-
1Academic Journal
Authors: Ignatkov, K. A., Iskachev, S. A., Luchinin, A. S., Malygin, I. V., Noskov, V. Ya., Povetyev, V. V.
Subject Terms: ЛАЗЕРНЫЙ АВТОДИННЫЙ ИНТЕРФЕРОМЕТР, MOTION PARAMETERS, FREQUENCY MODULATION, PHOTODIODE, SIGNAL CHARACTERISTICS, LASER DIODE, ЧАСТОТНАЯ МОДУЛЯЦИЯ, ФОТОДИОД, АВТОДИННАЯ ИНТЕРФЕРОМЕТРИЯ, AUTODYNE INTERFEROMETRY, LASER AUTODYNE INTERFEROMETER, ПАРАМЕТРЫ ДВИЖЕНИЯ, ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД, СИГНАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Access URL: http://elar.urfu.ru/handle/10995/140495
-
2Academic Journal
Authors: A. V. Borzdov, V. M. Borzdov, D. N. Buinouski, A. N. Petlitsky, А. B. Борздов, В. М. Борздов, Д. Н. Буйновский, А. Н. Петлицкий
Source: Devices and Methods of Measurements; Том 16, № 2 (2025); 140-146 ; Приборы и методы измерений; Том 16, № 2 (2025); 140-146 ; 2414-0473 ; 2220-9506 ; 10.21122/2220-9506-2025-16-2
Subject Terms: ударная ионизация, photocurrent, silicon photodiode, impact ionization, фототок, кремниевый фотодиод
File Description: application/pdf
Relation: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/960/726; Filachev AM, Taubkin II, Trishenkov M. A. Solid-state photoelectronics. Photodiodes. Moscow: Fizmatkniga, 2011, 448 p.; Lozovoy KA, Douhan RMH, Dirko VV, Deeb H, Khomyakova KI, Kukenov OI, Sokolov AS, Akimenko NYu, and Kokhanenko AP. Silicon-based avalanche photodiodes: advancements and applications in medical imaging. Nanomaterials. 2023;(13):3078-1–3078-24. DOI:10.3390/nano13233078; Bronzi D, Villa F, Tisa S, Tosi A, and Zappa F. SPAD figures of merit for photon-counting, photon-timing, and imaging applications: a review. IEEE Sensors Journal. 2016;16(1):3-12. DOI:10.1109/JSEN.2015.2483565; Koziy AA, Losev AV, Zavodilenko VV, Kurochkin YuV, Gorbatsevich AA. Modern methods of detecting single photons and their application in quantum communications. Quantum Electronics. 2021;51(8):655-669. doi:10.1070/QEL17566; Borzdov VM, Zhevnyak OG, Komarov FF, Galenchik VO. Monte Carlo simulation of device structures of integrated electronics. Minsk: BSU, 2007, 175 p.; Jacoboni C, Lugli P. The Monte Carlo method for semiconductor device simulation. Wien–New York: Springer, 2012, 359 p.; Aboud S, Saraniti M, Goodnick S, Brodschelm A, and Leitenstorfer A. Full-band Monte Carlo simulations of photo excitation in silicon diode structures. Semiconductor Science and Technology. 2004;(19):S301-S303. DOI:10.1088/0268-1242/19/4/101; Yanikgonul S, Leong V, Ong JR, Png CE, and Krivitsky L. 2D Monte Carlo simulation of silicon waveguide-based single-photon avalanche diode for visible wavelengths. Optics Express. 2018;26(12):15232-15246. DOI:10.1364/OE.26.015232; Borzdov AV, Borzdov VM, Vyurkov VV. Monte Carlo simulation of picosecond laser irradiation photoresponse of deep submicron SOI MOSFET. Proceedings of SPIE. 2022;(12157):121570Y-1–121570Y-6. doi:10.1117/12.2624174; Zhou X, Ng JS, Tan CH. A simple Monte Carlo model for prediction of avalanche multiplication process in Silicon. Journal of Instrumentation. 2012;7(08):P080061–10. DOI:10.1088/1748-0221/7/08/P08006; Chau Q. An efficient numerical approach to studying impact ionization in sub-micrometer devices. Journal of Computational Electronics. 2014;13:329-337. DOI:10.1007/s10825-013-0536-x; Chau Q. New Models for Impact Ionization in Submicrometer Devices. IEEE Transactions on Electron Devices. 2014;61(4):1153-1160. doi:10.1109/TED.2014.2306417; Ridley BK. Soft-threshold lucky drift theory of impact ionization in semiconductors. Semiconductor Science and Technology. 1987;2:116-122. doi:10.1088/0268-1242/2/2/009; Kamakura Y, Mizuno H, Yamaji M, Morifuji M, Taniguchi K, Hamaguchi C, Kunikiyo T, Takenaka M. Impact ionization model for full band Monte Carlo simulation. Journal of Applied Physics. 1994;75(7):35003506. DOI:10.1063/1.356112; Kunikiyo T, Takenaka M, Morifuji M, Taniguchi K, Hamaguchi C. A model of impact ionization due to the primary hole in silicon for a full band Monte Carlo simulation. Journal of Applied Physics. 1996;79(10):7717725. DOI:10.1063/1.362375; Borzdov AV, Borzdov VM, Dorozhkin NN. Numerical simulation of electric characteristics of deep submicron silicon-on-insulator MOS transistor. Devices and Methods of Measurements. 2016;7(2):161-168. doi:10.21122/2220-9506-2016-7-2-161-168; Martin MJ, Gonzalez T, Velazquez JE, Pardo D. Simulation of electron transport in silicon: impact-ionization processes. Semiconductor Science and Technology. 1993;(8):1291-1297. DOI:10.1088/0268-1242/8/7/017; Robbins VM, Wang T, Brennan KF, Hess K and Stillman GE. Electron and hole impact ionization coefficients in (100) and in (111) Si. Journal of Applied Physics. 1985;58,(12):4614-4617. DOI:10.1063/1.336229; Takayanagi I, Matsumoto K, and Nakamura J. Measurement of electron impact ionization coefficient in bulk silicon under a low electric field. Journal of Applied Physics. 1992;72(5):1989-1992. DOI:10.1063/1.351625; Maes W, De Meyer K. and Van Overstraeten R. Impact ionization in silicon: a review and update. SolidState Electronics. 1990;33(6):705-718. doi:10.1016/0038-1101(90)90183-F; Redmer R, Madureira JR, Fitzer N, Goodnick SM, Schattke W, and Schöll E. Field effect on the impact ionization rate in semiconductors. Journal of Applied Physics. 2000;87(2):781-788. DOI:10.1063/1.371941; https://pimi.bntu.by/jour/article/view/960
-
3Academic Journal
Authors: А. С. Ким, Н. А. Переведенцева, С. Ю. Юрчук, Ф. Д. Коржов
Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 28, № 1 (2025) ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 28, № 1 (2025) ; 2413-6387 ; 1609-3577
Subject Terms: фотодиод, БТО, омический контакт, граница раздела Ti/Si, граница раздела SiO2/p-Si, диод
Relation: https://met.misis.ru/jour/article/downloadSuppFile/634/353; https://met.misis.ru/jour/article/downloadSuppFile/634/354; https://met.misis.ru/jour/article/downloadSuppFile/634/355; https://met.misis.ru/jour/article/downloadSuppFile/634/356; https://met.misis.ru/jour/article/downloadSuppFile/634/357; https://met.misis.ru/jour/article/downloadSuppFile/634/358; https://met.misis.ru/jour/article/downloadSuppFile/634/359; https://met.misis.ru/jour/article/downloadSuppFile/634/360; https://met.misis.ru/jour/article/downloadSuppFile/634/361; https://met.misis.ru/jour/article/downloadSuppFile/634/362; https://met.misis.ru/jour/article/downloadSuppFile/634/363; https://met.misis.ru/jour/article/downloadSuppFile/634/364; Chen L. J. Silicide technology for integrated circuits. London: Institution of Electrical Engineers, 2004. 279 p.; Gambino J. P., Colgan E. G. Silicides and ohmic contacts. Materials chemistry and physics, 1998, vol. 52, No. 2, pp. 99–146. https://doi.org/10.1016/S0254-0584(98)80014-X; Вавилов К., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука, 1990. 216 с.; Hiraki A. Low temperature reactions at Si/metal interfaces; What is going on at the interfaces? Surface Science Reports, 1983, vol. 3, No. 7, pp. 357–412. https://doi.org/10.1016/0167-5729(84)90003-7; Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. М.: Радио и связь, 1987. 464 с.; Гриценко В.А. Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид. Успехи физических наук, 2009, Т. 179, № 9. С. 921–930. https://doi.org/10.3367/UFNr.0179.200909a.0921; Бурлаков Р.Б. К вопросу об определении удельного контактного сопротивления TLM-методом с прямоугольными контактами к полупроводникам. Вестник Омского университета, 2018, Т. 23, № 4. С. 78–86. https://doi.org/10.25513/1812-3996.2018.23(4).78-86.; Aldosari H. M. et al. Very low-resistance Mo-based ohmic contacts to GeTe. Journal of Applied Physics, 2017, vol. 122, No. 17. https://doi.org/https://doi.org/10.1063/1.4990407; Holland A. S. et al. Circular test structures for determining the specific contact resistance of ohmic contacts. Facta universitatis-series: Electronics and Energetics, 2017, vol. 30, No. 3, pp. 313–326. https://doi.org/10.2298/FUEE1703313H; Gupta, S., Paramahans Manik, P., Kesh Mishra, R., Nainani, A., Abraham, M. C., & Lodha, S. Contact resistivity reduction through interfacial layer doping in metal-interfacial layer-semiconductor contacts. Journal of Applied Physics, 2013, vol. 113, No. 23. https://doi.org/10.1063/1.4811340; Солдатенков Ф.Ю., Сорокина С.В., Тимошина Н.Х., Хвостиков В.П., Задиранов Ю.М., Растегаева М.Г., Усикова А.А. Снижение омических потерь и повышение мощности фотоэлектрических преобразователей на основе антимонида индия. Физика и техника полупроводников. 2011, Т. 45, № 9. С. 1266–1273. https://www.elibrary.ru/item.asp?id=20318961; Jang H.W., Kim K.H., Kim J.K. et. al. Low-resistance and thermally stable ohmic contact on p-type GaN using Pd/Ni metallization. Applied Physics Letters, 2001, vol. 79. https://doi.org/10.1063/1.1403660; Lu C., Chen H., Lv X. et. al. Temperature and doping-dependent resistivity of Ti/Au/Pd/Au multilayer ohmic contact ton-GaN. Journal of Applied Physics, vol. 91, No. 11, pp. 9218–9224. https://doi.org/10.1063/1.1471390; Андреев А.Н., Растегаева М.Г., Растегаев В.П., Решанов С.А. К вопросу об учете растекания тока в полупроводнике при определении переходного сопротивления омических контактов. Физика и техника полупроводников. 1998, Т. 32, № 7. С. 832–838. https://elibrary.ru/item.asp?id=21318685; Дриц М. Е., Будберг П. Б., Бурханов Г. С., Дриц А. М., Пановко В. М. Свойства элементов. Справочник. М.: Металлургия, 1985. 672 с.; Березин Б. Я., Кац С. А., Кенисарин М. М., Чеховской В. Я. Теплота и температура плавления титана. Теплофизика высоких температур, 1974, Т. 12, № 3. С. 524–529. https://www.mathnet.ru/rus/tvt9371; Бестугин А.Р., Филонов О.М., Киршина И.А., Андреева Е.В. Особенности проектирования технологического процесса изготовления инерционного элемента микромеханического датчика на поверхностных акустических волнах // III Международная научно-техническая конференция «Радиотехника, электроника и связь», Омск, 2015. С. 438–443.; Филачев А.М., Таубкин И.И., Тришенков М.А. Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды. М.: Физматкнига, 2011. 446 с.; Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высш. школа, 1986. 368 с.; Коледов Л.А. Технология и конструкция микросхем, микропроцессоров и микросборок. М.: Радио и связь, 1989. 400 с.; Патент (РФ) № 2015630066 Либерова Г.В., Маркова Т.Л., Рыбаков А.В. Кристалл кремниевого ограничительного диода. Заявл.: 16.04.2015; опубл.: 20.07.2015. https://elibrary.ru/item.asp?id=39333756; Патент (РФ) № 2790272, МПК H01L 21/28, H01L 31/18. Ким А.С., Серко Н.А. Способ формирования омических контактов к кремнию на основе двухслойной системы металлизации Ti/Au. Заявл.: 03.08.2022; опубл.: 15.02.2023. https://yandex.ru/patents/doc/RU2790272C1_20230215; Бараночников М.Л. Приемники и детекторы излучений. Справочник. М.: ДМК Пресс, 2012. 640 с.; Патент (РФ) № 205303 U1, МПК H01L 31/028. Ким А.С., Колкий А.Н. Многоплощадочный кремниевый p-i-n-фотодиод с двухслойной диэлектрической пленкой. Заявл.: 10.03.2021; опубл.: 08.07.2021. https://yandex.ru/patents/doc/RU205303U1_20210708; https://met.misis.ru/jour/article/view/634
-
4Academic Journal
Authors: Petr Mikhailov, Zhomart Ualiyev, Assem Kabdoldina, Nurzhigit Smailov, Askar Khikmetov, Feruza Malikova
Source: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 5 № 5 (113) (2021): Прикладна фізика; 80-89
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 5 № 5 (113) (2021): Прикладная физика; 80-89
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Vol. 5 No. 5 (113) (2021): Applied physics; 80-89Subject Terms: combined, решетка Брэгга, волоконно-оптичний датчик, ґратки Брегга, laser light-emitting diode, 01 natural sciences, 7. Clean energy, лазерный светодиод, фотодіод, fiber-optic sensor, волоконно-оптический датчик, 0103 physical sciences, Bragg grating, лазерний світлодіод, суміщений, photodiode, совмещенный, фотодиод
File Description: application/pdf
-
5
-
6
Subject Terms: bandwidth, cmos technology, circuit modeling, трансимпедансный усилитель, регулируемый каскод, gain, кмоп-технология, повторное использование тока, моделирование схем, current reuse, шумовые характеристики, полоса пропускания, noise characteristics, photodiode, transimpedance amplifier, коэффициент усиления, фотодиод, regulated cascode
-
7Academic Journal
-
8Academic Journal
Authors: Volodymyr Shcherban, Ganna Korogod, Vitaliy Chaban, Oksana Kolysko, Yury Shcherban’, Ganna Shchutska
Source: Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 2, № 5 (98) (2019): Прикладна фізика; 16-22
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 2, № 5 (98) (2019): Прикладная физика; 16-22
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 2, № 5 (98) (2019): Applied physics; 16-22Subject Terms: надлишкові методи, рівняння вимірювань, параметри функції, підвищення точності, самоконтроль, фотодіод, избыточные методы, уравнение измерений, параметры функции, повышение точности, фотодиод, redundant methods, measurement equations, function parameters, accuracy improvement, self-control, photodiode, 0211 other engineering and technologies, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, UDC 389:621.317, 02 engineering and technology
File Description: application/pdf
-
9Conference
Subject Terms: ХАРАКТЕРИСТИКИ, ИСПЫТАНИЯ, PROTOTYPE, PRODUCT, CHARACTERISTICS, RANGEFINDER, MEASUREMENT, ДАЛЬНОМЕР, ЗАЩИТА, ФОТОДИОД, ОБРАЗЕЦ, ИЗДЕЛИЕ, PROTECTION, PHOTODOIDE
File Description: application/pdf
Access URL: http://elar.urfu.ru/handle/10995/99525
-
10Academic Journal
Subject Terms: фотодиод, система, схема, фоторезистор, характеристика, управление, световой поток, устойчивость, искожение, нанос, грунт, отстойник
Relation: https://zenodo.org/records/5651694; oai:zenodo.org:5651694; https://doi.org/10.5281/zenodo.5651694
-
11Academic Journal
Authors: Mikhailov, P. (Petr), Ualiyev, Z. (Zhomart), Kabdoldina, A. (Assem), Smailov, N. (Nurzhigit), Khikmetov, A. (Askar), Malikova, F. (Feruza)
Source: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies
Subject Terms: волоконно-оптический датчик, фотодиод, лазерный светодиод, решетка Брэгга, суміщений, Indonesia, фотодіод, лазерний світлодіод, ґратки Брегга, fiber-optic sensor, photodiode, laser light-emitting diode, Bragg grating, combined, совмещенный, волоконно-оптичний датчик
File Description: application/pdf
-
12Academic Journal
Authors: K. V. Melnikov
Source: Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 7, Pp 34-39 (2019)
Subject Terms: фотоприемное устройство, лавинный фотодиод, трансимпедансный усилитель, Electronics, TK7800-8360
File Description: electronic resource
-
13Academic Journal
Authors: Эль Машад, Мохамед Б., Тоима, А. Х.
Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Vol. 61 No. 4 (2018); 183-208 ; Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 61 № 4 (2018); 183-208 ; Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка; Том 61 № 4 (2018); 183-208 ; 2307-6011 ; 0021-3470
Subject Terms: средства связи FSO, оптической связи в свободном пространстве, пространственное разнесение, метод MIMO, линейное кодирование NRZ, кодирование без возвращения к нулю, APD фотодиод, лавинный фотодиод, PIN фотодиод, битовый коэффициент ошибок, добротность
File Description: application/pdf
Relation: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347018040015/124216; https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347018040015
-
14Academic Journal
Subject Terms: photoelectric effect, materials science, photocell, фотоэффекты, фотоэлементы, universal stand, фоторезисторы, laboratory lesson, материаловедение, phototransistor, фототранзистор, универсальный стенд, photoresistor, photodiode, фотодиод
File Description: application/pdf
Access URL: https://rep.bsatu.by/handle/doc/12605
-
15Academic Journal
Contributors: ELAKPI
Subject Terms: линейное кодирование NRZ, кодирование без возвращения к нулю, добротность, PIN фотодиод, битовый коэффициент ошибок, средства связи FSO, оптической связи в свободном пространстве, лавинный фотодиод, метод MIMO, пространственное разнесение, APD фотодиод
File Description: application/pdf
Access URL: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/24344
-
16Book
Contributors: ELAKPI
Subject Terms: цифровая камера, шуми фотоприймача, нелінійна оптика, photodetector noise, scanner, оптичний сенсор, цифрова камера, фотодіод, solar cell, сканер, модулятор света, сонячна батарея, оптический сенсор, шумы фотоприемника, солнечная батарея, digital camera, модулятор світла, photodiode, light modulator, нелинейная оптика, optical sensor, фотодиод
File Description: application/pdf
Access URL: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/31034
-
17Academic Journal
Source: Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика.
Subject Terms: load characteristic, фотовольтаический эффект, нагрузочная воль-амперная характеристика, датчик дыма, инжекционно-вольтаический эффект, photovoltaic effect, photodiode, 7. Clean energy, smoke detector, injection-voltaic effect, фотодиод
-
18Academic Journal
Authors: Əhmədov, F.İ.
Subject Terms: əməliyyat gücləndiricisi, beta zərrəcik, Mikropikselli selvari fotodiod, Micropixel Avalanche Photodiode, операционный усилитель, ионизация, 7. Clean energy, эффективность детектирования фотонов, фотоумножитель, beta particle, ionization, гамма, п-терфенил, ssintilyator, p-terphenyl, qamma, photon detection efficiency, operational amplifier, p-terfenil, photomultiplier, MAPD, Mикропиксельный лавинный фотодиод, fotongücləndirici, foton qeydetmə effektivliyi, сцинтиллятор, бета-частица, ionlaşdırıcı, scintillator, gamma
-
19Academic Journal
Subject Terms: photoelectric effect, materials science, photocell, фотоэффекты, фотоэлементы, laboratory work, лабораторные занятия, universal stand, фоторезисторы, материаловедение, phototransistor, фототранзистор, универсальный стенд, photoresistor, photodiode, фотодиод
File Description: application/pdf
Access URL: https://rep.bsatu.by/handle/doc/12485
-
20Academic Journal
Contributors: ELAKPI
Source: Electronics and Communications; Том 19, № 6 (2014); 9-13
Электроника и Связь; Том 19, № 6 (2014); 9-13
Електроніка та Зв'язок; Том 19, № 6 (2014); 9-13Subject Terms: metal/oxide/semiconductor photodiode, heterojunction, структура Al/CeOx/Si/Al, Al/CeOx/Si/Al structure, СеОх, 05 social sciences, 02 engineering and technology, МДН-фотодіод, nanocrystalline cerium oxide films, гетероперехід, нанокристалічні плівки оксиду церію, гетеропереход, 0203 mechanical engineering, нанокристаллические пленки оксида церия, МДП-фотодиод, 0501 psychology and cognitive sciences
File Description: application/pdf