Фотоэлектрические характеристики гетероструктуры n-GaAs – p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x (GaAs1–δBiδ)y

Authors: И.М. Солиев

Subject Terms: Спектральная фоточувствительность, примесь, твёрдый раствор, атомное соединение, гетероструктуры, нанокристалл, квантовая яма

Relation: https://zenodo.org/records/16914978; oai:zenodo.org:16914978; https://doi.org/10.5281/zenodo.16914978

Availability: https://doi.org/10.5281/zenodo.16914978
https://zenodo.org/records/16914978

Influence of Barrier Width on QWIP Operating Voltage ; Исследование влияния ширины барьера на рабочее напряжение QWIP

Authors: L. S. Bogoslovskaya, A. L. Dudin, V. I. Zybkov, Л. С. Богословская, А. Л. Дудин, В. И. Зубков

Source: Journal of the Russian Universities. Radioelectronics; Том 27, № 4 (2024); 72-80 ; Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника; Том 27, № 4 (2024); 72-80 ; 2658-4794 ; 1993-8985

Subject Terms: вольт-амперные характеристики, dark current, spectral photosensitivity, current–voltage characteristics, темновой ток, фоточувствительность

File Description: application/pdf

Relation: https://re.eltech.ru/jour/article/view/915/784; Quantum well infrared photodetector research and development at Jet Propulsion Laboratory / S. D. Gunapala, S. V. Bandara, J. K. Liu, E. M. Luong, S. B. Rafol, J. M. Mumolo, D. Z. Ting, J. J. Bock, M. E. Ressler, M. W. Werner, P. D. LeVan, R. Chehayeb, C. A. Kukkonen, M. Levy, P. LeVan, M. A. Fauci // Infrared Physics & Technology. 2001. Vol. 42, № 3–5. P. 267–282. doi:10.1016/S1350-4495(01)00085-8; Каталог Радиоэлектронного комплекса. URL: https://katalog-rek.ru/catalog/395/3823/ (дата обращения 23.11.2023).; Li S. S., Tidrow M. Z. Comparison of n- and ptype quantum well infrared photodetectors // Detectors, Focal Plane Arrays, and Imaging Devices II. 1998. Vol. 3553. P. 97–111. doi:10.1117/12.318094; Henini M., Razeghi M. Handbook of infrared detection technologies. Elsevier, 2002. 532 p.; Intersubband transitions in quantum wells: physics and device applications / E. R. Weber, H. C. Liu, F. Capasso, R. K. Willardson. Academic press, 1999. 309 p.; Levine B. F. Quantum‐Well Infrared Photodetectors // J. of Applied Physics. 1993. Vol. 74, № 8. P. R1–R81. doi:10.1063/1.354252; Etteh N. E. I., Harrison P. Quantum mechanical scattering investigation of the dark current in quantum well infrared photodetectors (QWIPs) // Infrared physics & technology. 2003. Vol. 44, № 5–6. P. 473–480. doi:10.1016/S1350-4495(03)00169-5; Quantum Well infrared photodetectors: device physics and light coupling / S. Bandara, S. Gunapala, J. Liu, J. Mumolo, E. Luong, W. Hong, D. Sengupta. Springer, 1998. P. 43–49.; Zubkov V. I., Ivanova Ia. V., Weyers M. Direct observation of resonant tunneling in heterostructure with a single quantum well // Appl. Phys. Let. 2021. Vol. 119. P. 043503. doi:10.1063/5.0056842; Ultimate performance of quantum well infrared photodetectors in the tunneling regime / E. Lhuillier, I. Ribet-Mohamed, M. Tauvy, A. Nedelcu, V. Berger, E. Rosencher // Infrared physics & technology. 2009. Vol. 52, № 4. P. 132–137.; Wasilewski Z. R., Liu H. C., Buchanan M. Studies of Si segregation in GaAs using current–voltage characteristics of quantum well infrared photodetectors // J. of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena. 1994. Vol. 12, № 2. P. 1273–1276. doi:10.1116/1.587020; Luna E., Guzman A., Munoz E. Offset in the dark current characteristics of photovoltaic double barrier quantum well infrared photodetectors // Infrared physics & technology. 2005. Vol. 47, № 1–2. P. 22–28. doi:10.1016/j.infrared.2005.02.007; I–V characterization of a quantum well infrared photodetector with stepped and graded barriers / F. Nutku, A. Erol, M. Gunes, L. B. Buklu, Y. Ergun, M. C. Arikan // Superlattices and Microstructures. 2012. Vol. 52, № 3. P. 585–593. doi:10.1016/j.spmi.2012.06.010; Characterization of the dark current of a quantum well infrared photodetector (QWIP) with selectively doped barrier layers/ Y. Uchiyama, H. Nishino, Y. Matsukura, T. Miyatake, K. Yamamoto, T. Fujii // Infrared Detectors and Focal Plane Arrays VII. 2002. Vol. 4721. P. 151–158. doi:10.1117/12.478844; Effect of barrier width on the performance of quantum well infrared photodetector / S. K. H. Sim, H. C. Liu, A. Shen, M. Gao, K. F. Lee, M. Buchanan, Y. Ohno, H. Ohno, E. H. Li // Infrared Physics & Technology. 2001. Vol. 42, № 3–5. P. 115–121. doi:10.1016/S1350-4495(01)00067-6; Li N., Xiong D.-Y., Yang X.-F., Lu W., Xu W.-L., Yang C.-L., Hou Y., Fu Y. Dark Currents of GaAs/AlGaAs Quantum-Well Infrared Photodetectors. Applied Physics A. 2007, vol. 89, pp. 701–705. doi:10.1007/s00339-007-4142-2; https://re.eltech.ru/jour/article/view/915

Availability: https://re.eltech.ru/jour/article/view/915
https://doi.org/10.32603/1993-8985-2024-27-4-72-80

ВЛИЯНИЕ РАЗЛИЧНЫХ ВИДОВ РАДИАЦИИ И ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР

Authors: Саидов Сафо Олимович, Насуллаев Бахтиёр

Subject Terms: Кремниевые структуры, фоточувствительность, термочувствительность, деформационная чувствительность и радиационная стойкость, параметры и свойства легированного кристалла, диффузия, рекомбинационные свойства кремния, легирование переходными элементами, термическое дефектообразование, ВАХ и ВФХ структур, нанокластерные структуры на рекристаллизованном нанокристаллическом кремнии, ионное легирование, исследования влияния гамма-излучения на свойства пористого кремния и др

Relation: https://zenodo.org/records/7934815; oai:zenodo.org:7934815; https://doi.org/10.5281/zenodo.7934815

Availability: https://doi.org/10.5281/zenodo.7934815
https://zenodo.org/records/7934815

ВЛИЯНИЕ РАЗЛИЧНЫХ ВИДОВ РАДИАЦИИ И ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР

Subject Terms: Кремниевые структуры, фоточувствительность, термочувствительность, деформационная чувствительность и радиационная стойкость, параметры и свойства легированного кристалла, диффузия, рекомбинационные свойства кремния, легирование переходными элементами, термическое дефектообразование, ВАХ и ВФХ структур, нанокластерные структуры на рекристаллизованном нанокристаллическом кремнии, ионное легирование, исследования влияния гамма-излучения на свойства пористого кремния и др

Фотоэлектрические характеристики структур Si(p)/C60/Au во внешнем электрическом поле: выпускная квалификационная работа бакалавра

Subject Terms: polycrystalline films, фотопроводимость, Onsager-Braun model, электроформовка, фуллерит, fullerite, модель Онзагера-Брауна, photoconductivity, electroforming, удельная фоточувствительность, specific photoresponsivity, поликристаллические пленки

Проводимость кристаллов силиката висмута, легированных примесью кобальта

Subject Terms: легированные примесью кобальта, кристаллы силиката висмута, Проводимость, высокая фоточувствительность в видимом спектральном диапазоне

ИССЛЕДОВАНИЯ СПЕКТРОВ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА В CdGa2Se4 В ШИРОКОЙ ОБЛАСТИ ТЕМПЕРАТУР 4-300К

Subject Terms: двулучепреломление, значительные величины коэффициентов нелинейной восприимчивости, CdGa2Se4, яркая люминесценция, оптическая анизотропия, ШИРОКАЯ ОБЛАСТЬ ТЕМПЕРАТУР 4-300К, СПЕКТРЫ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА, высокая фоточувствительность

Влияние гамма-облучения на оптические свойства кристаллов ниобата лития и LiNbO3:Fe

Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 2. С. 106-112

Subject Terms: показатели преломления, кристаллы ниобата лития, фоточувствительность, гамма-облучение, оптическое поглощение

File Description: application/pdf

Access URL: https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000998439

ВЛИЯНИЕ ДЕФОРМАЦИИ НА МИГРАЦИИ ДЕФЕКТОВ В ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТОНКИХ ПЛЕНКАХ

Authors: Алимов Нодир Эсоналиевичc

Subject Terms: Тензочувствительность, Фоточувствительность, Деформация, Полупроводниковая Плёнка, Растяжения, Сжатия, Фототензодатчик

ВЛИЯНИЕ ДЕФОРМАЦИИ НА МИГРАЦИИ ДЕФЕКТОВ В ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТОНКИХ ПЛЕНКАХ

Authors: Отажонов Салим Мадрахимович, Ботиров Кодир Абдуллаевич, Алимов Нодир Эсоналиевичc

Subject Terms: Тензочувствительность, Фоточувствительность, Деформация, Полупроводниковая Плёнка, Растяжения, Сжатия, Фототензодатчик

Relation: https://zenodo.org/records/7392007; oai:zenodo.org:7392007; https://doi.org/10.5281/zenodo.7392007

Availability: https://doi.org/10.5281/zenodo.7392007
https://zenodo.org/records/7392007

Синтез, фото- и электрокаталитические свойства наноструктурных пленок Y-TiO2

Authors: Vorobeț, V.S., Воробец, В.С., Kolbasov, G.I., Колбасов, Г.Я., Medik, I.A., Медик, И.А., Garașcenko, A.I., Гаращенко, А.Ю., Karpenko, S.V., Карпенко, С.В., Oblovatnaia, S.I., Обловатная, С.Я., Antoniuk, N.G., Антонюк, Н.Г.

Source: Электронная обработка материалов 58 (1) 15-21

Subject Terms: диоксид титана, иттрий, фоточувствительность, электровосстановление кислорода, каталитическая активность, titanium dioxide, yttrium, photosensitivity, electroreduction of oxygen, catalytic

File Description: application/pdf

Relation: https://ibn.idsi.md/vizualizare_articol/151242; urn:issn:00135739

Availability: https://ibn.idsi.md/vizualizare_articol/151242
https://doi.org/10.52577/eom.2022.58.1.15

High-Sensitive Two-Layer Photoresistors Based on p-Cd x Hg1–xTe with a Converted Near-Surface Layer

Authors: Ismailov, N. D., Talipov, Niyaz Kh., Voytsekhovskiy, Alexander V.

Source: Russian physics journal. 2018. Vol. 60, № 12. P. 2186-2192

Subject Terms: фоторезисторы, конвертированные слои, фоточувствительность, 0103 physical sciences, время релаксации, 7. Clean energy, 01 natural sciences, потенциальный барьер

Access URL: http://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2018RuPhJ..60.2186I/abstract
https://link.springer.com/article/10.1007/s11182-018-1344-3
https://link.springer.com/content/pdf/10.1007%2Fs11182-018-1344-3.pdf
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000724005

Surface-barrier structures based on solid solutions (In 2 S 3 ) х •(AgIn 5 S 8 ) 1–х ; Поверхностно-барьерные структуры на основе твердых растворов (In 2 S 3 ) х •(AgIn 5 S 8 ) 1–х

Authors: A. A. Feshchanka, V. V. Khoroshko, А. А. Фещенко, В. В. Хорошко

Source: Doklady of the National Academy of Sciences of Belarus; Том 65, № 6 (2021); 764-768 ; Доклады Национальной академии наук Беларуси; Том 65, № 6 (2021); 764-768 ; 2524-2431 ; 1561-8323 ; 10.29235/1561-8323-2021-65-6

Subject Terms: фоточувствительность, Bridgman method, single crystals of solid solutions, crystal lattice, surface-barrier structures, photosensitivity, метод Бриджмена, монокристаллы твердых растворов, кристаллическая решетка, удельное сопротивление, поверхностно-барьерные структуры

File Description: application/pdf

Relation: https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/1031/1028; Боднарь, И. В. Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In2S3)x(AgIn5S8)1–x / И. В. Боднарь, А. А. Фещенко, В. В. Хорошко // Физика и техника полупроводников. – 2020. – Т. 54, № 12. – С. 1350–1354. https://doi.org/10.21883/ftp.2020.12.50236.9500; Полубок, В. А. Выращивание и исследование свойств кристаллов In2S3 / В. А. Полубок, A. M. Ковальчук // Физика конденсированного состояния: тез. докл. XIII Респ. науч. конф. аспирантов, магистрантов и студентов, Гродно, 26–28 апр. 2005 / редкол.: В. А. Лиопо [и др.]. − Гродно, 2005. – С. 183–186.; Боднарь, И. В. Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны твердых растворов (MnIn2S4)1−x•(AgIn5S8)x / И. В. Боднарь, Бинь Тхан Чан // Физика и техника полупроводников. – 2018. – Т. 52, № 8. – С. 958–962. https://doi.org/10.21883/ftp.2018.08.46227.8643; Шербан, К. Ф. Получение и исследования оптических и фотоэлектрических свойств твердых растворов в системах CdS–In 2S3 и AgInS2-In2S3 / К. Ф. Шербан. – Кишинев, 1974. – 145 с.; The In–In 2S3 System / M. F. Stubbs [et al.] // J. American Chemical Society. – 1952. – Vol. 74, N 6. – P. 1441–1443. https://doi.org/10.1021/ja01126a024; Т-х-фазовая диаграмма системы In–S / А. Ю. Завражнов [и др.] // Неорганические материалы. – 2006. – Т. 42, № 12. – С. 1420–1424.; Ansell, H. G. Phase relationships in the In–S system / H. G. Ansell, R. S. Boorman // J. Electrochemical Society. – 1971. – Vol. 118, N 1. – P. 133–136. https://doi.org/10.1149/1.2407925; Phase equilibria in the quasiternary system Ag2S–Ga2S3–In2S3 and optical properties of (Ga55In45)2S300, (Ga54.59In44.66Er0.75)2S300 single crystals / I. A. Ivashchenko [et al.] // Journal of Solid State Chemistry. – 2015. – Vol. 224. – Р. 255–264. https://doi.org/10.1016/j.jssc.2015.04.006; Phase equilibria in the quasi-ternary system Ag2S–In2S3–CdS at 870 K / V. R. Kozera [et al.] // Journal of Alloys and Compounds. – 2009. – Vol. 480, N 2. – P. 360–364. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2009.02.052; Палатник, Л. С. Диаграммы равновесия и структура полупроводниковых сплавов A2ICVI–B2IIIC3VI / Л. С. Палатник, Е. И. Рогачева // Докл. АН СССР. – 1967. – Т. 174, № 1. – С. 80–83.; https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/1031

Availability: https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/1031
https://doi.org/10.29235/1561-8323-2021-65-6-764-768

INTENSITY OF GROWTH AND DEVELOPMENT OF FLAX LINES WITH DIFFERENT PHOTOSENSITIVITY IN THE LATITUDES TRADITIONAL FOR FLAX AND LINSEED

Authors: N. B. Brutch, A. V. Domantovich, V. A. Koshkin, A. A. Sanin, L. A. Kosykh

Source: Труды по прикладной ботанике, генетике и селекции, Vol 176, Iss 2, Pp 210-224 (2018)

Subject Terms: лен, фоточувствительность, вегетационный период, высота, linum usitatissimum, flax, photosensitivity, vegetative period, height, Biotechnology, TP248.13-248.65, Botany, QK1-989

File Description: electronic resource

Relation: https://elpub.vir.nw.ru/jour/article/view/33; https://doaj.org/toc/2227-8834; https://doaj.org/toc/2619-0982

Access URL: https://doaj.org/article/d10598fad3d1414d86e6038dbd8a898e

The WF1 (White Flower 1) gene controlling the white color of petals and flowering time in lines from a mapping population of flax (Linum usitatissimum L.) ; Ген WF1 (White flower 1) белоцветковости и сроки цветения линий картирующей популяции льна (Linum usitatissimum L.)

Authors: N. B. Brutch, I. I. Matvienko, E. A. Porokhovinova, A. V. Pavlov, Н. Б. Брач, И. И. Матвиенко, E. А. Пороховинова, А. В. Павлов

Source: Vavilov Journal of Genetics and Breeding; Том 23, № 6 (2019); 717-722 ; Вавиловский журнал генетики и селекции; Том 23, № 6 (2019); 717-722 ; 2500-3259

Subject Terms: сцепление, photosensitivity, earliness, flower color, linkage, фоточувствительность, скороспелость, окраска цветка

File Description: application/pdf

Relation: https://vavilov.elpub.ru/jour/article/view/2262/1282; Brutch N.B. The development of methods used for evaluation of the inheritance of quantitative characters. Trudy po Prikladnoy Botanike, Genetike i Selektsii = Proceedings on Applied Botany, Genetics and Breeding. 2011;167:23­35. (in Russian); Brutch N.B., Koshkin V., Matvienko I., Porokhovinova E., Tavares de Sousa M., Domantovich A. Influence of low temperatures and short photoperiod on the time of flowering in flax. In: Fiber Foundations – Transportation, Clothing, and Shelter in the Bioeconomy: Proceed­ ings of the 2008 International Conference on Flax and Other Bast Plants. Saskatoon, 21–23 July 2008. Saskatoon, 2008;81-91.; Brutch N.B., Sharov I.Y., Pavlov A.V., Porokhovinova E.A. Diversity of flax characters associated with fibre formation and environmental influence on their formation. Russ. J. Genet.: Appl. Res. 2011;1(5): 361-370. DOI 10.1134/S2079059711050042.; Domantovich A.V., Koshkin V.A., Brutch N.B., Matvienko I.I. Inves­ tigation of photoperiod sensitivity in Linum usitatissimum L. Lines and the effect of short­day conditions on their economically valuable traits. Russian Agricultural Sciences. 2012;38(3):173­177.; Koshkin V.A., Rigin B.V., Matvienko I.I. Evaluation of ultra-earli­ ness and creation of early productive lines of bread wheat with weak photoperiodic sensitivity. Doklady Rossiiskoi Akademii Sel’skokhozyaistvennykh Nauk = Reports of the Russian Academy of Agricultural Sciences. 2003;2:3­5. (in Russian); Lakin G.F. Biometriya [Biometrics]. Moscow: Vysshaya Shkola Publ., 1990. (in Russian); Merezhko A.F. The use of Mendelian principles in computer analysis of quantitative characters inheritance. In: Ecological Genetics of Cul­ tivated Plants: Proceedings of Young Scientists’ School. Krasnodar, 2005;107­117. (in Russian); Obraztsov A.S. Some biological aspects of breeding for earliness. Sel’skokhozyaistvennaya Biologiya = Agricultural Biology. 1983; 18(10):3­11. (in Russian); Porokhovinova E.A. Evaluation of the inheritance of flower and seed color and shape, as well as their relationship with the duration of the germination-flowering phase in flax (Linum usitatissimum L.). Nauchno­Issledovatelskij Bulleten Vserossijskogo Nauchno­Issle­ dovatelskogo Instituta Rastenievodstva Imeni N.I. Vavilova = Bulletin VIR “Research of Plant Genetic Resources for Breeding Purposes in Different Regions of Russia”. 2000;239:56-58. (in Russian); Porokhovinova E.A. Genetic control of flax morphological characters. Trudy po Prikladnoy Botanike, Genetike i Selektsii = Proceedings on Applied Botany, Genetics and Breeding. 2011;167:159-184. (in Russian); https://vavilov.elpub.ru/jour/article/view/2262

Availability: https://vavilov.elpub.ru/jour/article/view/2262
https://doi.org/10.18699/VJ19.545

Получение и исследование полупроводниковых сульфидных пленочных наноструктур

Subject Terms: ионное наслаивание, фоточувствительность, формирование сульфидных гетероструктур, наноразмерные пленочные материалы, сульфидные пленки, полупроводниковые сульфиды

File Description: application/pdf

Access URL: https://elib.belstu.by/handle/123456789/28739

Получение и исследование полупроводниковых сульфидных пленочных наноструктур

Subject Terms: ионное наслаивание, фоточувствительность, формирование сульфидных гетероструктур, наноразмерные пленочные материалы, сульфидные пленки, полупроводниковые сульфиды

File Description: application/pdf

Access URL: https://openrepository.ru/article?id=34741

Легированные пленки оксида цинка для конверсии спектра кремниевых солнечных элементов ; Аlloyed zinc oxide thin films for the conversion of the silicon solar cells spectrum

Authors: Малютина-Бронская, В.В., Залесский, В.Б., Семченко, А.В., Сидский, В.В.

Subject Terms: оксид цинка, редкоземельные ионы, кремниевые солнечные элементы, пропускание, фоточувствительность, конверсия спектра

Relation: http://rour.neicon.ru:80/xmlui/bitstream/rour/207073/1/nora.pdf; 538.95; https://openrepository.ru/article?id=207073

Availability: https://openrepository.ru/article?id=207073

Избирательность фоточувствительности пленки CdS в процессе ее электрохимического выращивания

Authors: Demidenko, I.V., Демиденко, И.В., Isimov, V.M., Ishimov, V.M., Ишимов, В.М., Manghir, A.G., Mangir, A.G., Мангир, А.Г.

Source: Электронная обработка материалов 54 (2) 16-22

Subject Terms: электрохимическое осаждение, сульфид кадмия, фоточувствительность, эквивалентная цепь, математическая модель

File Description: application/pdf

Relation: https://ibn.idsi.md/vizualizare_articol/63568; urn:issn:00135739

Availability: https://ibn.idsi.md/vizualizare_articol/63568
https://doi.org/10.5281/zenodo.1228846

THE PERSPECTIVES OF FABRICATION FOR ULTRAVIOLET PHOTORESISTORS BASED ON ZNO FILMS

Authors: Ievtushenko, A. I., Lashkarev, G. V., Lazorenko, V. I., Kosyachenko, L. A., Sklyarchuk, V. M.

Source: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 7, № 3 (2010); 55-60
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 7, № 3 (2010); 55-60
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 7, № 3 (2010); 55-60

Subject Terms: пленка ZnO, легирование, фоточувствительность, быстродействие, фоторезистор, плівка ZnO, легування, фоточутливість, швидкодія, ZnO film, doping, photoresponse, response speed, photoresistor, 7. Clean energy

File Description: application/pdf

Access URL: http://semst.onu.edu.ua/article/download/114518/113190
http://semst.onu.edu.ua/article/view/114518
http://semst.onu.edu.ua/article/view/114518/113190
http://semst.onu.edu.ua/article/view/114518