Study of composite structure based on Ag and SiNWs

Συγγραφείς: Bolshakov, Vladimir, Ermina, Anna, Prigoda, Kristina, Maximov, Maxim, Tolmachev, Vladimir, Zharova, Yuliya

Θεματικοί όροι: локализованный плазмонный резонанс, кремниевые нанонити, Ag nanoparticles, наночастицы серебра, MACE, атомно-слоевое осаждение, metal-assisted chemical etching, МСХТ, 7. Clean energy, Si nanowires, spectroscopic ellipsometry, металл-стимулированное химическое травление, atomic layer deposition, localized plasmon resonance, спектральная эллипсометрия

Исследование процесса водородной декрипитации вторичных магнитов NdFeB с предварительной трехстадийной очисткой поверхности

Πηγή: Вестник Томского государственного университета. Химия. 2023. № 32. С. 185-199

Θεματικοί όροι: водородная декрипитация, электронный микроскоп сканирующий, рециклирование, вторичные магнитные сплавы, химическое травление, пескоструйная обработка, активная форма водорода, термообработка циклическая, магнитные сплавы

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001130374

Химическая постобработка поверхности стержневых конструкций, полученных послойным электронно-лучевым плавлением из титанового сплава

Συνεισφορές: Сурменева, Мария Александровна

Θεματικοί όροι: аддитивные технологии, поверхности, механические свойства, электронно-лучевое плавление, химическое травление, титановые сплавы, костные имплантаты, стержневые конструкции

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/72368

Химическая постобработка поверхности стержневых конструкций, полученных послойным электронно-лучевым плавлением из титанового сплава

Συγγραφείς: Козадаева, М. П., Павельева, Александра Андреевна, Храпов, Дмитрий

Συνεισφορές: Сурменева, Мария Александровна

Θεματικοί όροι: поверхности, стержневые конструкции, электронно-лучевое плавление, титановые сплавы, аддитивные технологии, химическое травление, костные имплантаты, механические свойства

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: info:eu-repo/grantAgreement/RSF//20-73-10223; Химия и химическая технология в XXI веке : материалы XXIII Международной научно-практической конференции студентов и молодых ученых имени выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, Томск, 16-19 мая 2022 г. Т. 1; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/72368

Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/72368

Исследование анкеровки стальной фибры с микрорельефной поверхностью для армирования строительных материалов

Θεματικοί όροι: травильные растворы, цементные растворы, анкеровка фибр, химическое травление, армирование, микрорельефная поверхность

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/51425

Химическое травление как метод постобработки 3D ячеистых структур, полученных электронно-лучевой наплавкой: ограничения и сложности ; The chemical etching as a method for post-processing of 3D cellular structures obtained by electron-beam melting: limitations and difficulties

Συγγραφείς: Павельева, Александра Андреевна, Храпов, Дмитрий, Козадаева, М. П.

Συνεισφορές: Сурменева, Мария Александровна

Θεματικοί όροι: химическое травление, переработка, электронно-лучевая наплавка, титановые сплавы, порошки, поверхностные слои, 3D

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: info:eu-repo/grantAgreement/RSF//20-73-10223; Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XVIII Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 27-30 апреля 2021 г. Т. 2 : Химия. — Томск, 2021; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/68305

Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/68305

Особенности постобработки химическим травлением пористых конструкций, изготовленных с помощью аддитивных технологий из титанового сплава Ti6 Al4 V

Συγγραφείς: Павельева, Александра Андреевна, Храпов, Дмитрий, Козадаева, М. П.

Συνεισφορές: Сурменева, Мария Александровна

Θεματικοί όροι: химическое травление, аддитивные технологии, титановые сплавы, костные импланты, регенерация, пористые конструкции

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: info:eu-repo/grantAgreement/RSF//20-73-10223; Химия и химическая технология в XXI веке : материалы XXII Международной научно-практической конференции студентов и молодых ученых имени выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, посвященной 125-летию со дня основания Томского политехнического университета, Томск, 17-20 мая 2021 г. Т. 1. — Томск, 2021; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/66238

Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/66238

Химическое травление как метод постобработки 3D ячеистых структур, полученных электронно-лучевой наплавкой: ограничения и сложности

Συνεισφορές: Сурменева, Мария Александровна

Θεματικοί όροι: электронно-лучевая наплавка, переработка, поверхностные слои, химическое травление, порошки, титановые сплавы, 3D

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/68305

Особенности постобработки химическим травлением пористых конструкций, изготовленных с помощью аддитивных технологий из титанового сплава Ti6 Al4 V

Συνεισφορές: Сурменева, Мария Александровна

Θεματικοί όροι: аддитивные технологии, костные импланты, химическое травление, титановые сплавы, регенерация, пористые конструкции

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/66238

Упрочнение листового стекла с целью получения облегченных многослойных конструкций, устойчивых к ударным нагрузкам

Θεματικοί όροι: упрочнение листового стекла, листовое стекло, химическое травление, облегченные многослойные конструкции, стекло листовое, ударные нагрузки

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/44809

Влияние химического травления на микроструктуру и механические свойства листовых Ti6Al4V структур с топологией трижды периодических поверхностей минимальной энергии, полученных методом электронно-лучевого плавления

Συγγραφείς: Павельева, Александра Андреевна, Сурменева, Мария Александровна, Храпов, Дмитрий, Сурменев, Роман Анатольевич, Коптюг, Андрей Валентинович, Мишурова, Т., Евсевлеев, С., Майнель, Д., Бруно, Дж.

Θεματικοί όροι: химическое травление, микроструктуры, механические свойства, поверхности, электронно-лучевое плавление, костные импланты, аддитивные технологии, шероховатости, охрупчивание

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Перспективные материалы конструкционного и функционального назначения : сборник научных трудов Международной научно-технической молодежной конференции, Томск, 21–25 сентября 2020 г.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/63861

Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/63861

Dislocation structure of the AlGaN/GaN/α-Al2O3 heterostructures epitaxial layers at doping GaN with С and Fe ; Дислокационная структура эпитаксиальных слоев гетероструктур AlGaN/GaN/α-Al2O3 при легировании слоя GaN углеродом и железом

Συγγραφείς: T. F. Rusak, K. L. Enisherlova, A. V. Lutzau, V. V. Saraykin, V. I. Korneev, Т. Ф. Русак, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, В. В. Сарайкин, В. И. Корнеев

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 20, № 4 (2017); 272-283 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 20, № 4 (2017); 272-283 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2017-4

Θεματικοί όροι: кристаллографическая плоскость, GaN buffer layer, dislocation, secondary ion mass spectroscopy, spherical section, selective chemical etching, single-crystal diffractometry, mosaic structure, crystallographic plane, буферный слой GaN, дислокация, масс-спектроскопия вторичных ионов, сферический шлиф, селективное химическое травление, однокристальная дифрактометрия, блочность

Relation: Liliental-Weber Z., dos Reis R., Weyher J. L., Staszczak G., Jakieła R. The importance of structural in homogeneity in GaN thin films // J. Crystal Growth. 2016. V. 456. P. 160—167. DOI:10.1016/j.jcrysgro.2016.08.059; Morkoç H. Handbook of nitride semiconductors and devices. Vol. 1. Materials properties, physics and growth. Weinhiem: Wiley-VCH Verlag GmbH& Co. KGaA, 2008. P. 817—1191. DOI:10.1002/9783527628438; Polyakov A. Y., Lee I.-H. Deep traps in GaN-based structures as affecting the performance of GaN devices // Materials Science and Engineering: R: Reports. 2015. V. 94. P. 1—56. DOI:10.1016/j.mser.2015.05.001; Dong-Seok Kim, Chul-Ho Won, Hee-Sung Kang, Young-Jo Kim, Yong Tae Kim, In Man Kang, Jung-Hee Lee. Growth and characterization of semi-insulating carbon-doped/undoped GaN multiple-layer buffer // Semicond. Sci. Technol. 2015. V. 30, N 3. P. 035010 (6 p). DOI:10.1088/0268-1242/30/3/035010; Li X., Bergsten J., Nilsson D., Danielsson Ö., Pedersen H., Rorsman N., Janzén E., Forsberg U. Carbon doped GaN buffer layer using propane for high electron mobility transistor applications: Growth and device results // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 107, Iss. 26. P. 26105 (15 p). DOI:10.1063/1.4937575; Feng Z. H., Liu B., Yuan F. P., Yin J. Y., Liang D., Li X. B., Feng Z., Yang K. W., Cai S. J. Influence of Fe-doping on GaN grown on sapphire substrates by MOCVD // J. Cryst. Growth. 2007. V. 309, Iss. 1. P. 8—11. DOI:10.1016/j.jcrysgro.2007.08.032; Manmohan Agrawal, Shreyash Pratap Singh, Nidhi Chaturvedi. Concept of buffer doping and backbarrier in GaN HEMT // International Journal of ChemTech Research. 2014–2015. V. 7, N 2. P. 921—927. URL: http://sphinxsai.com/2015/ch_vol7_no2_ICONN/7/NE26%20(921-927).pdf; Cui Lei, Yin Haibo, Jiang Lijuan, Wang Quan, Feng Chun, Xiao Hongling, Wang Cuimei, Gong Jiamin, Zhang Bo, Li Baiquan, Wang Xiaoliang, Wang Zhanguo. The influence of Fe doping on the surface topography of GaN epitaxial material // Journal of Semiconductors. 2015. V. 36, N 10. P. 103002. DOI:10.1088/1674-4926/36/10/103002; Lipski F. Semi-insulating GaN by Fe-doping in hydride vapor phase epitaxy using a solid iron source // Annual Report. Ulm University, Institute of Optoelrctronucs, 2010. P. 63—70. URL: https://pdfs.semanticscholar.org/befe/2434893df4f74d14ca62dc740f709a13190d.pdf; Fariza A., Lesnik A., Neugebauer S., Wieneke M., Hennig J., Bläsing J., Witte H., Dadgar A., Strittmatter A. Leakage currents and Fermi-level shifts in GaN layers upon iron and carbon-doping // J. Appl. Phys. 2017. V. 122, Iss. 2. P. 025704-1—025704-6. DOI:10.1063/1.4993180; Polyakov A. Y., Smirnov N. B., Dorofeev A. A., Gladysheva N. B., Kondratyev E. S., Shemerov I. V., Turutin A. V., Ren F., Pearton S. J. Deep traps in AlGaN/GaN high electron mobility transistors on SiC // ECS J. Solid State Sci. Technol. 2016. V. 5, Iss. 10. P. Q260—Q265. DOI:10.1149/2.0191610jss; Simpkins B. S., Yu E. T., Waltereit P., Speck J. S. Correlated scanning Kelvin probe and conductive atomic force microscopy studies of dislocations in gallium nitride // J. Appl. Phys. 2003. V. 94, Iss. 3. P. 1448—1453. DOI:10.1063/1.1586952; Енишерлова К. Л., Русак Т. Ф., Корнеев В. И., Зазулина А. Н. Влияние качества подложек SiC на структурное совершенство и некоторые электрические параметры пленок AlGaN/GaN» // Известия вузов. Материалы электрон. техники. 2015. Т. 18, № 3. С. 221—228. DOI:10.17073/1609-3577-2015-3-221-228; Говорков А. В., Поляков А. Я., Югова Т. Г., Смирнов Н. Б., Петрова Е. А., Меженный М. В., Марков А. В., Ли И. Х., Пиртон С. Д. Идентификация дислокаций и их влияние на процессы рекомбинации носителей тока в нитриде галлия // Поверхность, Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования. 2007. № 7. C. 18—20.; Енишерлова К. Л., Горячев В. Г., Сарайкин В. В., Капилин С. А. Нестабильность емкости ВФ-характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ-транзисторов на их основе // Известия вузов. Материалы электрон. техники. 2016. Т. 19, № 2. C. 114—122. DOI:10.17073/1609-3577-2016-2-114-122; Енишерлова К. Л., Лютцау А. В., Темпер Э. М. Однокристальная рентгеновская дифрактометрия гетероструктур. М.: ОАО НПП «Пульсар», 2016. С. 144.; Lei Zhang, Yongliang Shao, Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao, Xiufang Chen, Shuang Qu, Xiangang Xu. Characterization of dislocation etch pits in HVPE-grown GaN using different wet chemical etching methods // J. Alloys and Compounds. 2010. V. 504, Iss. 1. P. 186—191. DOI:10.1016/j.jallcom.2010.05.085; Zhang H., Miller E. J., Yu E. T. Analysis of leakage current mechanisms in Schottky contacts to GaN and Al0.25Ga0.75N∕GaN grown by molecular-beam epitaxy // J. Appl. Phys. 2006. V. 99, Iss. 2. P. 023703. DOI:10.1063/1.2159547; Choi Y. C., Pophristic M., Peres B., Spencer M. G., Eastman L. F. Fabrication and characterization of high breakdown voltage AlGaN∕GaN heterojunction field effect transistors on sapphire substrates // J. Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena. 2006. V. 24, Iss. 6. P. 2601—2605. DOI:10.1116/1.2366542; https://met.misis.ru/jour/article/view/410

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/410
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2017-4-272-283

Исследование возможности применения электросталеплавильного шлака для очистки сточных вод

Θεματικοί όροι: химическое травление, промывные сточные воды, производственные сточных вод, электросталеплавильный шлак, очистка производственных сточных вод, промывка протравленного металла

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/37532

Влияние химического травления на микроструктуру и механические свойства листовых Ti6Al4V структур с топологией трижды периодических поверхностей минимальной энергии, полученных методом электронно-лучевого плавления

Θεματικοί όροι: аддитивные технологии, поверхности, костные импланты, механические свойства, электронно-лучевое плавление, химическое травление, шероховатости, микроструктуры, охрупчивание

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/63861

Features of photoluminescence and transmission spectra of thin film porous silicon layers on insulator substrates

Συγγραφείς: Mykhailo Hryhorovych Dusheiko, Heorhii Serhiiovych Koltsov, Tetiana Yuriivna Obukhova

Πηγή: Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika, Vol 22, Iss 6 (2017)
Microsystems, Electronics and Acoustics; Том 22, № 6 (2017); 6-11
Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 22, № 6 (2017); 6-11
Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 22, № 6 (2017); 6-11

Θεματικοί όροι: Електроніка, пористий кремній, TK7800-8360, porous silicon, photoluminescence, chemical etching, spectrum, thin films, фотолюмінесценція, хімічне травлення, спектр, тонкі плівки, 01 natural sciences, пористый кремний, фотолюминесценция, химическое травление, тонкие пленки, 621.383, Электронника, 0103 physical sciences, Electronics

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://elc.kpi.ua/article/download/42663/118260
https://doaj.org/article/f66206c14e254004a65d692695d7cdf9
http://elc.kpi.ua/article/download/42663/118260
http://elc.kpi.ua/article/view/42663
http://elc.kpi.ua/article/view/42663

МОРФОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ НАНОРАЗМЕРНОГО ЗОЛОТА В СУЛЬФИДАХ ЧЕРНОСЛАНЦЕВЫХ ТОЛЩ

Θεματικοί όροι: ионно-плазменное травление, сканирующая туннельная микроскопия, химическое травление, сульфиды, дислокации, блочность, рентгеноспектральный анализ, нанозолото

Mg2Si synthesis on silicon crystals with different aspect ratio

Συγγραφείς: Subbotin, Evgenii, Kozlov, Alexey, Goroshko, Dmitry, Chernev, Igor, Khoroshilov, Dmitry, Lisenkov, Oleg, Zhizhchenko, Alexey, Kitan', Sergei, Galkin, Nikolay

Θεματικοί όροι: металлстимулированное химическое травление, эпитаксия, epitaxy, silicon, MACE, metal-assisted chemical etching, МСХТ, кремний, СЭМ, SEM, силицид магния, magnesium silicide, Raman, Mg2Si

ВЛИЯНИЕ ВАКУУМНОГО ОТЖИГА НА ТОПОГРАФИЮ ПОВЕРХНОСТЕЙ РАЗРУШЕНИЯ И ПОВТОРНО-СТАТИЧЕСКУЮ ВЫНОСЛИВОСТЬ СПЛАВА ОТ4

Θεματικοί όροι: циклическая выносливость, химическое травление, титановые сплавы, излом, охрупчивание

Осушувальні пристрої в оптико-електронних приладах військового призначення ; Desiccant-cartridges for military electro-optical systems ; Осушаемые устройства в оптико-электронных приборах военного назначения

Συγγραφείς: Потапенко, С. В.

Πηγή: Озброєння та військова техніка; № 4 Том 20 (2018); 47-53 ; Вооружение и военная техника; № 4 Том 20 (2018); 47-53 ; Weapons and military equipment; No. 4 Vol. 20 (2018); 47-53 ; 2663-5550 ; 2414-0651 ; 10.34169/2414-0651.2018.4(20)

Θεματικοί όροι: water damage, corrosion, degradation, desiccant, porous materials, alkali-borosilicate glass, liquation, phase separation process, thermal treatment, acidic treatment, soak acidic, chemical process, desiccant-cartridge, military electro-optical systems, поражение влажностью, коррозия, деградация, осушение, пористые материалы, натрий-бор-силикатное стекло, ликвация, химическое травление, выщелачивание, осушительные устройства, оптико-электронные приборы военного назначения, ураження вологою, корозія, деградація, осушення, пористі матеріали

Relation: https://journal.cndiovt.com.ua/index.php/ovt/article/view/139/152; https://journal.cndiovt.com.ua/index.php/ovt/article/view/139

Διαθεσιμότητα: https://journal.cndiovt.com.ua/index.php/ovt/article/view/139
https://doi.org/10.34169/2414-0651.2018.4(20).47-53

Изучение структурных характеристик и кинетики трековых полимерных и ионообменных мембран для электро-мембранного разделения ионов металлов

Συγγραφείς: Копцев, Максим Олегович

Συνεισφορές: Сохорева, Валентина Викторовна

Θεματικοί όροι: трековая мембрана, разделение, циклотрон, химическое травление, электродиализ, track membrane, separation, cyclotron, chemical etching, electrodialysis, 14.04.02, 539.2:539.1:661.183.1.081.6

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/54462

Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/54462