлу дiелектрикнапiвпровiдник, МДП структура, диоксид церия, вольт-фарадная характеристика (ВФХ), напряжение плоских зон, плотность заряда на границе раздела диэлектрик-полупроводник, 621.382

File Description: Pp. 69-74; application/pdf

Relation: Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць, Вип. 85; Korolevych, L. M. The Experimental Study of the Cerium Dioxide Silicon Interface of MIS Structures / Korolevych L. M., Borisov A. V., Voronko A. O. // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2021. – Вип. 85. – С. 69-74. – Бібліогр.: 17 назв.; https://ela.kpi.ua/handle/123456789/56109; orcid:0000-0002-4006-280X; orcid:0000-0003-4553-3591; orcid:0000-0003-2899-963X

Availability: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/56109

The Experimental Study of the Cerium Dioxide - Silicon Interface of MIS Structures

Source: Visnyk NTUU KPI Seriia-Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 85 (2021); 69-74
Вестник НТУУ" КПИ ". Серия радиотехника Радиоаппаратостроение; № 85 (2021); 69-74
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; № 85 (2021); 69-74

Subject Terms: діоксид церію, MIS structure, charge density at the dielectric-semiconductor interface, flat-band voltage, щільність заряду на межі поділу діелектрик-напівпровідник, capacitance-voltage characteristic (CV characteristic), напруга плоских зон, МДН структура, вольт-фарадна характеристика (ВФХ), cerium dioxide

File Description: application/pdf

Access URL: http://doi.radap.kpi.ua/article/view/326641

FEATURES of VOLT-FARAD DEPENDENCE OF NONIDEAL HETEROJUNCTIONS BARRIER CAPACITY

Authors: Borschak, V. A., Kutalova, M. I., Zatovskaya, N. P., Vilinskaya, L. N., Karpenko, A. O.

Source: Photoelectronics; No. 25 (2016); 109-113
Photoelectronics; № 25 (2016); 109-113

Subject Terms: стрибкова провідність, volt-farad characteristic, вольт-фарадная характеристика, nonideal heterojunctin, неидеальный гетеропереход, вольт-фарадна характеристика, прыжковая проводимость, неідеальний гетероперехід

File Description: application/pdf

Access URL: http://photoelectronics.onu.edu.ua/article/view/157643

Nanostructured ZnO arrays fabricated via pulsed electrodeposition and coated with Ag nanoparticles for ultraviolet photosensors ; Виготовлені імпульсним електроосадженням і вкриті наночастинками Ag наноструктуровані масиви ZnO для ультрафіолетових фотосенсорів

Authors: Klochko, N. P., Klepikova, K. S., Petrushenko, S. I., Kopach, V. R., Khrypunov, G. S., Korsun, V. E., Lyubov, V. M., Kirichenko, M. V., Dukarov, S. V., Khrypunova, A. L.

Subject Terms: pulse electrodeposition, capacitance-voltage characteristic, ultraviolet photosensor, structure, electronic parameter, імпульсне електроосадження, вольт-фарадна характеристика, ультрафіолетовий фотосенсор, структура, електронний параметр

File Description: application/pdf

Relation: Nanostructured ZnO arrays fabricated via pulsed electrodeposition and coated with Ag nanoparticles for ultraviolet photosensors / N. P. Klochko [et al.] // Журнал нано- и электронной физики = Journal of Nano- and Electronic Physics. – 2018. – Т. 10, № 3. – С. 03027-1–03027-8.; http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/40601

Availability: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/40601
https://doi.org/10.21272/jnep.10(3).03027

Nanostructured ZnO Arrays Fabricated via Pulsed Electrodeposition and Coated with Ag Nanoparticles for Ultraviolet Photosensors

Subject Terms: ультрафиолетовый фотосенсор, електронний параметр, імпульсне електроосадження, ultraviolet photosensor, вольт-фарадна характеристика, capacitance-voltage characteristic, структура, электронный параметр, вольт-фарадная характеристика, pulse electrodeposition, импульсное электроосаждение, structure, electronic parameter, ультрафіолетовий фотосенсор, Ag/ZnO

File Description: application/pdf

Access URL: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70716

Електричні характеристики діодів Шотткі на основі IGZO

Contributors: Борисов, Олександр Васильович, ELAKPI

Subject Terms: алгоритм визначення параметрів, діод Шотткі, вольт-фарадна характеристика, індій-галід-оксид цинку

File Description: application/pdf

Access URL: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/53189

Особливості впливу X-випромінювання та магнітного поля на електрофізичні характеристики бар’єрних структур на основі дислокаційного p-Si, призначеного для сонячної енергетики

Subject Terms: вольт-амперна характеристика, I-V characteristics, магнитное поле, поверхностные состояния, поверхностно-барьерная структура, магнітне поле, silicon, дислокації, magnetic field, дислокации, вольт-фарадна характеристика, кремній, кремний, вольт-фарадная характеристика, X-rays, C-V characteristics, surface states, Х-излучения, surface-barrier structures, поверхнево-бар'єрна структура, Х-випромінювання, поверхневі стани, dislocations, вольт-амперная характеристика

File Description: application/pdf

Access URL: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43268

Nanostructured ZnO Arrays Fabricated via Pulsed Electrodeposition and Coated with Ag Nanoparticles for Ultraviolet Photosensors ; Изготовленные импульсным электроосаждением и покрытые наночастицами Ag наноструктурированные массивы ZnO для ультрафиолетовых фотосенсоров ; Виготовлені імпульсним електроосадженням і вкриті наночастинками Ag наноструктуровані масиви ZnO для ультрафіолетових фотосенсорів

Subject Terms: Ag/ZnO, pulse electrodeposition, capacitance-voltage characteristic, ultraviolet photosensor, structure, electronic parameter, импульсное электроосаждение, вольт-фарадная характеристика, ультрафиолетовый фотосенсор, структура, электронный параметр, імпульсне електроосадження, вольт-фарадна характеристика, ультрафіолетовий фотосенсор, електронний параметр

File Description: application/pdf

Relation: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70716

Availability: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70716

Особливості впливу X-випромінювання та магнітного поля на електрофізичні характеристики бар’єрних структур на основі дислокаційного p-Si, призначеного для сонячної енергетики ; Особенности воздействия X-излучения и магнитного поля на электрофизические харак- теристики барьерных структур на основе дислокационного p-Si, предназначенного для солнечной энергетики ; Features of Influence of X-radiation and Magnetic Field on the Electrical Characteristics of Barrier Structures Based on p-Si with Dislocation, Designed for Solar Energy

Authors: Слободзян, Д.П., Павлик, Б.В., Кушлик, М.О.

Subject Terms: кремній, кремний, silicon, поверхнево-бар’єрна структура, поверхностно-барьерная структура, surface-barrier structures, Х-випромінювання, Х-излучения, X-rays, магнітне поле, магнитное поле, magnetic field, дислокації, дислокации, dislocations, вольт-амперна характеристика, вольт-амперная характеристика, I-V characteristics, вольт-фарадна характеристика, вольт-фарадная характеристика, C-V characteristics, поверхневі стани, поверхностные состояния, surface states

File Description: application/pdf

Relation: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43268

Availability: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43268

Методичні вказівки до лабораторних робіт 'Дослідження електронних параметрів і рекомбінаційних процесів в діодних напівпровідникових структурах за їх вольт-амперними, вольт-фарадними і амплітудно-часовими характеристиками' з розділів модуля 'Сучасні методи дослідження мікро- та нанорозмірних напівпровідникових структур' дисципліни 'Фізичні властивості та сучасні методи дослідження мікро- та нанорозмірних напівпровідникових структур'

Authors: Копач, Володимир Романович, Хрипунов, Геннадій Семенович, Зайцев, Роман Валентинович, Кіріченко, Михайло Валерійович

Subject Terms: діодні структури, електронна техніка, вольт-амперна характеристика, вольт-фарадна характеристика, носії заряду, фотоелектричні перетворювачі, холостий хід, магнітне поле, фотострум, опромінювання, область переважної рекомбінації

File Description: application/pdf

Relation: Методичні вказівки до лабораторних робіт "Дослідження електронних параметрів і рекомбінаційних процесів в діодних напівпровідникових структурах за їх вольт-амперними, вольт-фарадними і амплітудно-часовими характеристиками" з розділів модуля "Сучасні методи дослідження мікро- та нанорозмірних напівпровідникових структур" дисципліни "Фізичні властивості та сучасні методи дослідження мікро- та нанорозмірних напівпровідникових структур" : для студ. спец. 7(8).05080101 "Мікро- та наноелектронні прилади і пристрої" / уклад. В. Р. Копач [та ін.]. – Харків : НТУ "ХПІ", 2013. – 59 с.; http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4914

Availability: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4914