Implementation Plasma Chemical Etching in Submicron Technology Wsi Structure

Authors: Новосядлий, Степан Петрович, Мельник, Любомир Васильович, Новосядлий, Святослав Володимирович

Source: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies

Subject Terms: plasma chemical etching, deposition, boron phosphorus silicate glass, photoresist, reactor, УДК 621.794.4, плазмохимическое травление, осаждение, боро–фосфоро силикатное стекло, фоторезист, реактор, плазмохімічне травлення, осадження, боро–фосфоро силікатне скло, Indonesia

File Description: application/pdf

Availability: https://www.neliti.com/publications/306315/implementation-plasma-chemical-etching-in-submicron-technology-wsi-structure

ВПРОВАДЖЕННЯ ПЛАЗМОХіМіЧНОГО ТРАВЛЕННЯ В СУБМіКРОННУ ТЕХНОЛОГіЮ СТРУКТУР іНТЕГРАЛЬНИХ СХЕМ

Authors: НОВОСЯДЛИЙ С.П., МЕЛЬНИК Л.В., НОВОСЯДЛИЙ С.В.

Subject Terms: ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВ- ЛЕНИЕ, ОСАЖДЕНИЕ, БОРО-ФОСФОРО СИЛИКАТНОЕ СТЕКЛО, ФОТОРЕЗИСТ, РЕАКТОР

File Description: text/html

Availability: http://cyberleninka.ru/article/n/vprovadzhennya-plazmohimichnogo-travlennya-v-submikronnu-tehnologiyu-struktur-integralnih-shem
http://cyberleninka.ru/article_covers/15966648.png

Впровадження плазмохімічного травлення в субмікронну технології структур інтегральних схем

Source: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 3, № 5(75) (2015): Applied physics; 21-24
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 3, № 5(75) (2015): Прикладная физика; 21-24
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 3, № 5(75) (2015): Прикладна фізика; 21-24

Subject Terms: плазмохімічне травлення, осадження, боро–фосфоро силікатне скло, фоторезист, реактор, 0211 other engineering and technologies, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, УДК 621.794.4, 02 engineering and technology, плазмохимическое травление, осаждение, боро–фосфоро силикатное стекло, plasma chemical etching, deposition, boron phosphorus silicate glass, photoresist, reactor

File Description: application/pdf

Access URL: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/42128