The development of the market and the production technology of polycrystalline silicon ; Развитие рынка и технологии производства поликристаллического кремния

Συγγραφείς: V. V. Mitin, A. A. Kokh, В. В. Митин, А. А. Кох

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 20, № 2 (2017); 99-106 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 20, № 2 (2017); 99-106 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2017-2

Θεματικοί όροι: безопасное производство, micro and power electronics, polysilicon, Siemens Process, trichlorosilane, hydrogen reduction, hydrogenation, waste utilization, safe production, микро− и силовая электроника, поликремний, Сименс−процесс, трихлорсилан, водородное восстановление, гидрирование, утилизация отходов

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/306/243; Tore Torvund, President & CEO. Swedbank Energy Summit, Oslo, March 16, 2017. http://hugin.info/136555/R/2088247/788237.pdf (дата обращения: 15.03.2017).; Solar Grade Polysilicon. Recsilicon. URL: https://www. recsilicon.com/products/solar-grade-polysilicon (дата обращения: 25.04.2017).; Electronic Grade Polysilicon. URL: https://www.recsilicon.com/products/electronic-grade-polysilicon (дата обращения: 17.03.2017).; UN Comtrade. URL: https://comtrade.un.org/ (дата обращения: 17.03. 2017).; Global Trends in Renewable Energy Investment 2016. Frankfurt School−UNEP Centre/BNEF. 2016. URL: http://fsunepcentre.org/publications/global-trends-renewable-energyinvestment-2016 (дата обращения: 15.03.2017).; International Energy Outlook 2016. U.S. Energy Information Administration, 2016.; SNEC 2017 — PV Power Expo (Shanghai), 2017. Becquerer Institute. Global costs to installation. PV market Alliance. URL: http://www.snec.org.cn/website/index.aspx?url=Conference/ Login&lang=en (дата обращения: 12.05.2017).; Westermeier C. Global Market Outlook, President, Solar Power Europe Intersolar, Munich, 30 May 2017. URL: https://www. intersolar.de/en/program/proceedings.html (дата обращения: 05.05.2017).; IRENA (2017), REthinking Energy 2017: Accelerating the global energy transformation. International Renewable Energy Agency, Abu Dhabi. URL: http://www.ourenergypolicy.org/wp− content/uploads/ 2017/01/IRENA_REthinking_Energy_2017.pdf (дата обращения: 23.05.2017).; O’Mara R. B., Herring L. P. Handbook of Semiconductor Silicon Technology. Park Ridge (New Jersey): Noyes Publications, 1990. P. 5—15.; Фалькевич Э. С., Пульнер Э. О., Червоный И. Ф,. Шварцман Л. Я, Яркин В. Н., Салли И. В. Технология полупроводникового кремния. М.: Металлургия, 1992. 408 с.; Elyousfi A. Investment in Polysilicon Production. URL: https://ru.scribd.com/document/245610342/Alan-Elyousfi-Investment-in-Polysilicon-Production (дата обращения: 09.01.2017).; SVP Jon André Lokke Copenhagen, January 8, 2010. URL: http://www.huginonline.no/REC/files/20100108a.pdf (дата обращения: 02.06.2017).; Белов Е. П. Лебедев Е. Н., Григораш Ю. П., Горюнов А. Н., Литвиненко И. Н. Моносилан в технологии полупроводниковых материалов. М.: НИИТЭХИМ, 1989. 66 с.; Pat. 6103942 A (US). Method of high purity silane preparation / Y. S. Tsuo, E. P. Belov, V. G. Gerlivanov, V. V. Zadde, S. I. Kleschevnikova, N. N. Korneev, E. N. Lebedev, A. B. Pinov, E. A. Ryabenko, D. S. Strebkov, E. A. Chernyshev, 15.08.2000; Киселев А. Д. Процессы получения кремния с низким содержанием примесей с использованием магниетермического восстановления диоксида кремния в аппаратах стесненного падения. URL: http://portal.tpu.ru/portal/pls/portal/!app_ds.ds_view_bknd. download_doc?fileid=987 (дата обращения: 10.06.2017).; International Technology Roadmap for Photovoltaic, 2015. VDMA Photovoltaic Equipment. URL: http://www.itrpv.net/.cm4all/ iproc.php/ITRPV%20Seventh%20Edition%20including %20maturity%20report%2020161026.pdf?cdp=a (дата обращения: 10.03.2017).; Пат. RU № 2280010 C1 (РФ). Способ получения трихлорсилана / А. В. Елютин, Ю. Н. Назаров, А. М. Чапыгин, А. А. Кох, А. А. Аркадьев, В. В. Апанасенко, 20.07.2006.; Пат. № 011971 (Евразийский). Способ получения поликристаллического кремния / А. А. Аркадьев, А. В. Елютин, Л. С. Иванов, А. А. Кох, В. Г. Левин, В. В. Митин, Ю. Н. Назаров, Ю. Н. Пархоменко, В. А. Пекелис, И. Ю. Петрова, Т. В. Симонова, А. М. Чапыгин, 30.06.2009.; Пат. RU № 2278076 C2 (РФ). Устройство гидрирования тетрахлорида кремния / Л. С. Иванов, В. Г. Левин, В. В. Митин, Д. В. Назаркин, 20.06.2006.; Пат. RU № 2274602 С1 (РФ). Способ получения трихлорсилана. МПК: C01B33/107 / Л. С. Иванов, В. Г. Левин, В. В. Митин, Д. В. Назаркин, 20.04.2006.; Shravan Kumar Chunduri. Detailed product descriptions of Siemens−type CVD reactors // Photon International. 2013. P. 120—126.; ОАО «Гиредмет». URL: http://giredmet.ru/ru/products/ polysilicon/pulisilicontechnology/; http://giredmet.ru/ru/products/ polysilicon/polysiliconequipment/ (дата обращения: 05.06.2017).; Пат. RU № 2475451 C1 (РФ). Способ получения поликристаллического кремния / А. Б. Пинов, С. А. Муравицкий, Т. Р. Тимербулатов, П. М. Гаврилов, А. П. Прочанкин, М. В. Болгов, О. Г. Войнов, 20.02.2013.; Пархоменко Ю. Н., Наумов А. В. Когда закончится перепроизводство поликремния // XI Конф. и X Школа молодых ученых и специалистов (Кремний−2016). Тезисы докладов. Новосибирск, 2016. С. 23.; Наумов А. В. Инвестиционные циклы рынка поликремния // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015. Т. 18, № 3. С. 172—178. DOI:10.17073/1609- 3577-2015-3-172-178; ГОСТ 12.1.010−76. 1999. Взрывобезопасность. Общие требования.; ГОСТ 12.1.007−76. 1999. Вредные вещества. Классификация. Общие требования безопасности.; https://met.misis.ru/jour/article/view/306

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/306
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2017-2-99-106

Атомно-эмиссионное определение примесей в трихлорсилане и четырёххлористом кремнии

Συγγραφείς: Shabanova, E. V., Dzhugashvili, A. A., Vasilyeva, I. E., Strunevich, S. K., Proydakova, O. A.

Θεματικοί όροι: КРЕМНИЙ ЧЕТЫРЁХХЛОРИСТЫЙ, ПРИМЕСИ, TRICHLOROSILANE, ТРИХЛОРСИЛАН, ATOMIC-EMISSION SPECTROMETRY WITH MAES PHOTODIODES ARRAYS, АТОМНО-ЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОМЕТРИЯ С ФОТОДИОДНЫМИ ЛИНЕЙКАМИ МАЭС, SILICON TETRACHLORIDE, IMPURITIES

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://elar.urfu.ru/handle/10995/42526

Некоторые особенности пробоподготовки трихлорсилана и четырёххлористого кремния к атомно-эмиссионному определению примесей

Συγγραφείς: Strunevich, S. K., Vasilyeva, I. E., Proydakova, O. A., Shabanova, E. V., Dzhugashvili, A. A.

Θεματικοί όροι: ЧЕТЫРЁХХЛОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ, TRICHLOROSILANE, ТРИХЛОРСИЛАН, CONCENTRATION OF IMPURITIES VIA MATRIX DISTILLATION, КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ ОТГОНКОЙ ОСНОВЫ, SILICON TETRACHLORIDE

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://elar.urfu.ru/handle/10995/42525

Механизм увеличения времени жизни неравновесных носителей заряда в кристаллах кремния

Συγγραφείς: Червоный, И. Ф., Строителева, Н. И., Егоров, С. Г., Воляр, Р. М.

Θεματικοί όροι: выращивание, метод Чохральского, примесь, исходное сырье, солнечные элементы, трихлорсилан, crystal, growth, method Chohralsky, impurity

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Механизм увеличения времени жизни неравновесных носителей заряда в кристаллах кремния / И. Ф. Червоный [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Новые решения в современных технологиях. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 54. – С. 126-130.; http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/17428

Διαθεσιμότητα: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/17428

Thermodynamic analysis of hydrochlorination process of technical silicon

Πηγή: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 6(54) (2011): Technologies of organic and inorganic substances; 56-59
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 6(54) (2011): Технологии органических и неорганических веществ; 56-59
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 6(54) (2011): Технології органічних і неорганічних речовин; 56-59

Θεματικοί όροι: Рolycrystalline silicon, chlorination, trichlorosilane, 0211 other engineering and technologies, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, 02 engineering and technology, Поликристаллический кремний, хлорирование, трихлорсилан, Полікристалічний кремній, хлорування, трихлорсилан, УДК 621.315.592

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/2300

Механизм увеличения времени жизни неравновесных носителей заряда в кристаллах кремния

Θεματικοί όροι: примесь, исходное сырье, трихлорсилан, growth, impurity, method Chohralsky, метод Чохральского, солнечные элементы, выращивание, crystal

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/17428

Атомно-эмиссионное определение примесей в трихлорсилане и четырёххлористом кремнии ; Atomic-emission determination of impurities in trichlorosilane and silicon tetrachloride

Συγγραφείς: Шабанова, Е. В., Джугашвили, А. А., Васильева, И. Е., Струневич, С. К., Пройдакова, О. А., Shabanova, E. V., Dzhugashvili, A. A., Vasilyeva, I. E., Strunevich, S. K., Proydakova, O. A.

Θεματικοί όροι: TRICHLOROSILANE, SILICON TETRACHLORIDE, IMPURITIES, ATOMIC-EMISSION SPECTROMETRY WITH MAES PHOTODIODES ARRAYS, ТРИХЛОРСИЛАН, КРЕМНИЙ ЧЕТЫРЁХХЛОРИСТЫЙ, ПРИМЕСИ, АТОМНО-ЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОМЕТРИЯ С ФОТОДИОДНЫМИ ЛИНЕЙКАМИ МАЭС

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Аналитика и контроль. 2012. № 1; http://elar.urfu.ru/handle/10995/42526

Διαθεσιμότητα: http://elar.urfu.ru/handle/10995/42526

Некоторые особенности пробоподготовки трихлорсилана и четырёххлористого кремния к атомно-эмиссионному определению примесей ; Some specialties of sample preparation of trichlorosilane and silicon tetrachloride for atomic-emission determination of impurities

Συγγραφείς: Струневич, С. К., Васильева, И. Е., Пройдакова, О. А., Шабанова, Е. В., Джугашвили, А. А., Strunevich, S. K., Vasilyeva, I. E., Proydakova, O. A., Shabanova, E. V., Dzhugashvili, A. A.

Θεματικοί όροι: TRICHLOROSILANE, SILICON TETRACHLORIDE, CONCENTRATION OF IMPURITIES VIA MATRIX DISTILLATION, ТРИХЛОРСИЛАН, ЧЕТЫРЁХХЛОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ, КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ ОТГОНКОЙ ОСНОВЫ

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Аналитика и контроль. 2012. № 1; http://elar.urfu.ru/handle/10995/42525

Διαθεσιμότητα: http://elar.urfu.ru/handle/10995/42525

Некоторые особенности пробоподготовки трихлорсилана и четырёххлористого кремния к атомно-эмиссионному определению примесей

Συγγραφείς: Струневич, С. К., Васильева, И. Е., Пройдакова, О. А., Шабанова, Е. В., Джугашвили, А. А., Strunevich, S. K., Vasilyeva, I. E., Proydakova, O. A., Shabanova, E. V., Dzhugashvili, A. A.

Όροι ευρετηρίου: TRICHLOROSILANE, SILICON TETRACHLORIDE, CONCENTRATION OF IMPURITIES VIA MATRIX DISTILLATION, ТРИХЛОРСИЛАН, ЧЕТЫРЁХХЛОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ, КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ ОТГОНКОЙ ОСНОВЫ, Article, info:eu-repo/semantics/article, info:eu-repo/semantics/publishedVersion

Σύνδεσμος: http://hdl.handle.net/10995/42525
Аналитика и контроль. 2012. № 1

Атомно-эмиссионное определение примесей в трихлорсилане и четырёххлористом кремнии

Συγγραφείς: Шабанова, Е. В., Джугашвили, А. А., Васильева, И. Е., Струневич, С. К., Пройдакова, О. А., Shabanova, E. V., Dzhugashvili, A. A., Vasilyeva, I. E., Strunevich, S. K., Proydakova, O. A.

Όροι ευρετηρίου: TRICHLOROSILANE, SILICON TETRACHLORIDE, IMPURITIES, ATOMIC-EMISSION SPECTROMETRY WITH MAES PHOTODIODES ARRAYS, ТРИХЛОРСИЛАН, КРЕМНИЙ ЧЕТЫРЁХХЛОРИСТЫЙ, ПРИМЕСИ, АТОМНО-ЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОМЕТРИЯ С ФОТОДИОДНЫМИ ЛИНЕЙКАМИ МАЭС, Article, info:eu-repo/semantics/article, info:eu-repo/semantics/publishedVersion

Σύνδεσμος: http://hdl.handle.net/10995/42526
Аналитика и контроль. 2012. № 1