Оптимизация бетавольтаического элемента с инжектором в гетеропереходе с тонкой пленкой SiC

Συγγραφείς: Чипура А. С., Долгополов М. В., Чепурнов В. И., Раденко В. В., Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет), Естественнонаучный институт

Θεματικοί όροι: 44.41.35, 621.383

Θέμα γεωγραφικό: активированные наноразмерные гетероструктуры, бетавольтаические элементы, гетеропереходы, гетероструктуры, напряжение холостого хода, плотность тока короткого замыкания, радиоактивные источники, электронные зонные структуры

Relation: RU\НТБ СГАУ\ВКР20240805115248

Διαθεσιμότητα: http://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Optimizaciya-betavoltaicheskogo-elementa-s-inzhektorom-v-geteroperehode-s-tonkoi-plenkoi-SiC-112016