Showing 1 - 20 results of 117 for search '"СТРУКТУРНО ФАЗОВЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ"', query time: 1.00s Refine Results
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6
    Academic Journal

    Source: Doklady of the National Academy of Sciences of Belarus; Том 65, № 1 (2021); 111-118 ; Доклады Национальной академии наук Беларуси; Том 65, № 1 (2021); 111-118 ; 2524-2431 ; 1561-8323 ; 10.29235/1561-8323-2021-65-1

    File Description: application/pdf

    Relation: https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/952/949; Мьюрарка, Ш. П. Силициды для СБИС / Ш. П. Мьюрарка. – М.: Мир, 1986. – 176 с.; Chen, L. J. Silicide Technology for Integrated Circuits / L. J. Chen. – London, 2004. – 279 p. https://doi.org/10.1049/pbep005e; Electrical properties and solid-phase reactions in Ni/Si(100) contacts / Y. Tsuchiya [et al.] // Japanese Journal of Applied Physics. – 2002. – Vol. 41, N 4B. – P. 2450–2454. https://doi.org/10.1143/jjap.41.2450; Impact of Ni-silicide grain orientation on the strain and stress fields induced in patterned silicon / C. Torregiani [et al.] // Applied Physics Letters. – 2007. – Vol. 90, N 5. – Art. 054101. https://doi.org/10.1063/1.2437064; Ultrathin Ni silicides with low contact resistance on srained and ultrastrained silicon / L. Knoll [et al.] // IEEE Electron device letters. – 2010. – Vol. 31, N 4. – P. 350–352. https://doi.org/10.1109/led.2010.2041028; Contact resistance reduction of Pt-incorporated NiSi for continuous CMOS scaling: Atomic level analysis of Pt/B/As distribution within silicide films / T. Sonehara [et al.] // IEEE International Electron Device Meeting. – San Francisco, 2008. – P. 921–924. https://doi.org/10.1109/iedm.2008.4796851; Enhancement of thermal stability of NiSi films on (100)Si and (111)Si by Pt addition / D. Mangelinck [et al.] // Applied Physics Letters. – 1999. – Vol. 75, N 12. – P. 1736–1738. https://doi.org/10.1063/1.124803; Электронная микроскопия тонких кристаллов / П. Б. Хирш [и др.]. – М.: Мир, 1968. – 574 c.; Томас, Г. Просвечивающая электронная микроскопия материалов / Г. Томас, М. Дж. Гориндж. – М.: Наука, 1983. – 320 c.; Majni, G. Growth kinetics of NiSi on (100) and (111) silicon / G. Majni, F. D. Valle, C. Nobili // Journal of Physics D: Applied Physics. – 1984. – Vol. 17, N 5. – P. L77–L81. https://doi.org/10.1088/0022-3727/17/5/002; Calorimetric analysis of thin-film reactions: Experiments and modeling in the nickel/silicon system / P. Knauth [et al.] // Journal of Applied Physics. – 1994. – Vol. 76, N 9. – P. 5195–5201. https://doi.org/10.1063/1.357238; Natan, M. Anomalous first-phase formation in rapidly thermal annealed, thin-layered Si/Ni/Si films / M. Natan // Applied Physics Letters. – 1986. – Vol. 49, N 5. – P. 257–259. https://doi.org/10.1063/1.97188; Borisenko, V. E. Rapid thermal processing of semiconductor / V. E. Borisenko, P. J. Hesketh. – New York, 1997. – 358 p. https://doi.org/10.1007/978-1-4899-1804-8; Соловьёв, Я. А. Влияние температуры быстрой термической обработки на электрофизические свойства пленок никеля на кремнии / Я. А. Соловьёв, В. А. Пилипенко // Докл. БГУИР. – 2020. – Т. 18, № 1. – С. 81–88. http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-1-81-88; https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/952

  7. 7
    Academic Journal

    Source: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Vol. 18 No. 2 (2021); 14-19
    Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 18 № 2 (2021); 14-19
    Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 18 № 2 (2021); 14-19

    File Description: application/pdf

  8. 8
  9. 9
    Conference

    Contributors: Сыртанов, Максим Сергеевич

    Relation: Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XVI Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 23-26 апреля 2019 г. Т. 1 : Физика. — Томск, 2019.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/55844

  10. 10
    Academic Journal

    Relation: Веснік Полацкага дзяржаўнага ўніверсітэта. Серыя F, Будаўніцтва. Прыкладныя навукі; Herald of Polotsk State University. Series F, Civil engineering. Applied sciences; Вестник Полоцкого государственного университета. Серия F. Строительство. Прикладные науки; Серия F. Строительство. Прикладные науки;2020. - № 16; https://elib.psu.by/handle/123456789/26941; 666.797

  11. 11
  12. 12
  13. 13
  14. 14
  15. 15
  16. 16
  17. 17
  18. 18
    Academic Journal

    Contributors: Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Экономический факультет Кафедра мировой экономики и налогообложения

    Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 58, № 4. P. 485-491

    File Description: application/pdf

    Linked Full Text
  19. 19
  20. 20