Methods of trichlorosilane synthesis for polycrystalline silicon production ; Методы получения трихлорсилана для производства поликристаллического кремния

Συγγραφείς: V. N. Jarkin, O. A. Kisarin, T. V. Kritskaya, В. Н. Яркин, О. А. Кисарин, Т. В. Критская

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 24, № 1 (2021); 5-26 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 24, № 1 (2021); 5-26 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2021-1

Θεματικοί όροι: кремний, поликристаллический кремний, Сименс-процесс

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/419/351; Мировая энергетика. http://www.eeseaec.org; Colthore A. Lux research utility-scale solar can complete with natural gas by 2025. www.pv-tech.org/news/31983 (дата обращения: 03.12.2013); US installiert mehr Solarstrom als Gas im Jahr 2015. www.pv-tech.org/news/us-installied-move-solar-power-than-gas-in-2015 (дата обращения: 06.02.2016); Рыночные перспективы гетероструктурных (HJT) модулей — интрига солнечной энергетики. https://renen.ru/market-prospects-for-heterojunction-hjt-modules-solar-energy-intrigue/; Global and China's polysilicon market industries, 2019—2023 examined in new market research report. https://www.whatech.com/markets-research/materials-chemicals/597111-research-report-on-global-and-china-s-polysilicon-market-industries-2019-2023 (дата обращения: 16.06.2020); Photovoltaic I: Polycrystalline Silicon. https://www.globalmarketmonitor.com (дата обращения: 27.07.2020); Global and China Polysilicon Industry Report 2019—2023. https://www.globenewswire.com/news-release/2019/05/24/1843135/0/en/Global-and-China-Polysilicon-Industry-Report-2019-2023.html (дата обращения: 24.02.2020); China's polysilicon output will reach 450,000 tons in 2020. https://www.funcmater.com/china-s-polysilicon-output-will-reach-450-000-tons-in-2020.html (дата обращения: 24.02.2020); Polysilicon manufacturers. https://www.bernreuter.com/polysilicon/manufacturers/ (дата обращения: 19.10.2020); Taiyang News: Daqo sold more polysilicon than guided in Q2/2020. http://taiyangnews.info/business/daqo-sold-more-polysilicon-than-guided-in-q22020/ (дата обращения: 18.10.2020); Bellini E. China holds firm on strategy to build self-sufficient domestic polysilicon industry. https://www.pv-magazine.com/2020/01/20/china-holds-firm-on-strategy-to-build-self-sufficient-domestic-polysilicon-industry/ (дата обращения: 20.01.2020); Kunal Ahuja, Kritika Mamtani. Trichlorosilane Market Size worth over $10bn by 2025. https://www.gminsights.com/pressrelease/trichlorosilane-market (дата обращения: 17.10.2019); Hesse K. Advanced Solar-Grade Si Material // In: Petrova-Koch V., Hezel R., Goetzberger A. (Eds) High-Efficient Low-Cost Photovoltaics. Berlin; Heidelberg: Springer, 2009. P. 45—54. DOI:10.1007/978-3-540-79359-5_4; Яркин В. Н., Кисарин О. А., Реков Ю. В., Червоный И. Ф. Кремний для солнечной энергетики: конкуренция технологий, влияние рынка, проблемы развития // Теория и практика металлургии. 2010. № 1–2. С. 114—126.; Fabry L., Hesse K. Crystalline Silicon Feedstock Preparation and Analysis // In: Willeke G. P., Weber E. R. (Eds) Semiconductors and Semimetals. V. 87. San Diego: Academic Press, 2012. P. 185—261. DOI:10.1016/B978-0-12-388419-0.00007-8; Ceccaroli B., Pizzini S. Processes // In: Pizzini S. (Ed.) Advanced Silicon Materials for Photovoltaic Applications. John Wiley & Sons, Ltd., 2012. P. 21—78. DOI:10.1002/9781118312193.ch2; Fu R., James T. L., Woodhouse M. Economic measurements of polysilicon for the photovoltaic industry: market competition and manufacturing competitiveness // IEEE J. Photovoltaics. 2015. V. 5, N 2. P. 515—524. DOI:10.1109/JPHOTOV.2014.2388076; Coleman L. The Chemistry of Silicon Hydrochlorination. http://www.consultant-on-demand.net/ (дата обращения: 17.10.2019); Crawford A. Cost saving of using a metallurgical grade silicon with higher trichlorsilane yield in the hydrochlorination based polysilicon process // Silicon for the Chemical and Solar Industry XIII. Kristiansand (Norway), 2016. P. 201—217. https://www.ntnu.no/trykk/publikasjoner/Silicon%20for%20the%20chemical%20and%20solar%20industry%20XIII/HTML/files/assets/common/downloads/page0209.pdf; Samori H., Enocuchi M., Aimoto T. et. al. Effect of trace elements in metallurgical silicon on trichlorsilane synthesis reaction // Silicon for the Chemical Industry III. Trondheim (Norway): Norwegian University of Science and Technology, 1996. P. 157—167.; Kürschner U., Pätzold U., Hesse K., Lieske H. Studies on trichlorsilane syntheses // Silicon for the Chemical Industry VII. Tromsø-Bergen (Norway), 2004. P. 177—178.; Hesse K., Pätzold U. Survey over the TCS process // Silicon for Chemical Industry VIII. Trondheim (Norway): Norwegian University of Science and Technology, 2006. P. 157—166.; Kürschner U., Radnik J., Lieske H. On Reasons for Selectivity Losses in TCS Synthesis // In: Auner N., Weis J. (Ed.) Organosilicon Chemistry VI: From Molecules to Materials.‎ V. 1. New York; Amsterdam: Wiley-VCH, 2005. 1020 p. (P. 119—125). DOI:10.1002/9783527618224.ch2a; Dropka N., Hoang D. L., Küvschnev U., Martin A., Pätzold U., Hesse K., Lieske H. Kinetic studies on trichlorsilane synthesis // Silicon for Chemical Industry VIII. Trondheim (Norway): Norwegian University of Science and Technology, 2006. P. 167—180.; Demin A. Reaktionstechnische Untersuchungen zur Hydrochlorierung von metallurgischem Silicium: Doktors der Ingenieurswissenschaften (Dr. Ing.) genehmigte Abhandlung. Institut für Technische Chemie der Universität Stuttgart, 2012. https://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/1374; Фалькевич Э. С., Пульнер Э. О., Червоный И. Ф., Шварцман Л. Я., Яркин В. Н., Салли И. В. Технология полупроводникового кремния. М.: Металлургия, 1992. 408 с.; Kanner B., Lewis K. M. Commercial production of silanes by the direct synthesis // In: Lewis K. M., Rethwish D. G. (Ed.) Catalyzed Direct Reaction of Silicon. Amsterdam; New York: Elsevier, 1993. 644 p. (P. 1—66).; Breneman W. C. Direct synthesis of chlorosilanes and silan // In: Lewis K. M., Rethwish D. G. (Ed.) Catalyzed Direct Reaction of Silicon. Amsterdam; New York: Elsevier, 1993. 644 p. (P. 441—457).; Liebischev S., Weidhaus D., Weiss T. Integrated loops: a prerequisite for sustainable and environmentallyfriendly polysilicon production // Photovoltaics International Journal. 2010. P. 44—51.; Noll W. Chemie und Technologie der Silicone. Weinheim: Verlag Chemie GmbH, 1960. 460 p.; Voorhoeve R. J. H. Organosilanes: Precursors to Silicones. New York: Elsevier, 1967. 437 p.; Chigondo F. From Metallurgical-Grade to Solar-Grade Silicon: An Overview // Silicon. 2018. V. 10. P. 789—798. DOI:10.1007/s12633-016-9532-7; Andersen G. J., Hoel J. O., Rong H., Øye H. A. Selectivity and Reactivity of the Trichlorosilane Process. https://www.pyrometallurgy.co.za/InfaconIX/352-Andersen.pdf; Demin A., Montsch T., Klemm E. Untersuchungen der Induktionsphase der Hydrochlorierung von metallurgischem Silicium // Chem. Ing. Techn. 2011. V. 83, N 10. P. 1728—1733. DOI:10.1002/cite.201100069; Rong H. M., Forwald K. et al. Quality criteria for silicon used for organo-silicon industry // In: Lewis K. M., Rethwish D. G. (Ed.) Catalyzed Direct Reaction of Silicon. Amsterdam; New York: Elsevier, 1993. 644 p. (P. 93—105).; Bonitz E. Reaktionen des elementaren Siliciums // Angewandte Chemie. 1966. V. 78, Iss. 9. P. 475—482. DOI:10.1002/ange.19660780903; Bade S., Hoffmann U. Development of а new reactor for combined comminution and chemical reaction // Chem. Eng. Comm. 1996. V. 143, Iss. 1. Р. 169—193. DOI:10.1080/00986449608936440; Patent 102006027273 (DE). Verfahren zur Gewinnung von Reinstsilizium / B. Beck, T. Neußer, T. Müller, 2006. https://patentimages.storage.googleapis.com/82/49/da/a6bd219f1bde8c/DE102006027273B3.pdf; Patent 102009014562 (DE). Aufreinigung von metallurgischem Silizium / A. Petrik, Ch. Schmid, J. Hahn, 2009. https://patentimages.storage.googleapis.com/c6/45/f7/7ecc679b4f89de/DE102009014562A1.pdf; Nygaard L., Brekken H., Lie H. U., Lie H. U., Magnussen Th. E., Sveine A. Water Granulation of Ferrosilicon and Silicon Metal // In: INFACON 7. Trondheim (Norway), 1995. P. 665—671. https://www.pyro.co.za/InfaconVII/665-Nygaard.pdf; Patent 0402665A3 (EP). Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Metallpulver / P.-A. Lundström, A. West, G. A. Andersson, Ju. Mägi, 1993. https://patentimages.storage.googleapis.com/33/ae/8f/7e6410a1174279/EP0402665B1.pdf; Patent 2003018207A1 (WO). Procede de suppression d'impuretes a partir de residus contenant du silicium / H. M. Rong, H. Sørheim, H. A. Øye, 2003. https://patentimages.storage.googleapis.com/97/79/08/a2a1debf71b5ea/WO2003018207A1.pdf; Patent 3230590A1 (DE). Verfahren zur herstellung von trichlorsilan und siliciumtetrachlorid aus silicium und chlorwasserstoff / T. Ito, H. Hori, 1985.; Patent 4176710A (US). Fluidized bed reactor / J. Gansauge, J. Muschi, H. Freudlsperger, 1979. https://patentimages.storage.googleapis.com/ae/64/48/43daa1a905c253/US4176710.pdf; Patent 1586537B1 (EP). Verfahren zur Herstellung von Trichlormonosilan / B. Pflügler, G. Traunspurger, W. Dr. Grünleitner, 2005. https://patentimages.storage.googleapis.com/07/56/85/0c5a9ee2f8fe18/EP1586537B1.pdf; Patent 2013037639A1 (WO). Verwertung niedrigsiedender verbindungen in chlorsilan-prozessen / H. Seiler, N. Schladerbeck, H. Mertsch, F. Becker, 2013. https://patentimages.storage.googleapis.com/b3/c6/28/b3d55daf434934/WO2013037639A1.pdf; Patent 20090016947A1 (US). Recycling of high-boiling compounds within an integrated chlorosilane system / L. Fabry, U. Paetzold, M. Stepp, 2009. https://patentimages.storage.googleapis.com/92/c7/d2/e031d445e89e00/US20090016947A1.pdf; Patent 9533279B2 (US). Method and apparatus for manufacturing trichlorosilane / N. Tachino, H. Takesue, H. Satoh, 2017. https://patentimages.storage.googleapis.com/6c/3e/f9/29afadd2d67224/US9533279.pdf; Patent 20110129402A1 (US). Method of producing trichlorosilane (TCS) rich product stably from hydrogenation of silicon tetra chloride (STC) in fluidized gas phase reactor (FBR) and the structure of the reactor / Yong Chae Chee, Tetsunori Kunimune, 2011. https://patentimages.storage.googleapis.com/4b/e7/e1/ebbe96cab5800a/US20110129402A1.pdf; Patent 3017298B1 (EP). Analyse der zusammensetzung eines gases oder eines gasstromes in einem chemischen reaktor und ein verfahren zur herstellung von chlorsilanen in einem wirbelschichtreaktor / Th. Goebel, W. Haeckl, W. Muenzer, U. Paetzold, N. Sofina, 2017. https://patentimages.storage.googleapis.com/35/eb/66/2f6286019a636d/EP3017298B1.pdf; Аркадьев А. А., Назаров Ю. Н., Кох А. А., Чапыгин А. М., Новиков А. В. Влияние давления на соотношение трихлорсилана и тетрахлорида кремния в парогазовой смеси, образующейся в процессе прямого синтеза трихлорсилана // Цветные металлы. 2012. № 7. С. 62—64.; Fischer C., Wolf E. Zur Darstellung von Trichlorsilan durch Hydrochlorierung von reinem Silicium bei 300–800 °C // Z. Anorg. und Allg. Chem. 1964. V. 333, N 1–3. P. 46—53. DOI:10.1002/zaac.19643330108; Patent 1942280A1 (DE). Verfahren zur Herstellung von Halogensilanen / R. Schwarz, Eu. Meyer-Simon, 1971.; Руководство по неорганическому синтезу: в 6-ти томах. Т. 3. Пер. с нем. / Под ред. Г. Брауэра. М.: Мир, 1985. C. 744.; Patent 4044109A (US). Process for the hydrochlorination of elemental silicon / H.-J. Kotzsch, H.-J. Vahlensieck, W. Josten, 1977. https://patentimages.storage.googleapis.com/51/c8/56/6a0ec6056bc8ee/US4044109.pdf; Ehrich H., Lobreyer T., Hesse K., Lieske H. Some phenomenological and mechanistic aspects of the use of copper as catalyst in trichlorosilane synthesis // Studies in Surface Science and Catalysis. 2000. V. 130. Р. 2267—2272. DOI:10.1016/S0167-2991(00)80806-X; Иванов В. Н., Трубицин Ю. В. Развитие конструкции реакторов псевдоожиженного слоя для синтеза трихлорсилана // Цветные металлы. 2013. № 7. С. 51—57.; Jain M. P., Sathiyamoorthy D., Rao V. G. Studies on hydrochlorination of silicon in a fluidised bed reactor // Indian Chem. Engineering. 2010. V. 51, N 4. Р. 272—280. DOI:10.1080/00194500903444417; Mui J. Y. P. Corrosion Mechanism of Metals and Alloys in the Silicon-Hydrogen-Chlorosilane System at 500 °C // Corrosion. 1985. V. 41, Iss. 2. Р. 63—69. DOI:10.5006/1.3581973; Patent 3640172C1 (DE). Reactor of nickel-containing material for reacting granular Si-metal-containing material with hydrogen chloride to form chlorosilanes / K. Ruff, 1988.; Kraus Ch. Korrosionverhalten metallischer und keramisher Werkstoffe in Prozeßgasen zur Herstellung von Solarsilizium: Diss. Aachen: Techn. Hochsch., 2002. 156 р.; Бокшицкая Н. А., Мещерякова И. Д., Колпенская А. В. и др. Коррозионная стойкость материалов в условиях производства хлорсиланов. М.: НИИТЭХИМ, 1985. 30 с.; Aller J., Ellingwood K., Jacobson N., Gannon P. High temperature chlorosilane corrosion of AISI 316L // J. Electrochem. Soc. 2016. V. 163, N 8. P. 425—458. DOI:10.1149/2.0751608jes; Patent 102015205727A1 (DE). Fluidized bed reactor for the production of chlorosilanes / M. Babl, S Liebischev, 2018. https://patentimages.storage.googleapis.com/90/7c/eb/9d3f1f35ba5fb7/DE102015205727A1.pdf; Ivanov V. N., Trubitsin Yu. V. Approaches to hydrogenation of silicon tetrachloride in polysilicon manufacture // Russ. Microelectron. 2011. V. 40, N 8. P. 559—561. DOI:10.1134/S1063739711080099; Ipatiew W., Dolgow B. Über Hydrierung und Zerfall von silizium-organischen Verbindungen bei hohen Temperaturen und Drucken (Vorläufige Mitteilung) // Berichte der Deutschen Chemischen Gesellschaft. 1929. V. 62, N 5. P. 1220—1226.; Patent 4170667 (US). Process for manufacturing pure polycrystalline silicon / M. A. Rodgers, 1979. https://patentimages.storage.googleapis.com/48/c3/c5/d313ee70534a40/US4170667.pdf; Patent 4217334A (US). Process for the production of chlorosilanes. W. Weigert, E. Meyer-Simon, R. Schwarz, 1980. https://patentimages.storage.googleapis.com/de/4b/9b/f82584e72dadbf/US4217334.pdf; Zhou Y.-M., Fand W.-B., Li Y.-G., Nie Z.-F., Ma W.-H., Dai Y.-N., Hou Y.-Q. Equilibrium concentrations of SiHCl3 and SiCl4 in SiCl4–H2 system for hydrogenation of SiCl4 to SiHCl3 // J. Chem. Eng. Jpn. 2017. V. 50, N 12. P. 871—877. DOI:10.1252/jcej.16we321; Kunioshi N., Moriyama Y., Fuwa A. Kinetics of the conversion of silicon tetrachloride into trichlorosilane obtained through the temperature control along a plug-flow reactor // Int. J. Chem. Kinetics. 2016. V. 48, N 1. P. 45—57. DOI:10.1002/kin.20969; PST and DEI Launch Large Scale Silicon Tetrachloride Converter for Polysilicon Market. https://www.cnbc.com/2010/11/12/pst-and-dei-launch-large-scale-silicon-tetrachloride-converter-for-polysilicon-market-solar-and-semiconductor-polysilicon-provider-offers-largestsingle-train-stc-converter.html; Patent 9217609 (US). Apparatus and methods for conversion of silicon tetrachloride to trichlorosilane / S. Fahrenbruck, B. Hazeltine, A. Schweyen, S. Skinner, 2015. https://patentimages.storage.googleapis.com/e2/ec/52/8f5a1b0c621d25/US9217609.pdf; Patent 2595620A (US). Hydrogenation of halogenosilanes / G. H. Wagner, C. H. Erickson, 1952. https://patentimages.storage.googleapis.com/5a/c5/84/36b86273ac5704/US2595620.pdf; Mui J. Y. P., Seyferth D. Investigation of the hydrogenation of SiCl4. Final Report DOE/JPL, Contract No. 955382. Cambridge (M.A.): Massachusetts Institute of Technology, 1981.; Mui J. Y. P. Investigation of the Hydrogenation of SiCl4. Final Report DOE/JPL, Contract No. 956061. Bellingham (M.A.): Solarelectronics Inc., 1983.; Ingle W. M., Peffley M. S. Kinetics of the hydrogenation of silicon tetrachloride // J. Electrochem. Soc. 1985. V. 132, N 5. P. 1236—1240. DOI:10.1149/1.2114078; Lehnen R. J. Untersuchungen zur katalysierten Hydrochorierung von metalurgishem Silizium mit Siliziumtetrachlorid und Wasserstoff in einem Laborfestbettreaktor: Diss. zur Erlangung des Grades Dr. Bochum, 2002. 173 p.; Ding W.-J., Wang Z.-B., Yan J.-M., Xiao W.-D. CuCl — catalyzed hydrogenation of silicon tetrachloride in the presence of silicon: mechanism and kinetic modeling // Ind. Eng. Chem. Res. 2014. V. 53, N 43. P. 16725—16735. DOI:10.1021/ie503242t; Sill T., Buchholz S., Weber R., Mleczko L. Thermodynamic, mechanistic and reaction engineering aspects of hydrochorination of silicon // In: Silicon for the Chemical Industry. Trondheim (Norway), 2000. P. 107—120.; Hoel J. O., Andersen G., Røe, T., Rong H. Maximizing trichlorsilane production in the reaction between silicon, silicon tetrachloride and hydrogen // In: Silicon for the Chemical and Solar Industry XI. Bergen-Ulvik (Norway), 2012. P. 157—166.; Bohmhammel K., Roewer G., Walter H. Hydrodehalogenation of chlorosilanes in the presence of metal silicides: experimental studies of gas and solid phase composition related to thermodynamic calculations // J. Chem. Soc. Faraday Trans. 1995. V. 91, N 21. P. 3879—3882. DOI:10.1039/FT9959103879; Walter H., Roewer G., Bohmhammel K. Mechanism of the silicide-catalysed hydrodehalogenation of silicon tetrachloride to trichlorosilane // J. Chem. Soc., Faraday Trans. 1996. V. 92, N 22. P. 4605—4608. DOI:10.1039/FT9969204605; Röver I., Acker K., Bohmhammel K., Roewer G., Hesse K., Pätzold U. The catalytic hydrodehalogenation of chlorsilanes — the crucial point of electron-grade silicon // In: Silicon for the Chemical Industry VI. Trondheim (Norway), 2002. P. 209—224.; Wu J., Chen Z., Ma W., Dai Y. Thermodynamic estimation of silicon tetrachloride to trichlorosilane by a low temperature hydrogenation technique // Silicon. 2017. V. 9, N 1. P. 69—75. DOI:10.1007/s12633-015-9353-0; Patent 7056484 (US). Method for producing trichlorosilane / A. Bulan, R. Weber, 2006. https://patentimages.storage.googleapis.com/fc/c8/f7/634afcabab971a/US7056484.pdf; Patent 2002022501A1 (WO). Method for producing trichlorosilane / A. Bulan, R. Weber, 2002. https://patentimages.storage.googleapis.com/ee/66/63/cd03538edaff68/WO2002022501A1.pdf; Patent 2002022500A1 (WO). Verfahren zur herstellung von trichlorsilan / A. Bulan, R. Weber, L. Mleczko, 2002. https://patentimages.storage.googleapis.com/2c/1d/36/130ba865b2d364/WO2002022500A1.pdf; Patent 108855091 (CN). The catalyst and preparation method thereof of trichlorosilane is prepared for silicon tetrachloride cold hydrogenation / Sun Yongshi, Fan Xiecheng et al., 2018. https://patentimages.storage.googleapis.com/d7/87/b6/2442318a1ce15c/CN108855091A.pdf; Patent 2002049754A1 (WO). Fluidised bed reactor made of a nickel-chrome-molybdenum-alloy for the synthesis of trichlorosilane / M. Pfaffelhuber, R. Weber, 2002. https://patentimages.storage.googleapis.com/d0/eb/83/e7bae271ee3b32/WO2002049754A1.pdf; Colomb M., Palanki S., Sylvester N. D. Modeling the hydrochlorination reaction in a laboratory-scale fluidized bed reactor // Powder Technol. 2016. V. 292. P. 242—250. DOI:10.1016/j.powtec.2015.12.044; Patent 19534922 (DE). Verfahren zur Hersfellung von Trichlorsilan und Silicium / R. Grießhammer, F. Köppl, F. Schrieder, 1997.; Hazeltine B. Advances in hydrochlorination technology within a polysilicon plant // In: Silicon for the Chemical and Solar Industry XI, Bergen-Ulvik (Norway), 2012. P. 167—175.; Patent 20110311398A1 (US): Zero-heat-burden fluidized bed reactor for hydro-chlorination of SiCl4 and M.G.-Si / Kuyen Li, 2011. https://patentimages.storage.googleapis.com/86/c0/6e/34e838132862f4/US20110311398A1.pdf; Patent 109694077 (CN). A kind of converting silicon tetrachloride is the device and method of trichlorosilane / Fan Xiecheng, Liu Xinping, Qin Wenjun et al., 2019. https://patentimages.storage.googleapis.com/93/f2/e2/03e25cf630c545/CN109694077A.pdf; Patent 10065864 (US). Method of preparing trichlorosilan / G. H. Kim, J. H. Kim, K. H. Park, D. H. Lee, 2018. https://patentimages.storage.googleapis.com/25/4b/66/389b857887cbf4/US10065864.pdf; Patent 20150158732A1 (US). Process for producing trichlorosilane / S. Gandhi, B. Hazeltine, 2015. https://patentimages.storage.googleapis.com/a2/d7/48/2d9374e9d02687/US20150158732A1.pdf; Dongming Song, Yanging Hou, Gang Xie, Zhuohuang Ma. Thermodynamic behavior of SiH2Cl2 in polysilicon production by Siemens process // Adv. Mater. Res. 2013. V. 712–715. P. 325—328. DOI:10.4028/www.scientific.net/AMR.712-715.325; Яркин В. Н., Петрик А. Г., Фалькевич Э. С. Выбор метода промышленного получения дихлорсилана // Цветные металлы. 1988. № 6. С. 70—73.; Mc Cormick J. R., Arvidson A. N., Sawyer D. H., Müller D. M. Development of a polysilicon process based on chemical vapor deposition of dichlorosilane in an advanced Siemen's reactor: final report. Hemlock Semiconductor Corp., 1983.; Чащинов Ю. М., Яркин В. Н., Петрик А. Г., Гашенко В. С. Состав и строение стержней кремния, полученных в процессе водородного восстановления дихлорсилана // Цветные металлы. 1989. № 5. C. 86—87.; Patent 20170058403A1 (US). Dichlorosilane compensating control strategy for improved polycrystalline silicon growth. J. V. Bucci, M. R. Stachowiak, C. A. Stibitz, 2017. https://patentimages.storage.googleapis.com/7c/71/09/0af4540d94ffbb/US20170058403A1.pdf; Patent 20100150809A1 (US). Enhancements for a chlorosilane redistribution reactor / J. M. Bill, C. W. Merkh, C. L. Griffith III, 2010. https://patentimages.storage.googleapis.com/3e/19/70/b8833fb94b561b/US20100150809A1.pdf; Mauritis J. E. A. Silicon production // In: Treatise on Process Metallurgy. V. 3: Industrial Processes, Pt A. Amsterdam: Elsevier, 2014. 1097 p. (P. 945).; Bill J., Drumm K., Li Kuyen. Strategies for new entrants into polysilicon // Proc. Int. Solar Energy Expo 8 Conference. Kintex (Korea), 2010.; Staff B. GCL Solar Completes DCS Redistribution with Dynamic Engineering. https://www.benzinga.com/press-releases/b63908/gcl-solar-completes-dcs-redistribution-with-dynamic-engineering; Osborne M. Dynamic Engineering completes largest DCS project for GCL Solar. https://www.pv-tech.org/dynamic_engineering_completes_largest_dcs_project_for_gcl_solar/; Merkh C., Sun Xiaojing. Polysilicon plan waste recycling. https://www.renewableenergyworld.com/baseload/polysilicon-plant-waste-recycling/#gref; Patent 101955187 (CN). Method and apparatus for preparing trichlorosilane through rectification by using proportionate reaction / Huang Guoqiang, Wang Guofeng, Wang Hongxing, Hua Chao, 2012. https://patentimages.storage.googleapis.com/c7/8c/69/bdbdc0d75a12e7/CN101955187B.pdf; Patent 102491341A (CN). Reactive distillation device for preparing trichlorosilane from mixed chlorosilane and method for device / Liu Chunjiang, Duan Changchun, Huang Zheqing, Huang Guoqiang, 2012. https://patentimages.storage.googleapis.com/fa/28/5c/7c3d256990284c/CN102491341A.pdf; Patent 103086380A (CN). Method and device for treating dichlorosilane waste by utilizing reactive distillation / Huang Guoqians, Sun Shuaishuai, Wang Hongxing, 2013. https://patentimages.storage.googleapis.com/75/13/64/7bce901d8891c9/CN103086380A.pdf; Zhu Y.-Q., Zong B., Wang X.-B., Tang D.-C., Dong H.-T., Wei D.-L., Wang T.-H. Research and optimization on preparation of trichlorosilane by anti-disproportionation method // Chem. Engineering (Chin.). 2016. V. 44, N 3. P. 64—67. DOI:10.3969/j.issn.1005-9954.2016.03.013; Ju Young Lee, Woo Hyung Lee, Yong-Ki Park, Hee Young Kim, Na Young Kang, Kyung Byung Yoon, Won Choon Choi, O-Bong Yang. Catalytic conversion of silicon tetrachloride to trichlorosilane for a poly-Si process // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2012. V. 105. P. 142—147. DOI:10.1016/j.solmat.2012.06.009; Patent 101242437B1 (KR). Manufacturing method for trichlorsilane / W. C. Choi, Y. K. Park, H. Y. Kim, 2013. https://patentimages.storage.googleapis.com/3e/da/b2/53711dac12c035/KR101242437B1.pdf; Patent 2009147028A1 (WO). Method for converting silicon tetrachloride or mixtures of silicon tetrachloride and dichlorosilane using methane / M. Stepp, U. Pätzold, H. Voit, R. Weidner, 2009. https://patentimages.storage.googleapis.com/cc/7c/ac/45f5953a1b50ad/WO2009147028A1.pdf; Patent 102874817 (CN). Method for preparing silane by disproportionating dichlorosilane / Li Bo, Gorg Yousheng, Tanchuan Richard, 2013. https://patentimages.storage.googleapis.com/a3/1a/86/423ae5e7f57ebc/CN102874817A.pdf; Wacker stellt Jahresprognose 2020 wegen Coronakrise unter Vorbehalt. https://www.wacker.com/cms/de-de/about-wacker/press-and-media/press/press-releases/detail-139777.html; Ceccaroli B., Lohne O., Øvrelid E. J. New advances in polysilicon processes correlating feedstock properties and good crystal and wafer performances // Phys. Status Solidi C. 2012. V. 9, N 10–11. P. 2062—2070. DOI:10.1002/pssc.201100167; Yan D. Siemens Process // In: Yang D. (Ed.) Handbook of Photovoltaic Silicon. Berlin; Heidelberg: Springer, 2019. P. 37—68. DOI:10.1007/978-3-662-56472-1_4; Chee Y., Kunimune T. 10000 MTA polysilicon plan commercialization comparison // News & Information for Chemical Engineering. 2014. V. 32, N 3. P. 339—355. https://www.cheric.org/PDF/NICE/NI32/NI32-3-0339.pdf; Patent 20120114546A1 (US). Hybrid TCS-siemens process equipped with 'turbo charger' FBR; method of saving electricity and equipment cost from TCS-siemens process polysilicon plants of capacity over 10,000 MT/YR / Y. Chee, T. Kunimune, 2012. https://patentimages.storage.googleapis.com/5f/09/f8/23c73bf5ea794c/US20120114546A1.pdf; Ramírez-Márquez C., Vidal Otero M., Vázquez-Castillo J. A., Martín M., Segovia-Hernández J. G. Process design and intensification for the production of solar grade silicon // J. Cleaner Production. 2018. V. 170. P. 1579—1593. DOI:10.1016/j.jclepro.2017.09.126; Митин В. В., Кох А. А. Развитие рынка и технологии производства поликристаллического кремния // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2017. Т. 20, № 2. С. 99—106. DOI:10.17073/1609-3577-2017-2-99-106; Anu Bhambhani. GCL – Poly Adding 10000 MT Granular Silicon Capacity. http://taiyangnews.info/business/gcl-poly-adding-10000-mt-granular-silicon-capacity/ (дата обращения: 03.02.2021); Anu Bhambhani. Increased Demand For Mono-Grade Polysilicon & Higher ASP enabled Dago New Energy. http://taiyangnews.info/business/daqos-q32020-net-income-grew-to-20-8-million/ (дата обращения: 25.11.2020); REC Silicon could restart poly production at Moses Lake. https://www.pv-magazine.com/2020/10/29/rec-silicon-could-restart-poly-production-at-moses-lake/ (дата обращения: 29.10.2020); DuPont Divests Trichlorosilane Business and its Stake in Hemlock Semiconductor Joint Venture. https://s23.q4cdn.com/116192123/files/doc_news/2020/09/HSC-and-TCS-Release_FINAL-9.9.20.pdf (дата обращения: 09.09.2020); Yadav Sh., Singh Ch. V. Molecular adsorption and surface formation reactions of HCl, H2 and chlorosilanes on Si(100)-c(4×2) with applications for high purity silicon production // Appl. Sur. Sci. 2019. V. 475. P. 124—134. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.12.253; https://met.misis.ru/jour/article/view/419

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/419
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-1-5-26

The development of the market and the production technology of polycrystalline silicon ; Развитие рынка и технологии производства поликристаллического кремния

Συγγραφείς: V. V. Mitin, A. A. Kokh, В. В. Митин, А. А. Кох

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 20, № 2 (2017); 99-106 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 20, № 2 (2017); 99-106 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2017-2

Θεματικοί όροι: безопасное производство, micro and power electronics, polysilicon, Siemens Process, trichlorosilane, hydrogen reduction, hydrogenation, waste utilization, safe production, микро− и силовая электроника, поликремний, Сименс−процесс, трихлорсилан, водородное восстановление, гидрирование, утилизация отходов

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/306/243; Tore Torvund, President & CEO. Swedbank Energy Summit, Oslo, March 16, 2017. http://hugin.info/136555/R/2088247/788237.pdf (дата обращения: 15.03.2017).; Solar Grade Polysilicon. Recsilicon. URL: https://www. recsilicon.com/products/solar-grade-polysilicon (дата обращения: 25.04.2017).; Electronic Grade Polysilicon. URL: https://www.recsilicon.com/products/electronic-grade-polysilicon (дата обращения: 17.03.2017).; UN Comtrade. URL: https://comtrade.un.org/ (дата обращения: 17.03. 2017).; Global Trends in Renewable Energy Investment 2016. Frankfurt School−UNEP Centre/BNEF. 2016. URL: http://fsunepcentre.org/publications/global-trends-renewable-energyinvestment-2016 (дата обращения: 15.03.2017).; International Energy Outlook 2016. U.S. Energy Information Administration, 2016.; SNEC 2017 — PV Power Expo (Shanghai), 2017. Becquerer Institute. Global costs to installation. PV market Alliance. URL: http://www.snec.org.cn/website/index.aspx?url=Conference/ Login&lang=en (дата обращения: 12.05.2017).; Westermeier C. Global Market Outlook, President, Solar Power Europe Intersolar, Munich, 30 May 2017. URL: https://www. intersolar.de/en/program/proceedings.html (дата обращения: 05.05.2017).; IRENA (2017), REthinking Energy 2017: Accelerating the global energy transformation. International Renewable Energy Agency, Abu Dhabi. URL: http://www.ourenergypolicy.org/wp− content/uploads/ 2017/01/IRENA_REthinking_Energy_2017.pdf (дата обращения: 23.05.2017).; O’Mara R. B., Herring L. P. Handbook of Semiconductor Silicon Technology. Park Ridge (New Jersey): Noyes Publications, 1990. P. 5—15.; Фалькевич Э. С., Пульнер Э. О., Червоный И. Ф,. Шварцман Л. Я, Яркин В. Н., Салли И. В. Технология полупроводникового кремния. М.: Металлургия, 1992. 408 с.; Elyousfi A. Investment in Polysilicon Production. URL: https://ru.scribd.com/document/245610342/Alan-Elyousfi-Investment-in-Polysilicon-Production (дата обращения: 09.01.2017).; SVP Jon André Lokke Copenhagen, January 8, 2010. URL: http://www.huginonline.no/REC/files/20100108a.pdf (дата обращения: 02.06.2017).; Белов Е. П. Лебедев Е. Н., Григораш Ю. П., Горюнов А. Н., Литвиненко И. Н. Моносилан в технологии полупроводниковых материалов. М.: НИИТЭХИМ, 1989. 66 с.; Pat. 6103942 A (US). Method of high purity silane preparation / Y. S. Tsuo, E. P. Belov, V. G. Gerlivanov, V. V. Zadde, S. I. Kleschevnikova, N. N. Korneev, E. N. Lebedev, A. B. Pinov, E. A. Ryabenko, D. S. Strebkov, E. A. Chernyshev, 15.08.2000; Киселев А. Д. Процессы получения кремния с низким содержанием примесей с использованием магниетермического восстановления диоксида кремния в аппаратах стесненного падения. URL: http://portal.tpu.ru/portal/pls/portal/!app_ds.ds_view_bknd. download_doc?fileid=987 (дата обращения: 10.06.2017).; International Technology Roadmap for Photovoltaic, 2015. VDMA Photovoltaic Equipment. URL: http://www.itrpv.net/.cm4all/ iproc.php/ITRPV%20Seventh%20Edition%20including %20maturity%20report%2020161026.pdf?cdp=a (дата обращения: 10.03.2017).; Пат. RU № 2280010 C1 (РФ). Способ получения трихлорсилана / А. В. Елютин, Ю. Н. Назаров, А. М. Чапыгин, А. А. Кох, А. А. Аркадьев, В. В. Апанасенко, 20.07.2006.; Пат. № 011971 (Евразийский). Способ получения поликристаллического кремния / А. А. Аркадьев, А. В. Елютин, Л. С. Иванов, А. А. Кох, В. Г. Левин, В. В. Митин, Ю. Н. Назаров, Ю. Н. Пархоменко, В. А. Пекелис, И. Ю. Петрова, Т. В. Симонова, А. М. Чапыгин, 30.06.2009.; Пат. RU № 2278076 C2 (РФ). Устройство гидрирования тетрахлорида кремния / Л. С. Иванов, В. Г. Левин, В. В. Митин, Д. В. Назаркин, 20.06.2006.; Пат. RU № 2274602 С1 (РФ). Способ получения трихлорсилана. МПК: C01B33/107 / Л. С. Иванов, В. Г. Левин, В. В. Митин, Д. В. Назаркин, 20.04.2006.; Shravan Kumar Chunduri. Detailed product descriptions of Siemens−type CVD reactors // Photon International. 2013. P. 120—126.; ОАО «Гиредмет». URL: http://giredmet.ru/ru/products/ polysilicon/pulisilicontechnology/; http://giredmet.ru/ru/products/ polysilicon/polysiliconequipment/ (дата обращения: 05.06.2017).; Пат. RU № 2475451 C1 (РФ). Способ получения поликристаллического кремния / А. Б. Пинов, С. А. Муравицкий, Т. Р. Тимербулатов, П. М. Гаврилов, А. П. Прочанкин, М. В. Болгов, О. Г. Войнов, 20.02.2013.; Пархоменко Ю. Н., Наумов А. В. Когда закончится перепроизводство поликремния // XI Конф. и X Школа молодых ученых и специалистов (Кремний−2016). Тезисы докладов. Новосибирск, 2016. С. 23.; Наумов А. В. Инвестиционные циклы рынка поликремния // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015. Т. 18, № 3. С. 172—178. DOI:10.17073/1609- 3577-2015-3-172-178; ГОСТ 12.1.010−76. 1999. Взрывобезопасность. Общие требования.; ГОСТ 12.1.007−76. 1999. Вредные вещества. Классификация. Общие требования безопасности.; https://met.misis.ru/jour/article/view/306

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/306
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2017-2-99-106