-
1Conference
Authors: Malevskaya, Anastasia, Mintairov, Mikhail, Evstropov, Valery, Malevsky, Dmitry, Malevskaya, Aleksandra, Kalyuznyy, Nikolay
Subject Terms: I–V curve, contact resistance, spreading resistance, сопротивление контактов, photovoltaic converters, электролюминесценция, фотоэлектрические преобразователи, electroluminescence, сопротивление растекания, вольт-амперная характеристика
-
2Academic Journal
Authors: V. A. Vinniychuk, N. N. Podrezov, Yu. V. Doronin
Source: Глобальная ядерная безопасность, Vol 0, Iss 4, Pp 22-26 (2023)
Subject Terms: 0209 industrial biotechnology, mma процесс, pulse saw процесс, mag процесс, TK9001-9401, нагрузочная характеристика, источник питания, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, динамическая вольт – амперная характеристика, электронный балластник, 0103 physical sciences, статическая вольт-амперная характеристика, Nuclear engineering. Atomic power, регистратор сварочных процессов, система питания сварочной дуги
-
3Academic Journal
Authors: N. S. Kovalchuk, Y. A. Pilipenko, Ja. А. Solovjov, Н. С. Ковальчук, В. А. Пилипенко, Я. А. Соловьёв
Source: Devices and Methods of Measurements; Том 16, № 3 (2025); 275-280 ; Приборы и методы измерений; Том 16, № 3 (2025); 275-280 ; 2414-0473 ; 2220-9506 ; 10.21122/2220-9506-2025-16-3
Subject Terms: наработка на отказ, pyrogenic oxidation, pulsed photon processing, volt-ampere characteristic, operating time to failure, пирогенное окисления, импульсная фотонная обработка, вольт-амперная характеристика
File Description: application/pdf
Relation: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/981/739; Doering, R. Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology, 2nd ed. / R. Doering, Y. Nishi. NY: CRC Press, 2007. DOI:10.1201/9781420017663; Харченко, В. А. Проблемы надежности электронных компонент / В. А. Харченко // Известия вузов. Материалы электронной техники. – 2015. – Т. 18, № 1. – С. 52–57. DOI:10.17073/1609-3577-2015-1-52-57; Данилин, Н. Проблемы применения перспективной электронной компонентной базы в космосе / Н. Данилин, С. Белослудцев // Современная электроника. – 2006. – № 4. – С. 16–17.; Красников, Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОПтранзисторов : в 2 ч. / Г.Я. Красников. – М.: Техносфера, 2002. – Ч. 1.– 416 с.; Никифоров, А. Ю. Радиационная стойкость электронной компонентной базы систем специальной техники и связи / А. Ю. Никифоров, В. А. Телец // Спецтехника и связь. – 2011. – № 4. – С. 2–4.; Солодуха, В. А. Экспрессный контроль надежности подзатворного диэлектрика полупроводниковых приборов / В. А. Солодуха [и др.]. // Приборы и методы измерений. – 2018. – Т. 9, № 4. – С. 306–313. DOI:10.21122/2220-9506-2018-9-4-308-313; Pilipenko, V. A. Influence of Fast Thermal Treatment on the Electrophysical Properties of Silicon Dioxide / V. A. Pilipenko, V. A. Solodukha, V. A. Gorushko // Journal of Engineering Physics and Thermophysics. 2018. – Vol. 91, No 5. – P. 1337–1341. DOI:10.1007/s10891-018-1866-0; Ковальчук, Н. С. Влияние импульсной фотонной обработки в среде азота на оптические и электрофизические характеристики слоев двуокиси кремния и ее границы с кремнием / Н. С. Ковальчук, В. А. Пилипенко, Я. А. Соловьёв // Доклады БГУИР. – 2025. – Т. 23, № 3. – С. 5–11. DOI:10.35596/1729-7648-2025-23-3-5-11; Белоус, А. И. Методы повышения надежности микросхем на основе тестовых структур / А. И. Белоус, А. С. Турцевич, Г. Г. Чигирь. − Германия, LAP LAMBERT Academic Publishing GmbH & Co. KG HeinrichBöcking, 2012. − 240 с.; https://pimi.bntu.by/jour/article/view/981
-
4Academic Journal
Authors: L. I. Gretchikhin, Л. И. Гречихин
Source: ENERGETIKA. Proceedings of CIS higher education institutions and power engineering associations; Том 68, № 4 (2025); 291-310 ; Энергетика. Известия высших учебных заведений и энергетических объединений СНГ; Том 68, № 4 (2025); 291-310 ; 2414-0341 ; 1029-7448 ; 10.21122/1029-7448-2025-68-4
Subject Terms: работа выхода, zener diode, volt-ampere characteristic, conduction current, displacement current, thermoautoelectronic emission, affinity energy, work function, стабилитрон, вольт-амперная характеристика, ток проводимости, ток смещения, термоавтоэлектронная эмиссия, энергия сродства
File Description: application/pdf
Relation: https://energy.bntu.by/jour/article/view/2478/1955; Gretchikhin, L. I. Formation of Negative Ions on the Surface of a Solid Body and Their Influence on the Thermoelectronic and Autoelectronic Emission of Free Electrons / L. I. Gretchikhin // American Journal of Scientific Research. 2019. Vol. 5, No 3. Р. 47–55. https://doi.org/10.11648/j.ajasr.20190503.11.; Жеребцов, И. П. Основы электроники / И. П. Жеребцов. Л.: Энергоатомиздат, 1990. 352 с.; Забродин, Ю. С. Промышленная электроника: учеб. для вузов / Ю. С. Забродин. М.: Альянс, 2013. 496 с.; Гладков, Л. Л. Физические основы электроники: учеб. пособие / Л. Л. Гладков, И. Р. Гулаков, А. Зеневич. Минск: Белорус. гос. академия связи, 2017. 227 с.; Гречихин, Л. И. Удельное электрическое сопротивление при токах проводимости и токах смещения / Л. И. Гречихин // Авиационный вестник. 2023. № 9. С. 10–21.; Gretchikhin, L. I. Formation of p-, n-Conductivity in Semiconductors / L. I. Gretchikhin // Military Technical Courier Scientific Periodical of the Ministry of Defence of the Republic of Serbia. 2018. Vol. 66, No 3. P. 304–321.; Гречихин, Л. И. Формирование р-, n-проводимости и p–n перехода / Л. И. Гречихин // Упрочняющие технологии и покрытия. 2018. Т. 14, №5. С. 231–238.; Гречихин, Л. И. Формирование p- и n-проводимости отрицательными ионами / Л. И. Гречихин // Авиационный вестник. 2023. № 6. С. 8–16.; Физические величины: справ. / А. И. Бабичев, Н. А. Бабушкина, А. М. Братковский [и др.]; под ред. И. С. Григорьева, Е. Д. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.; Радциг, А. А. Справочник по атомной и молекулярной физике / А. А. Радциг, Б. М. Смирнов. М.: Атомиздат, 1980. 240 с.; Gretchikhin, L. Built-in and Induced Electric Dipole Moments in Complex Atomic Systems and in the Diatomic Molecules / L. Gretchikhin // Авиационный вестник. 2020. No 2. Р. 28–34.; Гречихин, Л. И. Аллотропия в металлах и ее влияние на работу теплового двигателя / Л. И. Гречихин, Н. Г. Куць // Прогресивні технології і системи машинобудування: Міжнародний збірник наукових праць. Донецьк: ДонНТУ. 2011. Вип. 42. С. 83–89.; Гречихин, Л. И. Взаимодействие напыляемых частиц с поверхностью твердого тела / Л. И. Гречихин, Ю. Шмермбекк // Авиационный вестник. 2021. № 5. С. 21–28.; Исследования поверхностного слоя кремния с напылением индия / Л. И. Гречихин, Ю. Шмермбекк, Г. Ф. Лепин [и др.]. Берлин: Lambert. Academic Publishing, 2015. 80 c.; Binning, G. Scanning Tunneling Microscopy / G. Binning, H. Rohrer // Helv. Phys. Acta. 1982. Vol. 55, No 6. Р. 726–735.; Кластерная структура кремния и конструкция его поверхности / Л. И. Гречихин, С. Д. Латушкина, В. М. Комаровская [и др.] // Упрочняющие технологии и покрытия. 2015, № 9. C. 5–10.; Гречихин, Л. И. Физика наночастиц и нанотехнологий. Общие основы, механические, тепловые и эмиссионные свойства / Л. И. Гречихин. Минск: Технопринт, 2004. 399 с.; Гречихин, Л. И. Физика. Электричество и магнетизм. Современная электродинамика / Л. И. Гречихин. Минск: Право и экономика, 2008. 302 с.; Эмиссионный портрет поверхности упрочняющего конструкционного материала / Ю. Шмермбекк, Д. Б. Мигас, А. И. Гутковский [и др.] // Упрочняющие технологии и покрытия. 2020. № 3. C. 136–143.; https://energy.bntu.by/jour/article/view/2478
-
5Academic Journal
Authors: N. L. Lagunovich, Н. Л. Лагунович
Source: Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physical-technical series; Том 69, № 4 (2024); 329-339 ; Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук; Том 69, № 4 (2024); 329-339 ; 2524-244X ; 1561-8358 ; 10.29235/1561-8358-2024-69-4
Subject Terms: вольт-амперная характеристика, device-process simulation, coordinate system, technological process, constructive-technological parameter, electrophysical parameter, volt-ampere characteristic, приборно-технологическое моделирование, система координат, технологический процесс, конструктивно-технологический параметр, электрофизический параметр
File Description: application/pdf
Relation: https://vestift.belnauka.by/jour/article/view/868/685; МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов / П. Антонетти [и др.]; под общ. ред. П. Антонетти. – М.: Радио и связь, 1988. – 490 с.; Абрамов, И. И. Лекции по моделированию элементов интегральных схем / И. И. Абрамов. – М.; Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2005. – 152 с.; Зи, С. Физика полупроводниковых приборов: в 2 кн.: пер. с англ. / С. Зи. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Мир, 1984. – Кн. 1. – 456 с.; Маллер, Р. Элементы интегральных схем / Р. Маллер, Т. Кейминс. – М.: Мир, 1989. – 630 с.; Дудар, Н. Л. Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В / Н. Л. Дудар, В. С. Сякерский, Н. Н. Корытко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2009. – № 3. – С. 10–12.; Дудар, Н. Л. Приборно-технологическое моделирование дискретного кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 Вольт / Н. Л. Дудар, В. М. Борздов // Электроника-инфо. – 2011. – № 2. – С. 77–80.; Лагунович, Н. Л. Моделирование влияния типа эпитаксиальной пленки на электрические характеристики высоковольтных кремниевых диодов / Н. Л. Лагунович, А. С. Турцевич, В. М. Борздов, // Вес. Нац. акад. навук Беларусi. Сер. фiз.-тэхн. навук. – 2015. – № 2. – С. 98–102.; Лагунович, Н. Л. Моделирование высоковольтного кремниевого диода, построение зависимостей его плотности тока от температуры / Н. Л. Лагунович // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем: сб. тр. IХ Всерос. науч.-техн. конф., Москва, 5–8 окт., 2020 г.: в 4 вып. – М., 2020. – Вып. 2. – С. 22–28.; Dudar, N. L. The Simulation of PNP-Transistor as an Element of High-Voltage Integrated Circuits by Various Parameters of Epitaxial Film / N. L. Dudar, V. M. Borzdov // 8th Proc. of IEEE East-West Desighn & Test Symposium, St. Petersburg, Russia, September 17–20, 2010. – P. 262–263.; https://vestift.belnauka.by/jour/article/view/868
-
6Academic Journal
Authors: А. А. Феклистова, М. В. Рябцева, Е. С. Чуянова, Н. Т. Вагапова
Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 28, № 1 (2025) ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 28, № 1 (2025) ; 2413-6387 ; 1609-3577
Subject Terms: малый космический аппарат, солнечная батарея, кремний, ионизирующее излучение, диффузионная длина, вольт-амперная характеристика
Relation: Flood D., Brandhorst H. Current Topics in Photovoltaics //Current Topics in Photovoltaics, New York: Academic Press. 1987, vol. 2, pp. 143.; Гансвинд И. Н. Малые космические аппараты–новое направление космической деятельности //Международный научно-исследовательский журнал. 2018. №. 12-2 (78). С. 84 – 91. https://doi.org/10.23670/IRJ.2018.78.12.053.; Дорошин А. В. Анализ потребностей рынка, интересов частных коммерческих организаций, занимающихся разработкой изделий и предоставлением услуг в области космонавтики и сопряженных технологий. URL: https://kosmos.ssau.ru/files/Kosmos_SSAU_marketrepot_2022.pdf (дата обращения 25.11.2024).; Асташкин А. А., Карелин А. В., Комиссарова И. Н., Кузьмин Ю. А., Шувалов В. А., Яковлев А. А. Обзор орбитальных группировок космических аппаратов оперативного метеонаблюдения //Вопросы электромеханики. Труды ВНИИЭМ. 2021. Т. 181. №. 2. С. 24 – 55.; Luque A., Hegedus S. (ed.). Handbook of photovoltaic science and engineering. – John Wiley & Sons, 2011.; Yamaguchi M. Radiation-resistant solar cells for space use //Solar energy materials and solar cells, 2001, vol. 68, no. 1, pp. 31 – 53. https://doi.org/10.1016/S0927-0248(00)00344-5.; Tada H. Y., Carter J. R., Anspaugh B.E., Downing R.G. Solar cell radiation handbook. Pasadena, Calif.: National Aeronautics and Space Administration, Jet Propulsion Laboratory, Institute of Technology. 1982. 403 p.; Messenger S. R., Jackson E.M., Warner J. H., Walters R. J. SCREAM: A new code for solar cell degradation prediction using the displacement damage dose approach //2010 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2010, pp. 001106-001111. https://doi.org/10.1109/pvsc.2010.5614713.; Рябцева М. В., Чуянова Е. С., Бадурин И. В., Логинова Е. С., Вагапова Н. Т., Петров А. С., Сергеев О. С., Таперо К. И., Арзамасцева Д. М. Исследование радиационной стойкости современных фотоэлектрических преобразователей на основе Si // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. – 2023. № 4, С. 24 – 30.; Клиновицкая И. А., Плотников С. В. Модификация стандартной производственной линии Al-BSF фотоэлектрических преобразователей до PERC с использованием PECVD //Журнал технической физики. 2022. Т. 92, №. 4. https://doi.org/10.21883/JTF.2022.04.52246.224-21.; Mehta H. K., Warke H., Kukadiya K., Panchal A.K. Accurate expressions for single-diode-model solar cell parameterization. IEEE Journal of Photovoltaics, 2019, vol. 9, no. 3, pp. 803 – 810.; Пархоменко Ю. Н., Полисан А. А. Физика и технология приборов фотоники. – М.: Издательский дом «МИСиС», 2013. 142 с.; Shannan N. M. A. A., Yahaya N. Z., Singh B. Single-diode model and two-diode model of PV modules: A comparison. 2013 IEEE international conference on control system, computing and engineering. 2013, pp. 210 – 214. https://doi.org/10.1109/ICCSCE.2013.6719960.; King D. L., Boyson W. E., Kratochvil J. A. Photovoltaic Array Performance Model. Draft Sandia National Laboratories, 2003, 39 p.; Koffi A. H., Armah E. A., Ampomah-Benefo K., Dodoo-Arhin D. A Step by Step Analytical Solution to the Single Diode Model of a Solar Cell. NUST Journal of Engineering Sciences, 2022, vol. 15, no. 2, pp. 60 – 64. https://doi.org/10.24949/njes.v15i2.728.; Koffi H. A., Yankson A. A., Hughes A. F., Ampomah-Benefo K., Amuzu J. K. A. Determination of the series resistance of a solar cell through its maximum power point. African Journal of Science, Technology, Innovation and Development, 2020, vol. 12, no. 6, pp. 699 – 702. https://doi.org/10.1080/20421338.2020.1731073.; Емельянов В. М., Калюжный Н. А., Минтаиров С. А., Шварц М. З., Лантратов В. М. Многопереходные солнечные элементы с брэгговскими отражателями на основе структур GaInP/GaInAs/Ge // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44, № 12. С. 1649 – 1654.; Tajima M., Warashina M., Hisamatsu T., Matsuda S. Photoluminescence due to boron-related defect in solar cell silicon irradiated with 1 MeV electrons. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2001, vol. 48, no. 6, pp. 2127 – 2130. https://doi.org/10.1109/23.983183.; Yamaguchi M., Khan A., Taylor S. J., Imaizumi M., Hisamatsu T., Matsuda S. A detailed model to improve the radiation-resistance of Si space solar cells. IEEE Transactions on Electron Devices, 1999, vol. 46, no. 10, pp. 2133 – 2138. https://doi.org/10.1109/16.792008.; Rehman A., Lee S. H., Lee S. H. Silicon space solar cells: progression and radiation-resistance analysis //Journal of the Korean Physical Society, 2016, vol. 68, pp.593 – 598.; Cappelletti M. A., Casas G. A., Cedola A. P., Blancá E. P. Theoretical study of the maximum power point of n-type and p-type crystalline silicon space solar cells. Semiconductor science and technology, 2013, vol. 28, no. 4, p. 045010. https://doi.org/10.1088/0268-1242/28/4/045010.; Евдокимов В. М. Определение параметров неосновных носителей в полупроводниковых фотоэлементах по кривой спектральной чувствительности // Гелиотехника. 1972. №. 3. С. 32 – 38.; Емельянов В.М., Минтаиров С.А., Калюжный Н.А., Лантратов В.М. Внешний квантовый выход фотоответа каскадных солнечных элементов // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки. 2009. Т. 2, № 77. С. 14 – 23.; Васильев А. М., Ландсман А. П. Полупроводниковые фотопреобразователи. – М.: Советское радио, 1971. 248 с.; Li S., Huang L., Ye J., Hong Y., Wang Y., Gao H., Cui Q. Study on Radiation Damage of Silicon Solar Cell Electrical Parameters by Nanosecond Pulse Laser. Electronics, 2024, vol. 13, no. 9, p. 1795. https://doi.org/10.3390/electronics13091795.; https://met.misis.ru/jour/article/view/628
-
7Academic Journal
Source: Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 26, Iss 3 (2024)
-
8Academic Journal
Experimental Study of NBνN Barrier Structures Based on MBE n-HgCdTe for MWIR and LWIR Photodetectors
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V., Dzyadukh, Stanislav M., Gorn, Dmitriy Igorevich, Dvoretsky, Sergei A., Mikhailov, Nikolay N., Sidorov, Georgiy Yu., Yakushev, Maxim V.
Source: Journal of communications technology and electronics. 2023. Vol. 68, № 3. P. 334-337
-
9Academic Journal
Authors: D. A. Aharodnikau, S. B. Lastovskii, Yu. V. Bogatyrev, A. M. Lemeshevskaya, U. S. Tsymbal, S. V. Shpakovski, Д. А. Огородников, С. Б. Ластовский, Ю. В. Богатырев, А. М. Лемешевская, В. С. Цымбал, С. В. Шпаковский
Contributors: This work was supported by Belarusian Republican Foundation for Fundamental Research (grant no. Т23МЭ-024)., Работа выполнена при поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (грант № Т23МЭ-024).
Source: Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series; Том 60, № 3 (2024); 252-262 ; Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук; Том 60, № 3 (2024); 252-262 ; 2524-2415 ; 1561-2430 ; 10.29235/1561-2430-2024-60-3
Subject Terms: радиационная стойкость, volt-ampere characteristic, avalanche breakdown, gamma radiation, radiation hardness, вольт-амперная характеристика, лавинный пробой, гамма-излучение
File Description: application/pdf
Relation: https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/800/613; Гулаков, И. Р. Фотоприемники квантовых систем / И. Р. Гулаков, А. О. Зеневич. – Минск: УО ВГКС, 2012. – 276 c.; Dinu, N. Silicon photomultipliers (SiPM) / N. Dinu // Photodetectors: Materials, Devices and Applications. – Elsevier, 2016. – P. 255–294. https://doi.org/10.1016/b978-1-78242-445-1.00008-7; Silicon photomultiplier and its possible applications / P. Buzhan [et al.] // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2003. – Vol. 504, № 1–3. – P. 48–52. https://doi.org/10.1016/s0168-9002(03)00749-6; Lecoq, P. SiPM applications in positron emission tomography: toward ultimate PET time-of-flight resolution / P. Lecoq, S. Gundacker // Eur. Phys. J. Plus. – 2021. – Vol. 136, № 3. – Art. ID 292. https://doi.org/10.1140/epjp/s13360-021-01183-8; A short wavelength GigaHertz clocked fiber-optic quantum key distribution system / K. J. Gordon [et al.] // IEEE J. Quantum Electron. – 2004. – Vol. 40, № 7. – P. 900–908. https://doi.org/10.1109/jqe.2004.830182; Lidar with SiPM: Some capabilities and limitations in real environment / R. Agishev [et al.] // Optics & Laser Technology. – 2013. – Vol. 49. – P. 86–90. https://doi.org/10.1016/j.optlastec.2012.12.024; Silicon Photomultipliers and SPAD imagers in biophotonics: Advances and perspectives / M. Caccia [et al.] // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2019. – Vol. 926. – P. 101–117. https://doi.org/10.1016/j.nima.2018.10.204; Optical crosstalk in SiPMs / M. R. Hampel [et al.] // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2020. – Vol. 976. – Art. ID 164262. https://doi.org/10.1016/j.nima.2020.164262; The cross-talk problem in SiPMs and their use as light sensors for imaging atmospheric Cherenkov telescopes / Е. Popova [et al.] // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2009. – Vol. 610, № 1. – P. 131–134. https://doi.org/10.1016%2Fj.nima.2009.05.150.; Optical crosstalk in single photon avalanche diode arrays: a new complete model / I. Rech [et al.] // Opt. Express. – 2008. – Vol. 16, № 12. – P. 8381–8394. https://doi.org/10.1364/oe.16.008381; Грехов, И. В. Лавинный пробой р–n-перехода в полупроводниках / И. В. Грехов, Ю. Н. Сережкин. – Л.: Энергия, 1980. – 152 с.; Mirzoyan, R. Light emission in Si avalanches / R. Mirzoyan, R. Kosyra, H. G. Moser // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2009. – Vol. 610, № 1. – P. 98–100. https://doi.org/10.1016/j.nima.2009.05.081; On the bremsstrahlung origin of hot-carrier-induced photons in silicon devices / A. L. Lacaita [et al.] // IEEE Trans. Electron Devices. – 1993. – Vol. 40, № 3. – P. 577–582. https://doi.org/10.1109/16.199363; Optical crosstalk photon penetration depth in Silicon Photomultipliers / C. Zhang [et al.] // Optik. – 2021. – Vol. 239. – P. 166864. https://doi.org/10.1016/j.ijleo.2021.166864; Kindt, W. J. Optical Cross Talk in Geiger Mode Avalanche Photodiode Arrays: Modeling, Prevention and Measurement / W. J. Kindt, H. W. van Zeijl, S. Middelhoek // 28th European Solid-State Device Research Conference. – Bordeaux, 1998. – P. 192–195.; Кремниевые фотоприемники с внутренним усилением широкого спектра применения / С. А. Сорока [и др.] // Приборостроение-2020: материалы 13-й Междунар. науч.-техн. конф., 18–20 нояб. 2020 г., Минск, Респ. Беларусь / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2020. – С. 393–394.; Огородников, Д. А. Моделирование накопления заряда в кремниевых фотоэлектронных умножителях под воздействием мягкого рентгеновского излучения / Д. А. Огородников // Вес. Нац. акад. навук Беларусі. Сер. фіз.-мат. навук. – 2022. – Т. 58, № 3. – С. 337–343. https://doi.org/10.29235/1561-2430-2022-58-3-337-343; Garutti, E. Characterization and X-Ray damage of Silicon Photomultipliers / E. Garutti // Proceedings of Technology and Instrumentation in Particle Physics 2014 – PoS(TIPP2014). – Amsterdam, 2014. https://doi.org/10.22323/1.213.0070; Garutti, E. Radiation Damage of SiPMs / E. Garutti, Yu. Musienko // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2019. – Vol. 926. – P. 69–84. https://doi.org/10.1016/j.nima.2018.10.191.; Radiation hardness of silicon photomultipliers under 60Co γ-ray irradiation / R. Pagano [et al.] // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2014. – Vol. 767. – P. 347–352. https://doi.org/10.1016/j.nima.2014.08.028; Nakamura, I. Radiation damage of pixilated photon detector by neutron irradiation / I. Nakamura // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2009. – Vol. 610, № 1. – P. 110–113. https://doi.org/10.1016/j.nima.2009.05.086; Engelmann, Е. Dark Count Rate of Silicon Photomultipliers / E. Engelmann. – Cuvillier, 2018. – 194 р.; Sze, S. M. Semiconductor Devices: Physics and Technology / S. M. Sze, M.-K. Lee. – John Wiley & Sons Singapore Pte. Limited, 2012. – 582 p.; Коршунов, Ф. П. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах / Ф. П. Коршунов, Г. В. Гатальский, Г. М. Иванов. – Минск: Наука и техника, 1978. – 232 с.; Таперо, К. И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения / К. И. Таперо, В. Н. Улимов, А. М. Членов. – М.: БИНОМ, 2012. – 304 с.; Блихер, А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов: пер. с англ. / А. Блихер. – Л.: Энергоатомиздат, 1986. – 248 с.; Grove, A. S. Physics and Technology of Semiconductor Devices / A. S. Grove. – Wiley, 1967. – 366 p.; Никифоров, А. Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС / А. Ю. Никифоров, В. А. Телец, А. И. Чумаков. – М.: Радио и связь, 1994. – 164 с.; Росадо, Л. Физическая электроника и микроэлектроника: пер. с исп. / Л. Росадо. – М.: Высш. шк., 1991. – 351 с.; Першенков, В. С. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем / В. С. Першенков, В. Д. Попов, А. В. Шальнов. – М.: Энергоатомиздат; 1988. – 256 с.; https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/800
-
10Academic Journal
Authors: A. D. Zamkovets, S A. Tikhomirov, L. V. Baran, H. S. Kuzmitskaya, V. V. Malyutina-Bronskaya, I. Y. Frolov, P. V. Duong, P. H. Minh, А. Д. Замковец, С. А. Тихомиров, Л. В. Баран, А. С. Кузьмицкая, В. В. Малютина-Бронская, И. Ю. Фролов, Ф. В. Дуонг, Ф. Х. Мынь
Contributors: The work was sponsored by the Belarusian Republican Foundation for Fundamental Research and the Vietnam Academy of Science and Technology (projects no. Ф23В-007 and no. QTBY01.09/23-24)., Работа выполнена при финансовой поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований и Вьетнамской академии наук и технологий (проекты № Ф23В-007 и № QTBY01.09/23-24).
Source: Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series; Том 60, № 3 (2024); 242-251 ; Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук; Том 60, № 3 (2024); 242-251 ; 2524-2415 ; 1561-2430 ; 10.29235/1561-2430-2024-60-3
Subject Terms: фотопроводимость, surface plasmon resonance, electrodynamic interactions, volt-ampere characteristics, photoconductivity, поверхностный плазмонный резонанс, электродинамические взаимодействия, вольт-амперная характеристика
File Description: application/pdf
Relation: https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/799/612; Гусев, А. И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии / А. И. Гусев. – М.: Физматлит, 2005. – 416 с.; Kreibig, U. Optical Properties of Metal Clusters / U. Kreibig, М. Volmer. – Berlin: Springer, 1995. – 533 p. https://doi.org/10.1007/978-3-662-09109-8; Maier, S. A. Plasmonics: Fundamentals and Applications / S. A. Maier. – New York: Springer, 2007. – 224 p. https://doi.org/10.1007/0-387-37825-1; Климов, В. В. Наноплазмоника / В. В. Климов. – М.: Физматлит, 2009. – 480 с. 5. Morris, J. E. Resistance changes of discontinuous gold films in air / J. E. Morris // Thin Solid Films. – 1970. – Vol. 5, № 5–6. – P. 339–353. https://doi.org/10.1016/0040-6090(70)90106-9; Thurstans, R. E. The electroformed metal-insulator-metal structure: a comprehensive model / R. E. Thurstans, D. P. Oxley // J. Phys. D: Appl. Phys. – 2002. – Vol. 35, № 8. – P. 802–809. https://doi.org/10.1088/0022-3727/35/8/312; A hydrogen sensor based on tunneling between palladium clusters / J. Lith [et al.] // Appl. Phys. Lett. – 2007. – Vol. 91, № 18. – Art. ID 181910 (3 p.). https://doi.org/10.1063/1.2802730; Introductory Lecture: Surface enhanced Raman spectroscopy: new materials, concepts, characterization tools, and applications / J. A. Dieringer [et al.] // Faraday Discuss. – 2006. – Vol. 132. – P. 9–26. https://doi.org/10.1039/b513431p; Stuart, H. R. Island size effects in nanoparticle-enhanced photodetectors / H. R. Stuart, D. G. Hall // Appl. Phys. Lett. – 1998. – Vol. 73, № 26. – P. 3815–3817. https://doi.org/10.1063/1.122903; Atwater, H. A. Plasmonics for improved photovoltaic devices / H. A. Atwater, A. Polman // Nat. Mater. – 2010. – Vol. 9. – P. 205–213. https://doi.org/10.1038/nmat2629; Чопра, Н. Л. Электрические явления в тонких пленках / Н. Л. Чопра. – М.: Мир, 1972. – 434с. 12. Neugebauer, C. A. Electrical conduction mechanism in ultrathin, evaporated metal films / C. A. Neugebauer, M. N. Web // J. Appl. Phys. – 1962. – Vol. 33, № 1. – P. 74–82. https://doi.org/10.1063/1.1728531; Wei, H. From silver nanoparticles to thin films: Evolution of microstructure and electrical conduction on glass substrates / H. Wei, H. Eilers // J. Phys. Chem. Solids. – 2009. – Vol. 70, № 2. – P. 459–465. https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2008.11.012; Sieradzki, K. Agglomeration and percolation conductivity / K. Sieradzki, K. Bailey, T. L. Alford // Appl. Phys. Lett. – 2001. – Vol. 79, № 21. – P. 3401–3403. https://doi.org/10.1063/1.1419043; Electromagnetic energy transport via linear chains of silver nanoparticles / М. Quinten [et al.] // Opt. Lett. – 1998. – Vol. 23, № 17. – P. 1331. https://doi.org/10.1364/ol.23.001331; Araki, H. The temperature dependence of electron emission from a discontinuous carbon film device between silver film electrodes / H. Araki, T. Hanawa // Thin Solid Films. – 1988. – Vol. 158, № 2. – P. 207–216. https://doi.org/10.1016/0040-6090(88)90022-3; Xu, N. S. Novel cold cathode materials and applications / N. S. Xu, S. Ejaz Huq // Mater. Sci. Eng.: R: Rep. – 2005. – Vol. 48, № 2–3. – P. 47–189. https://doi.org/10.1016/j.mser.2004.12.001; Fedorovich, R. D. Electronic phenomena in nanodispersed thin films / R. D. Fedorovich, A. G. Naumovets, P. M. Tomchuk // J. Phys.: Condens. Matter. – 1999. – Vol. 11, № 49. – P. 9955–9967. https://doi.org/10.1088/0953-8984/11/49/313; Миронов, В. Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии / В. Л. Миронов. – М.: Техносфера, 2004. – 144 c.; Автоматизированный базовый лазерный испытательный комплекс для тестирования перспективных видов полупроводниковых фотоприемников / В. Б. Залесский [и др.] // Приборостроение-2020: материалы 13-й Междунар. науч.-техн. конф. – Минск, 2020. – С. 391–392.; Metal cluster enhanced organic solar cells / M. Westphalen [et al.] // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. – 2000. – Vol. 61, № 1. – P. 97–105. https://doi.org/10.1016/s0927-0248(99)00100-2; Bohren, C. Absorption and Scattering of Light by Small Particles / C. Bohren, D. Huffman. – New York: Wiley, 1983. – 530 p. https://doi.org/10.1002/9783527618156; Замковец, А. Д. Высокий сенсорный потенциал самоорганизующихся металлических наноструктур / А. Д. Замковец, С. М. Качан, А. Н. Понявина // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. – 2008. – № 4. – C. 73–79.; Kachan, S. M. Optical diagnostics of 2D self-assembled silver nanoparticles arrays / S. M. Kachan, A. N. Ponyavina // Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. – 2007. – P. 165–168. https://doi.org/10.1142/9789812770950_0036; Suresh, S. Synthesis, Structural, Surface Morphology, Optical and Electrical Properties of Silver Oxide Nanoparticles/ S. Suresh // Int. J. Nanoelectron. Mater. – 2016. – Vol. 9. – P. 37–49.; Characterization of silver oxide thin films with thickness variation prepared by thermal evaporation method / F. A. Jasim [et al.] // Dig. J. Nanomater. Biostructures. – 2023. – Vol. 18, № 13. – P. 1039–1049. https://doi.org/10.15251/djnb.2023.183.1039; Оптические и электрические свойства и переключение сопротивления гранулированных пленок серебра на сапфире / И. А. Гладских [и др.] // Опт. журн. – 2014. – Т. 81, № 5. – С. 67–73.; Vashchenko, E. V. Photoconductivity of silver nanoparticle ensembles on quartz glass (SiO2) supports assisted by localized surface plasmon excitations / E. V. Vashchenko, T. A. Vartanyan, F. Hubenthal // Plasmonics. – 2013. – Vol. 8. – P. 1265–1271. https://doi.org/10.1007/s11468-013-9544-8; Даревский, А. С. Описание механизма переноса в островковых пленках металлов в рамках представлений теории протекания / А. С. Даревский, А. Г. Ждан, В. Н. Неменущий // Диспергированные металлические пленки. – Киев, Изд.-во АН УССР, 1976. – С. 155–163.; Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах: пер. с англ. / Н. Мотт, Э. Дэвис. – М.: Мир, 1974. – 472 с.; Проводимость и фотопроводимость гранулированной пленки серебра на сапфировой подложке / Е. В. Ващенко [и др.] // Опт. журн. – 2013. – Т. 80, № 5. – С. 3–10.; https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/799
-
11Academic Journal
Authors: A. N. Busygin, B. H. Gabdulin, S. Yu. Udovichenko, N. A. Shulaev, A. D. Pisarev, A. H. A. Ebrahim, А. Н. Бусыгин, Б. Х. Габдулин, С. Ю. Удовиченко, Н. А. Шулаев, А. Д. Писарев, А. Х. А. Ибрагим
Contributors: The study was conducted with the support of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation within the framework of the state assignment (project FEWZ-2024-0020)., Исследование проведено при поддержке Минобрнауки РФ в рамках государственного задания (проект FEWZ-2024-0020).
Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 27, № 4 (2024); 324-329 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 27, № 4 (2024); 324-329 ; 2413-6387 ; 1609-3577
Subject Terms: вольт-амперная характеристика мемристора, physical model of charge mass transfer, oxygen vacancies and trapped electrons, current-voltage characteristic of a memristor, oxide film temperature, модель массопереноса зарядов, кислородные вакансии
Relation: Larentis S., Nardi F., Balatti S., David C. Gilmer D.C., Ielmini D. Resistive switching by voltage-driven ion migration in bipolar RRAM – Part II: Modeling. IEEE Transactions on Electron Devices. 2012; 59(9): 2468—4275. https://doi.org/10.1109/TED.2012.2202320; Kim S., Kim S-J., Kim K.M., Lee S.R., Chang M., Cho E., Kim Y.-B., Kim Ch.J., Chung U. –I., Yoo I.-K. Physical electro-thermal model of resistive switching in bi-layered resistance-change memory. Scientific Reports. 2013; 3: 1680. https://doi.org/10.1038/srep01680; Kim S., Choi S.H., Lu W. Comprehensive Physical model of dynamic resistive switching in an oxide memristor. Acsnano. 2014; 8(3): 2369—2376. https://doi.org/10.1021/nn405827t; Basnet P., Pahinkar D.G., West M.P., Perini C.J., Graham S., Vogel E.M. Substrate dependent resistive switching in amorphous-HfOx memristors: an experimental and computational investigation. Journal of Materials Chemistry C. 2020; 8(15): 5092—5101. https://doi.org/10.1039/c9tc06736a; Parit A.K., Yadav M.S., Gupta A.K., Mikhaylov A., Rawat B. Design and modeling of niobium oxide-tantalum oxide based self-selective memristor for large-scale crossbar memory. Chaos, Solitons and Fractals. 2021; 145(10-12): 110818. https://doi.org/10.1016/j.chaos.2021.110818; Busygin A., Udovichenko S., Ebrahim A., Bobylev A., Gubin A. Mathematical model of metal-oxide memristor resistive switching based on full physical model of heat and mass transfer of oxygen vacancies and ions. Physica Status Solidi (A) Applications and Materials. 2023; 220(11): 2200478. https://doi.org/10.1002/pssa.202200478; Chernov A.A., Islamov D.R., Pik’nik A.A., Perevalov T.V., Gritsenko V.A. Three-dimensional non-linear complex model of dynamic memristor switching. ECS Transactions. 2017; 75(32): 95—104. https://doi.org/10.1149/07532.0095; Kuzmichev D.S., Markeev A.M. Neuromorphic properties of forming-free non-filamentary TiN/Ta2O5/Ta structures with an asymmetric current-voltage characteristic. Nanobiotechnology Reports. 2021; 16(6): 804—810. https://doi.org/10.1134/S2635167621060136; https://met.misis.ru/jour/article/view/636
-
12Academic Journal
Source: Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика.
Subject Terms: TECHNOLOGICAL PROCESS, CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTIC, ТОК, PLASMA TORCH, PLASMA FORMATION, ПЛАЗМАТРОН, ДУГА, ВОЛЬТ-АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА, DE ECTING SYSTEM, ARC, ПЛАЗМООБРАЗОВАНИЕ, CURRENT, ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС, ОТКЛОНЯЮЩАЯ СИСТЕМА
-
13Academic Journal
Authors: V. A. Solonenko, G. V. Nosov, M.G. Nosova, V. G. Butov, S. V. Sinyaev, Radioelectronics, A.P. Baganov
Source: Вестник Томского государственного университета. Математика и механика. 2021. № 71. С. 25-34
Subject Terms: повышающие трансформаторы, скорость взлета, многорельсовые ускорители, 11. Sustainability, МГД-генераторы, параметрический анализ, 7. Clean energy, длина разгона, вольт-амперная характеристика, математическое моделирование
File Description: application/pdf
Access URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/services/Download/koha:000703023/SOURCE1
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000703023
https://cyberleninka.ru/article/n/elektromagnitnaya-katapulta-dlya-zapuska-tyazhelyh-dronov-s-malorazmernyh-sudov
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000703023 -
14
Subject Terms: коммутационные перенапряжения, matlab simulink, explosion safety, трансформаторная подстанция, nonlinear surge arresters, энергоемкость, volt-ampere characteristics, energy absorption capacity, effectiveness improvement, моделирование, электрическая защита, варисторы, transformer substation, нелинейные ограничители перенапряжений, varistor ceramics, вольт-амперная характеристика, взрывобезопасность, switching overvoltages
-
15Academic Journal
Source: Vestnik of Brest State Technical University; No. 1(130) (2023): Vestnik of Brest State Technical University; 76-81
Вестник Брестского государственного технического университета; № 1(130) (2023): Вестник Брестского государственного технического университета; 76-81Subject Terms: диффузионно-дрейфовая модель, polarization, поляризация, гетеропереходный полевой транзистор, heterojunction field-effect transistor, diffusion-drift model, aluminum nitride, нитрид галия, gallium nitride, current-voltage characteristic, нитрид алюминия, вольт-амперная характеристика
File Description: application/pdf
-
16Academic Journal
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 10. С. 44-53
Subject Terms: барьерная структура, молекулярно-лучевая эпитаксия, вольт-амперная характеристика, теллурид кадмия-ртути, фотоприемные устройства
File Description: application/pdf
-
17Academic Journal
Authors: Korzhov, A.V., Safonov, V.I., Dzyuba, M.A., Babayev, R.M. o., Korostelev, I.E., Zherebtcov, D.A.
Subject Terms: distribution system, insulation, металлооксидные варисторы, оксид цинка, metal oxide varistors, распределительная сеть, перенапряжение, изоляция, overvoltage, C-V characteristic, surge arresters, cable line, zinc oxide (ZnO), switching overvoltage, УДК 621.315, ограничитель перенапряжения нелинейный (ОПН), коммутационное перенапряжение, вольт-амперная характеристика
File Description: application/pdf
-
18Academic Journal
Authors: M. A. Nazarov, E. V. Semyonov, М. А. Назаров, Э. В. Семенов
Contributors: This work was supported by the Russian Science Foundation, project no. 22-29-00605., Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда, проект № 22-29-00605.
Source: Journal of the Russian Universities. Radioelectronics; Том 26, № 4 (2023); 123-132 ; Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника; Том 26, № 4 (2023); 123-132 ; 2658-4794 ; 1993-8985
Subject Terms: нелинейные искажения, baseband pulse signals, current-voltage characteristic, charge-voltage characteristic, nonlinear distortions, видеоимпульсные сигналы, вольт-амперная характеристика, кулон-вольтовая характеристика
File Description: application/pdf
Relation: https://re.eltech.ru/jour/article/view/782/704; Nonlinear system and subsystem modeling in the domain / M. I. Sobhy, E. A. Hosny, M. W. R. Ng, E. A. Bakkar // IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques. 1996. Vol. 44, iss. 12. P. 2571–2579. doi:10.1109/22.554605; Pedro J. C., Maas S. A. A comparative overview of microwave and wireless power-amplifier behavioral modeling approaches // IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques. 2005. Vol. 53, iss. 4. P. 1150– 1163. doi:10.1109/TMTT.2005.845723; Systematic behavioral modeling of nonlinear microwave/RF circuits in the time domain using techniques from nonlinear dynamical systems / D. E. Root, J. Wood, N. Tufillaro, D. Schreurs, A. Pekker // Proc. of the IEEE Intern. Workshop on Behavioral Modeling and Simulation. Santa Rosa, 08 Oct. 2002. P. 71–74. doi:10.1109/BMAS.2002.1291060; Broadband poly-harmonic distortion (PHD) behavioral models from fast automated simulations and large-signal vectorial network measurements / D. E. Root, J. Verspecht, D. Sharrit, J. Wood, A. Cognata // IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques. 2005. Vol. 53, iss. 11. P. 3656–3664. doi:10.1109/TMTT.2005.855728; Qi H., Benedikt J., Tasker P. A novel approach for effective import of nonlinear device characteristics into CAD for large signal power amplifier design // IEEE MTT-S Intern. Microwave Symp. Digest, San Francisco, 11–16 June 2006. P. 477–480. doi:10.1109/MWSYM.2006.249596; A novel measurement based method enabling rapid extraction of a rf waveform look-up table based behavioral model / S. Woodington, T. Williams, H. Qi, D. Williams, L. Pattison, A. Patterson, J. Lees, J. Benedikt, P. J. Tasker // IEEE MTT-S Intern. Microwave Symp. Digest. Atlanta, 15–20 June 2008. P. 1453–1456. doi:10.1109/MWSYM.2008.4633053; Amini A.-R., Boumaiza S. Time-invariant behavioral modeling for harmonic balance simulation based on waveform shape maps // IEEE MTT-S Intern. Conf. on Numerical Electromagnetic and Multiphysics Modeling and Optimization (NEMO), Ottawa, 11–14 Aug. 2015. Acc. № 15805288. doi:10.1109/NEMO.2015.7415098; A generalized memory polynomial model for digital predistortion of RF power amplifiers / D. R. Morgan, Z. Ma., J. Kim, M. G. Zierdt, J. Pastalan // IEEE Trans. on Signal Processing. 2006. Vol. 54, iss. 10. P. 3852– 3860. doi:10.1109/TSP.2006.879264; Tarantola A. Inverse problem theory and methods for model parameter estimation / Soc. ind. appl. math. 2005. 354 p. doi:10.1137/1.9780898717921; Semyonov E. V. Simple behavioral model of baseband pulse devices in the form of a second-order nonlinear recursive filter // IEEE Trans. on Circuits and Systems II: Express Briefs. 2021. Vol. 68, iss. 6. P. 2192–2196. doi:10.1109/TCSII.2020.3048819; Semyonov E. V. Synthesis of behavioral models for circuits with nonlinearity less than model error // IEEE Trans. on Circuits and Systems II: Express Briefs. 2023. Vol. 70, iss. 6. P. 2216–2220. doi:10.1109/TCSII.2022.3231873; Ultra-short pulse current–voltage characterization of the intrinsic characteristics of high-κ devices / C. D. Young, Y. Zhao, M. Pendley, B. H. Lee, K. Matthews, J. H. Sim, R. Choi, G. A. Brown, R. W. Murto, G. Bersuker // Japanese J. of Applied Physics. 2005. Vol. 44, № 4S. P. 2437–2440. doi:10.1143/JJAP.44.2437; Kuhn M. A quasi-static technique for MOS CV and surface state measurements // Solid-State Electronics. 1970. Vol. 13, № 6. P. 873–885. URL: https://homepages.rpi.edu/~sawyes/quasi_static_CV.pdf (дата обращения 04.05.2023); Назаров М. А., Семенов Э. В. Анализ нелинейно-инерционных свойств устройств оцифровки с использованием их модели в виде нелинейного рекурсивного фильтра // Докл. ТУСУР. 2022. Т. 25, № 4. С. 110–114.; Singleton H. E. Theory of nonlinear transducers // MIT. Research Lab. of electronics. Tech. rep. № 100. 1950. 52 p. URL: https://dspace.mit.edu/bitstream/handle/1721.1/4896/RLE-TR-160-04722817.pdf (дата обращения 30.04.2023); https://re.eltech.ru/jour/article/view/782
-
19Academic Journal
Authors: Габдулин, Б. Х., Бусыгин, А. Н., Удовиченко, С. Ю., Gabdulin, B. Kh., Busygin, A. N., Udovichenko, S. Yu.
Subject Terms: перенос заряда в мемристоре, теплоперенос в активном слое мемристора, металлооксидные мемристоры, движение ионов кислорода, вольт-амперная характеристика мемристора, численное моделирование, charge transfer in memristor, heat transfer in memristor active layer, metal oxide memristor, oxygen ion dynamics, current-voltage characteristic, numerical simulation
File Description: application/pdf
Relation: Вестник Тюменского государственного университета. Серия: Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика. — 2025. — Т. 11, № 2 (42)
-
20Academic Journal
Authors: Dmytro Viktorovych Humeniuk
Source: Electronic and Acoustic Engineering; Том 2, № 4 (2019); 39-45
Электронная и Акустическая Инженерия; Том 2, № 4 (2019); 39-45
Електронна та Акустична Інженерія; Том 2, № 4 (2019); 39-45Subject Terms: вольт-амперная характеристика, автоматизированная установка, расширение диапазона измерений, Електроніка, 03 medical and health sciences, 0302 clinical medicine, 62-529, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, 02 engineering and technology, Electronics, Volt - ampere characteristic, automated measurements, expansion of the range of measurements, Электроника, вольт–амперна характеристика, автоматизована установка, розширення діапазону вимірювань
File Description: application/pdf