Monte Carlo Simulation of Photoresponse in Silicon Photodiodes with p-n-Junction and p-i-n-Structure ; Моделирование методом Монте-Карло фотоотклика в кремниевых фотодиодах с p-n-переходом и p-i-n-структурой

Συγγραφείς: A. V. Borzdov, V. M. Borzdov, D. N. Buinouski, A. N. Petlitsky, А. B. Борздов, В. М. Борздов, Д. Н. Буйновский, А. Н. Петлицкий

Πηγή: Devices and Methods of Measurements; Том 16, № 2 (2025); 140-146 ; Приборы и методы измерений; Том 16, № 2 (2025); 140-146 ; 2414-0473 ; 2220-9506 ; 10.21122/2220-9506-2025-16-2

Θεματικοί όροι: ударная ионизация, photocurrent, silicon photodiode, impact ionization, фототок, кремниевый фотодиод

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/960/726; Filachev AM, Taubkin II, Trishenkov M. A. Solid-state photoelectronics. Photodiodes. Moscow: Fizmatkniga, 2011, 448 p.; Lozovoy KA, Douhan RMH, Dirko VV, Deeb H, Khomyakova KI, Kukenov OI, Sokolov AS, Akimenko NYu, and Kokhanenko AP. Silicon-based avalanche photodiodes: advancements and applications in medical imaging. Nanomaterials. 2023;(13):3078-1–3078-24. DOI:10.3390/nano13233078; Bronzi D, Villa F, Tisa S, Tosi A, and Zappa F. SPAD figures of merit for photon-counting, photon-timing, and imaging applications: a review. IEEE Sensors Journal. 2016;16(1):3-12. DOI:10.1109/JSEN.2015.2483565; Koziy AA, Losev AV, Zavodilenko VV, Kurochkin YuV, Gorbatsevich AA. Modern methods of detecting single photons and their application in quantum communications. Quantum Electronics. 2021;51(8):655-669. doi:10.1070/QEL17566; Borzdov VM, Zhevnyak OG, Komarov FF, Galenchik VO. Monte Carlo simulation of device structures of integrated electronics. Minsk: BSU, 2007, 175 p.; Jacoboni C, Lugli P. The Monte Carlo method for semiconductor device simulation. Wien–New York: Springer, 2012, 359 p.; Aboud S, Saraniti M, Goodnick S, Brodschelm A, and Leitenstorfer A. Full-band Monte Carlo simulations of photo excitation in silicon diode structures. Semiconductor Science and Technology. 2004;(19):S301-S303. DOI:10.1088/0268-1242/19/4/101; Yanikgonul S, Leong V, Ong JR, Png CE, and Krivitsky L. 2D Monte Carlo simulation of silicon waveguide-based single-photon avalanche diode for visible wavelengths. Optics Express. 2018;26(12):15232-15246. DOI:10.1364/OE.26.015232; Borzdov AV, Borzdov VM, Vyurkov VV. Monte Carlo simulation of picosecond laser irradiation photoresponse of deep submicron SOI MOSFET. Proceedings of SPIE. 2022;(12157):121570Y-1–121570Y-6. doi:10.1117/12.2624174; Zhou X, Ng JS, Tan CH. A simple Monte Carlo model for prediction of avalanche multiplication process in Silicon. Journal of Instrumentation. 2012;7(08):P080061–10. DOI:10.1088/1748-0221/7/08/P08006; Chau Q. An efficient numerical approach to studying impact ionization in sub-micrometer devices. Journal of Computational Electronics. 2014;13:329-337. DOI:10.1007/s10825-013-0536-x; Chau Q. New Models for Impact Ionization in Submicrometer Devices. IEEE Transactions on Electron Devices. 2014;61(4):1153-1160. doi:10.1109/TED.2014.2306417; Ridley BK. Soft-threshold lucky drift theory of impact ionization in semiconductors. Semiconductor Science and Technology. 1987;2:116-122. doi:10.1088/0268-1242/2/2/009; Kamakura Y, Mizuno H, Yamaji M, Morifuji M, Taniguchi K, Hamaguchi C, Kunikiyo T, Takenaka M. Impact ionization model for full band Monte Carlo simulation. Journal of Applied Physics. 1994;75(7):35003506. DOI:10.1063/1.356112; Kunikiyo T, Takenaka M, Morifuji M, Taniguchi K, Hamaguchi C. A model of impact ionization due to the primary hole in silicon for a full band Monte Carlo simulation. Journal of Applied Physics. 1996;79(10):7717725. DOI:10.1063/1.362375; Borzdov AV, Borzdov VM, Dorozhkin NN. Numerical simulation of electric characteristics of deep submicron silicon-on-insulator MOS transistor. Devices and Methods of Measurements. 2016;7(2):161-168. doi:10.21122/2220-9506-2016-7-2-161-168; Martin MJ, Gonzalez T, Velazquez JE, Pardo D. Simulation of electron transport in silicon: impact-ionization processes. Semiconductor Science and Technology. 1993;(8):1291-1297. DOI:10.1088/0268-1242/8/7/017; Robbins VM, Wang T, Brennan KF, Hess K and Stillman GE. Electron and hole impact ionization coefficients in (100) and in (111) Si. Journal of Applied Physics. 1985;58,(12):4614-4617. DOI:10.1063/1.336229; Takayanagi I, Matsumoto K, and Nakamura J. Measurement of electron impact ionization coefficient in bulk silicon under a low electric field. Journal of Applied Physics. 1992;72(5):1989-1992. DOI:10.1063/1.351625; Maes W, De Meyer K. and Van Overstraeten R. Impact ionization in silicon: a review and update. SolidState Electronics. 1990;33(6):705-718. doi:10.1016/0038-1101(90)90183-F; Redmer R, Madureira JR, Fitzer N, Goodnick SM, Schattke W, and Schöll E. Field effect on the impact ionization rate in semiconductors. Journal of Applied Physics. 2000;87(2):781-788. DOI:10.1063/1.371941; https://pimi.bntu.by/jour/article/view/960

Διαθεσιμότητα: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/960
https://doi.org/10.21122/2220-9506-2025-16-2-140-146

NUMERICAL SIMULATION OF ELECTRIC CHARACTERISTICS OF DEEP SUBMICRON SILICON-ON-INSULATOR MOS TRANSISTOR

Συγγραφείς: BORZDOV A.V., BORZDOV V.M., DOROZHKIN N.N.

Πηγή: Приборы и методы измерений, Vol 7, Iss 2, Pp 161-168 (2016)

Θεματικοί όροι: КНИ-МОП-ТРАНЗИСТОР,МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО,УДАРНАЯ ИОНИЗАЦИЯ, Метод Монте-Карло - моделирование, КНИ-МОП-транзистор, monte carlo simulation, soi mosfet, impact ionization, TA1-2040, Engineering (General). Civil engineering (General), 7. Clean energy, Ударная ионизация

Περιγραφή αρχείου: text/html

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://pimi.bntu.by/jour/article/download/253/254
https://doaj.org/article/dca9b4f801d4458cb134affc1b535212
https://cyberleninka.ru/article/n/numerical-simulation-of-electric-characteristics-of-deep-submicron-silicon-on-insulator-mos-transistor
https://pimi.bntu.by/jour/article/download/253/254
https://rep.bntu.by/handle/data/24839
https://core.ac.uk/display/87469846
https://pimi.bntu.by/jour/article/view/253
https://rep.bntu.by/handle/data/24839
http://cyberleninka.ru/article/n/numerical-simulation-of-electric-characteristics-of-deep-submicron-silicon-on-insulator-mos-transistor
http://cyberleninka.ru/article_covers/16883627.png

Current – voltage characteristics of the graded gap and heterojunction diodes containing of the cathode static domain ; Вольтамперные характеристики диодов с катодным статическим доменом, варизонным слоем и гетеропереходом ; Вольтамперні характеристики діодів з катодним статичним доменом з вари зонним шаром та гетеропереходом

Συγγραφείς: Боцула, О. В., Приходько, К. Г.

Πηγή: Visnyk of V.N. Karazin Kharkiv National University, series “Radio Physics and Electronics”; Том 25, № 1116 (2016); 66-69 ; Вестник университета, серия «Радиофизика и электроника»; Том 25, № 1116 (2016); 66-69 ; Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Радіофізика та електроніка»; Том 25, № 1116 (2016); 66-69

Θεματικοί όροι: impact ionization, static cathode domain, current voltage characteristics, heterojunction, graded layer, ударная ионизация, статический катодный домен, вольтамперные характеристики, гетеропереход, варизонный слой, ударна іонізація, статичний катодний домен, вольтамперні характеристики, гетероперехід, варизонний шар

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: http://periodicals.karazin.ua/radiophysics/article/view/9381/8906; http://periodicals.karazin.ua/radiophysics/article/view/9381

Διαθεσιμότητα: http://periodicals.karazin.ua/radiophysics/article/view/9381

CЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И МЕХАНИЗМ ИНИЦИИРОВАНИЯ ВЗРЫВА КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО АЗИДА СВИНЦА ПРИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ

Θεματικοί όροι: эффект Баркгаузена, нитевидные кристаллы β-азида свинца, ударная ионизация, электрокалорический эффект, фото-термо- электроизгиб нитевидных кристаллов, пьезоэффект, доменная сегнетоэлектрическая структура

Modeling the characteristics of avalanche photodiodes based on Ge/Si

Συγγραφείς: Khomyakova, Kristina, Deeb, Hazem, Lozovoy, Kirill, Kokhanenko, Andrey

Θεματικοί όροι: планарная структура, ударная ионизация, optoelectronics, planar structure, gain-bandwidth product, оптоэлектроника, лавинный фотодиод, impact ionization, произведение коэффициент усиления на полосу пропускания, avalanche photodiode

Static characteristics of heterojunction GaAs-AlGaAs diodes for microwave noise ; Статические характеристики диодов с гетеропереходы GaAs-AlGaAs для генерации СВЧ - шума ; Статичні характеристики діодів з гетеропереходом GaAs-AlGaAs для генерації НВЧ – шуму

Συγγραφείς: Боцула, О. В.

Πηγή: Visnyk of V.N. Karazin Kharkiv National University, series “Radio Physics and Electronics”; Том 24, № 1115 (2014); 91–94 ; Вестник университета, серия «Радиофизика и электроника»; Том 24, № 1115 (2014); 91–94 ; Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Радіофізика та електроніка»; Том 24, № 1115 (2014); 91–94

Θεματικοί όροι: impact ionization, static cathode domain, current voltage characteristics, heterojunction, breakdown voltage, ударная ионизация, статический катодный домен, вольтамперные характеристики, гетеропереход, пробивные напряжения, ударна іонізація, статичний катодний домен, вольтамперні характеристики, гетероперехід, пробивні напруги

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: http://periodicals.karazin.ua/radiophysics/article/view/6391/5920; http://periodicals.karazin.ua/radiophysics/article/view/6391

Διαθεσιμότητα: http://periodicals.karazin.ua/radiophysics/article/view/6391

NUMERICAL SIMULATION OF ELECTRIC CHARACTERISTICS OF DEEP SUBMICRON SILICON-ON-INSULATOR MOS TRANSISTOR ; ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ГЛУБОКОСУБМИКРОННОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА СО СТРУКТУРОЙ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ»

Συγγραφείς: A. V. Borzdov, V. M. Borzdov, N. N. Dorozhkin, А. В. Борздов, В. М. Борздов, Н. Н. Дорожкин

Πηγή: Devices and Methods of Measurements; Том 7, № 2 (2016); 161-168 ; Приборы и методы измерений; Том 7, № 2 (2016); 161-168 ; 2414-0473 ; 2220-9506 ; 10.21122/2220-9506-2016-7-2

Θεματικοί όροι: ударная ионизация, Monte Carlo simulation, impact ionization, моделирование методом Монте-Карло

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/253/254; O. Kononchuk and B. -Y. Nguyen Silicon-on-insulator (SOI) Technology. Manufacture and Applications / eds., Woodhead Publishing, Sawston, Cambridge, UK, 2014, 474 p.; Sakurai T., Matsuzawa A., Douseki T. Fully-Depleted SOI CMOS Circuits and Technology for UltralowPower Applications, Springer, Dordrecht, The Netherlands, 2006, 411 p.; Celler G.K., Cristoloveanu S. Frontiers of siliconon-insulator. Journal of Applied Physics, 2003, vol. 93, no. 9, pp. 4955–4978.; Xin’an C., Qing’an H. A novel SOI MOSFET electrostatic field sensor. Journal of Semiconductors, 2010, vol. 31, no. 4, pp. 045003-1–045003-4.; Du W., Inokawa H., Satoh H., Ono A. SOI metaloxide-semiconductor field-effect transistor photon detector based on single-hole counting. Optics Letters, 2011, vol. 36, no 15, pp. 2800–2802.; Du W., Inokawa H., Satoh H., Ono A. Singlephoton detection by a simple silicon-on-insulator metaloxide-semiconductor field-effect Transistor. Japanese Journal of Applied Physics, 2012, vol. 51, pp. 06FE011–06FE01-4.; Sampedro C., Gamiz F., Godoy A., JimenezMolinos F. Quantum Ensemble Monte Carlo simulation of silicon-based nanodevices. Journal of Computational Electronics, 2007, no. 6, pp. 41–44.; Rengel R., Martin M.J., Gonzalez T., Mateos J., Pardo D., Dambrine G., Raskin J.-P., Danneville F. A microscopic interpretation of the RF noise performance of fabricated FDSOI MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2006, vol. 53, no. 3, pp. 523–532.; Zhevnyak O., Borzdov V., Borzdov A., Pozdnyakov D., Komarov F. Monte Carlo study of influence of channel length and depth on electron transport in SOI MOSFETs. Proceedings of SPIE, 2008, vol. 7025, pp. 70251L-1–70251L-8.; Gamiz F., Sampedro C., Donetti L., Godoy A. Monte-Carlo simulation of ultra-thin film siliconon-insulator MOSFETs. International Journal of High Speed Electronics and Systems, 2013, vol. 22, no. 1, pp. 1350001-1–1350001-32.; Fischetti M.V., Laux S.E. Monte Carlo analysis of electron transport in small semiconductor devices including band structure and space-charge effects. Physical Review B, 1988, vol. 38, no 14, pp. 9721–9745.; Duncan A., Ravaioli U., Jacumeit J. Fullband Monte Carlo investigation of hot carrier trends in the scaling of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors. IEEE Transactions on Electron Devices, 1998, vol. 45, no. 4, pp. 867–876.; Buffler F.M., Schenk A., Fichtner W. Efficient Monte Carlo device modeling. IEEE Transactions on Electron Devices, 2000, vol. 47, no. 10, pp. 1891–1897.; Donetti L., Gamiz F., Biel B., Sampedro C. Twoband k·p model for Si-(110) electron devices. Journal of Applied Physics, 2013, vol. 114, pp. 073706-1–073706-7.; Rengel R., Pardo D., Martin M.J. A physically based investigation of the small-signal behaviour of bulk and fully-depleted silicon-on-insulator MOSFETs for microwave applications. Semiconductor Science and Technology, 2004, vol. 19, pp. 634–643.; Borzdov A.V., Borzdov V.M., V’yurkov V.V. Monte Carlo simulation of hot electron transport in deep submicron SOI MOSFET. Proceedings of SPIE, 2014, vol. 9440, pp. 944013-1–944013-7.; Hockney R.W., Eastwood J.W. Computer simulations using particles, McGraw-Hill, New York, 1981, 640 p.; Jacoboni C., Lugli P. The Monte Carlo method for semiconductor device simulation, Springer, Wien– New York, 1989, 357 p.; Gonzalez T., Pardo D. Physical models of ohmic contact for Monte Carlo device simulation. Solid-State Electronics, 1996, vol. 39, no. 4, pp. 555–562.; Jacoboni C., Reggiani L. The Monte Carlo method for the solution of charge transport in semiconductors with applications to covalent materials. Reviews of Modern Physics, 1983, vol. 55, no. 3, pp. 645–705.; Rodriguez-Bolivar S., Gomez-Campos F.M., Carceller J.E. Simple analytical valence band structure including warping and non-parabolicity to investigate hole transport in Si and Ge. Semiconductor Science and Technology, 2005, no. 20, pp. 16–22.; Rodriguez-Bolivar S., Gomez-Campos F.M., Gamiz F., Carceller J.E. Implications of nonparabolicity, warping, and inelastic phonon scattering on hole transport in pure Si and Ge within the effective mass framework. Journal of Applied Physics, 2005, vol. 97, pp. 013702- 1–013702-10.; Gomez-Campos F.M., Rodriguez-Bolivar S., Carceller J.E. An efficient Monte Carlo procedure for studying hole transport in doped semiconductors. Journal of Computational Electronics, 2004, no. 3, pp. 329–332.; Keldysh L.V. Concerning the theory of impact ionization in semiconductors. Soviet Physics JETP, 1965, vol. 21, no. 6, pp. 1135–1144.; Kane E.O. Electron scattering by pair production in silicon. Physical Review, 1967, vol. 159, no. 3, pp. 624–631.; Fischetti M.V., Laux S.E., Crabbe E. Understanding hot-electron transport in semiconductor devices. Journal of Applied Physics, 1995, vol. 78, no. 2, pp. 1058–1087.; Ridley B.K. Soft-threshold lucky drift theory of impact ionization in semiconductors. Semiconductor Science and Technology, 1987, no. 22, pp. 116–122.; Speransky D., Borzdov A., Borzdov V. Impact ionization process in deep submicron MOSFET. International Journal of Microelectronics and Computer Science, 2012, vol. 3, no.1, pp. 21–24.; Borzdov V.M., Borzdov A.V., Speransky D.S., V’yurkov V.V., Orlikovsky A.A. Evaluation of the effective threshold energy of interband impact ionization in a deep-submicron silicon n-channel MOS transistor. Russian Microelectronics, 2014, vol. 43, no. 3, pp 189–193.; Sano N., Aoki T., Tomizawa M., Yoshii A. Electron transport and impact ionization in Si. Physical Review B, 1990, vol. 41, no. 17, pp. 12122–12128.; Sano N., Yoshii A. Impact ionization rate near thresholds in Si. Journal of Applied Physics, 1994, vol. 75, no. 10, pp. 5102–5105.; Kamakura Y., Mizuno H., Yamaji M., Morifuji M., Taniguchi K., Hamaguchi C., Kunikiyo T., Takenaka M. Impact ionization model for full band Monte Carlo simulation. Journal of Applied Physics, 1994, vol. 75, no. 7, pp. 3500–3507.; Kunikiyo T., Takenaka M., Morifuji M., Taniguchi K., Hamaguchi C. A model of impact ionization due to the primary hole in silicon for a full band Monte Carlo simulation. Journal of Applied Physics, 1996, vol. 79, no. 10, pp. 7718–7725.; https://pimi.bntu.by/jour/article/view/253

Διαθεσιμότητα: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/253
https://doi.org/10.21122/2220-9506-2016-7-2-68-81

УДАРНАЯ ИОНИЗАЦИЯ В ДИОДАХ ГАННА

Συγγραφείς: Степанов, А.

Θεματικοί όροι: УДАРНАЯ ИОНИЗАЦИЯ, ДОМЕН, ДИОД ГАННА, ВОЛЬТАМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА, БЫСТРЫЕ И МЕДЛЕННЫЕ ЭЛЕКТРОНЫ, ПРОЛЕТНЫЙ РЕЖИМ, УДАРНА іОНіЗАЦіЯ, ДіОД ГАННА, ВОЛЬТАМПЕРНА ХАРАКТЕРИСТИКА, ШВИДКі ТА ПОВіЛЬНі ЕЛЕКТРОНИ, ПРОЛіТНИЙ РЕЖИМ, GANN’S DIODES

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/udarnaya-ionizatsiya-v-diodah-ganna
http://cyberleninka.ru/article_covers/15554141.png

Терагерцовые автоколебания в инжекционном p–n–переходе с постоянным обратным смещением

Συγγραφείς: Лукин, Константин Александрович, Максимов, Павел Павлович

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Vol. 53 No. 8 (2010); 16-22 ; Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 53 № 8 (2010); 16-22 ; Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка; Том 53 № 8 (2010); 16-22 ; 2307-6011 ; 0021-3470

Θεματικοί όροι: резкий p–n-переход, режим автоколебаний, ударная ионизация, терагерцовые автоколебания, частота, Фурье спектр

Relation: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347010080029

Διαθεσιμότητα: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347010080029
https://doi.org/10.20535/S0021347010080029

НЕЛИНЕЙНОЕ ПРОХОЖДЕНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ ЧЕРЕЗ СЛОЙ С КВАДРАТИЧНОЙ И ДРОБНО-ПОЛИНОМИАЛЬНОЙ ЗАВИСИМОСТЯМИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ

Συγγραφείς: Давидович, Михаил, Стефюк, Юлия

Θεματικοί όροι: НЕЛИНЕЙНОЕ ВОЛНОВОЕ УРАВНЕНИЕ, ДИФРАКЦИЯ, ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ, ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПЛАЗМА, УДАРНАЯ ИОНИЗАЦИЯ, ОГРАНИЧЕНИЕ МОЩНОСТИ, ЖЕСТКИЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ УРАВНЕНИЯ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/nelineynoe-prohozhdenie-elektromagnitnoy-volny-cherez-sloy-s-kvadratichnoy-i-drobno-polinomialnoy-zavisimostyami-dielektricheskoy
http://cyberleninka.ru/article_covers/14854657.png

ПРОХОЖДЕНИЕ ТОКА ЧЕРЕЗ ПОЛУПРОВОДНИК С ДВИЖУЩИМСЯ ДОМЕНОМ

Συγγραφείς: Степанов, Александр

Θεματικοί όροι: ударная ионизация, домен, диод ганна, коэффициент умножения, время жизни электронов и дырок, распределение носителей

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/prohozhdenie-toka-cherez-poluprovodnik-s-dvizhuschimsya-domenom
http://cyberleninka.ru/article_covers/13003783.png

УМНОЖЕНИЕ ТОКА В ДВУХДОЛИННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ ТИПА GaAs. ПЕРЕГРЕВ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЁТКИ

Συγγραφείς: Авакьянц, Г., Степанов, Александр

Θεματικοί όροι: ударная ионизация, домен, диод ганна, отрицательное сопротивление, температура решётки, перегрев решётки

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/umnozhenie-toka-v-dvuhdolinnyh-poluprovodnikah-tipa-gaas-peregrev-kristallicheskoy-reshyotki
http://cyberleninka.ru/article_covers/378540.png

Динамика развития стримерного разряда в полупроводниках

Πηγή: Известия Томского политехнического университета

Θεματικοί όροι: электрические поля, диссипативные структуры, стримеры, скорость, автоколебательные режимы, генерация, пространственно-неоднородные структуры, ударная ионизация, время жизни, неравновесные носители, туннельная ионизация, фотоионизация, стримерные лазеры, скорость света, рекомбинация, активная среда, динамика развития, стримерные разряды, фотоны, полупроводники, пространственно-временная динамика, закономерности, системы, возбуждение, квантовая эффективность, электрон-фотонное взаимодействие, излучательные процессы

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1761

Динамика развития стримерного разряда в полупроводниках

Συγγραφείς: Паращук, В. В., Русаков, К. И.

Πηγή: Известия Томского политехнического университета

Θεματικοί όροι: динамика развития, стримерные разряды, полупроводники, пространственно-временная динамика, ударная ионизация, фотоионизация, туннельная ионизация, рекомбинация, электрон-фотонное взаимодействие, электрические поля, диссипативные структуры, пространственно-неоднородные структуры, автоколебательные режимы, закономерности, стримерные лазеры, время жизни, неравновесные носители, фотоны, квантовая эффективность, активная среда, системы, излучательные процессы, скорость света, генерация, стримеры, возбуждение, скорость

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. 2007. Т. 311, № 2 : Математика и механика. Физика; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1761

Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1761

Фор-инжектор разделяемого вещества на основе пучково-плазменного разряда для ионно-атомных сепарационных технологий. Концептуальный проект. Часть вторая

Συγγραφείς: Скибенко, Евгений Иванович, Ковтун, Ю. В., Юферов, Владимир Борисович

Θεματικοί όροι: магнитное поле, заряженные частицы, пробкотроны, ударная ионизация, линейный закон

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Скибенко Е. И. Фор-инжектор разделяемого вещества на основе пучково-плазменного разряда для ионно-атомных сепарационных технологий. Концептуальный проект. Часть вторая / Е. И. Скибенко, Ю. В. Ковтун, В. Б. Юферов // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Техника и электрофизика высоких напряжений. – Харьков : НТУ "ХПИ", 2007. – № 20. – С. 180-189.; http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35324

Διαθεσιμότητα: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35324

УМНОЖЕНИЕ ТОКА В ДВУХДОЛИННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ ТИПА GAAS. ОБСУЖДЕНИЕ ПРИМЕНИМОСТИ ПРИНЯТОЙ МОДЕЛИ

Συγγραφείς: Авакьянц, Г., Степанов, Александр, Ерёмина, Елена

Θεματικοί όροι: ударная ионизация, домен, умножение носителей, лёгкие электроны, быстрые электроны, скорость домена

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/umnozhenie-toka-v-dvuhdolinnyh-poluprovodnikah-tipa-gaas-obsuzhdenie-primenimosti-prinyatoy-modeli
http://cyberleninka.ru/article_covers/12330764.png

Ударная ионизация в диодах Ганна

Πηγή: Вестник Харьковского национального автомобильно-дорожного университета.

Θεματικοί όροι: УДАРНАЯ ИОНИЗАЦИЯ, ДОМЕН, ДИОД ГАННА, ВОЛЬТАМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА, БЫСТРЫЕ И МЕДЛЕННЫЕ ЭЛЕКТРОНЫ, ПРОЛЕТНЫЙ РЕЖИМ, УДАРНА іОНіЗАЦіЯ, ДіОД ГАННА, ВОЛЬТАМПЕРНА ХАРАКТЕРИСТИКА, ШВИДКі ТА ПОВіЛЬНі ЕЛЕКТРОНИ, ПРОЛіТНИЙ РЕЖИМ, GANN'S DIODES

Περιγραφή αρχείου: text/html

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://cyberleninka.ru/article_covers/15554141.png
http://cyberleninka.ru/article/n/udarnaya-ionizatsiya-v-diodah-ganna

Терагерцовые автоколебания в инжекционном p–n–переходе с постоянным обратным смещением

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Том 53, № 8 (2010); 16-22
Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 53, № 8 (2010); 16-22

Θεματικοί όροι: резкий p–n-переход, режим автоколебаний, ударная ионизация, терагерцовые автоколебания, частота, Фурье спектр

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347010080029

Нелинейное прохождение электромагнитной волны через слой с квадратичной и дробно-полиномиальной зависимостями диэлектрической проницаемости

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Прикладная нелинейная динамика.

Θεματικοί όροι: НЕЛИНЕЙНОЕ ВОЛНОВОЕ УРАВНЕНИЕ, ДИФРАКЦИЯ, ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ, ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПЛАЗМА, УДАРНАЯ ИОНИЗАЦИЯ, ОГРАНИЧЕНИЕ МОЩНОСТИ, ЖЕСТКИЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ УРАВНЕНИЯ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://cyberleninka.ru/article/n/nelineynoe-prohozhdenie-elektromagnitnoy-volny-cherez-sloy-s-kvadratichnoy-i-drobno-polinomialnoy-zavisimostyami-dielektricheskoy
http://cyberleninka.ru/article_covers/14854657.png

Прохождение тока через полупроводник с движущимся доменом

Πηγή: Вестник Харьковского национального автомобильно-дорожного университета.

Θεματικοί όροι: ударная ионизация, домен, диод ганна, коэффициент умножения, время жизни электронов и дырок, распределение носителей

Περιγραφή αρχείου: text/html

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://cyberleninka.ru/article/n/prohozhdenie-toka-cherez-poluprovodnik-s-dvizhuschimsya-domenom
http://cyberleninka.ru/article_covers/13003783.png