Showing 1 - 20 results of 40 for search '"СОДЕРЖАНИЕ КИСЛОРОДА"', query time: 0.76s Refine Results
  1. 1
  2. 2
    Academic Journal

    Source: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Vol. 2 No. 12 (110) (2021): Materials Science; 6-14
    Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 2 № 12 (110) (2021): Материаловедение; 6-14
    Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 2 № 12 (110) (2021): Матеріалознавство; 6-14

    File Description: application/pdf

  3. 3
    Academic Journal

    Source: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 5 (108) (2020): Прикладна фізика; 15-20
    Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 5 (108) (2020): Прикладная физика; 15-20
    Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 5 (108) (2020): Applied physics; 15-20

    File Description: application/pdf

  4. 4
  5. 5
  6. 6
  7. 7
  8. 8
  9. 9
  10. 10
    Academic Journal

    Contributors: Ш. Рипе, К. Шмид (Институт Фраунгофера ISE, Фрайбург), А. Смирнов (STR Group Ltd., Санкт−Петербург), компания «Роберт Бош»

    Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 18, № 2 (2015); 95-102 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 18, № 2 (2015); 95-102 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2015-2

    File Description: application/pdf

    Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/165/154; von Ammon, W. Application of magnetic fields in industrial growth of silicon single crystals / W. von Ammon, Yu. Gelfgat, L. Gorbunov, A. Mühlbauer, A. Muiznieks, Y. Makarov, J. Virbulis, G. Müller // The 15th Riga and 6th PAMIR Conf. on Fundamental and Applied MHD. − Riga, 2005. − P. 41—54.; Nouri, A. Control of multicrystalline photovoltaic silicon solidification by using a travelling magnetic field / A. Nouri, Y. Delannoy, K. Zaïdat // Proc. PAMIR Conf. − Borgo (France), 2011.; Цивинская, Ю. С. Управление процессами массопереноса при получении поликристаллического кремния методом Бриджмена / Ю. С. Цивинская, В. Н. Попов // Изв. Томского политехн. ун−та. − 2012. − Т. 320, № 2. − С. 140—144.; Антонов, П. В. Численное моделирование сопряженного теплообмена при получении слитков кремния методом Бриджмена / П. В. Антонов, В. С. Бердников // Тр. Междунар. конф. «Современные проблемы прикладной математики и механики: теория, эксперимент и практика». − Новосибирск, 2011.; Пресняков, Р. В. Выращивание мультикристаллического кремния на основе металлургического кремния высокой чистоты: автореф. дисс. … канд. техн. наук / Р. В. Пресняков. − Иркутск, 2013.; Gonik, M. A. Silicon crystal growth by the modified FZ technique / M. A. Gonik, A. Cröll // CrystEngComm. − 2013. − V. 15, N 12. − P. 2287—2293. DOI:10.1039/C2CE26480C.; Gonik, M. Material development for directional solidification of multicrystalline silicon by AHP method / M. Gonik, S. Riepe, C. Schmid, A. Smirnov // Proc. ICCG−17. − Warsaw (Poland), 2013.; Ostrogorsky, A. G. Single−crystal growth by the submerged heater method / A. G. Ostrogorsky // Meas. Sci. Technol. − 1990. − V. 1. − P. 463—464.; Golyshev, V. D. A temperature field investigation in case of crystal growth from the melt with a plane interface on exact determination thermal conditions / V. D. Golyshev, M. A. Gonik // Cryst. Prop. and Preparation. − 1991. − V. 36−38. − P. 623.; Марченко, М. П. Моделирование процесса выращивания Si методом ОТФ / М. П. Марченко, В. Д. Голышев, М. А. Гоник, И. В. Фрязинов // Тез. докл. III Нац. конф. по выращиванию кремния. − М., 2003. − C. 64—66.; Gonik, M. A. Application of the submerged AHP heater for the growing of the multi-crystalline silicon / M. A. Gonik, A. I. Nepomnyaschih, V. V. Kalaev, A. D. Smirnov // Abstr. ACCGE−17 Conf. − Lake Geneva (Wisconsin, USA), 2009.; Breitenstein, O. Shunt types in crystalline silicon solar cells / O. Breitenstein, J. P. Rakotoniaina, M. H. Al Rifai, M. Werner // Prog. Photovolt: Res. Appl. − 2004. − V. 12, N 7. − P. 529— 538. DOI:10.1002/pip.544.; Reimann, C. About the formation and avoidance of C and N related precipitates during directional solidification of multi−crystalline silicon from contaminated feed stock / C. Reimann, M. Trempa, J. Friedrich, G. Mueller // J. Cryst. Growth. − 2010. V. 312, N 9. − P. 1510—1516. DOI:10.1016/j.jcrysgro.2010.02.003.; Gao, B. Crystal growth of high−purity multicrystalline silicon using a unidirectional solidification furnace for solar cells / B. Gao, X. J. Chen, S. Nakano, K. Kakimoto // J. Cryst. Growth. − 2010. V. 312, N 9. − P. 1572—1576. DOI:10.1016/j.jcrysgro.2010.01.034.; Гоник, М. А. К возможности выращивания объемных кристаллов Si—Ge−методом ОТФ / М. А. Гоник, A. Cröll // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2013. − № 3. − С. 12—19.; Филонов, К. Н. Новый способ получения наноструктурированных карбидокремниевых покрытий / К. Н. Филонов, В. Н. Курлов, Н. В. Классен, Е. А. Кудренко, Э. А. Штейнман // Изв. РАН, сер. физ. − 2009. − Т. 10. − С. 1457—1459.; Belmann, M. Personal communication, 2013.; Binetti, S. Silicon sample for PV application grown under reduced melt convection / S. Binetti, M. Gonik, A. Le Donne, A. Cröll // J. Cryst. Growth. − 2015. − V. 417, N 5. − P. 9—15. DOI:10.1016/j.jcrysgro.2014.11.039.; Binetti, S. Effect of nitrogen contamination by crucible encapsulation on polycrystalline silicon material quality / S. Binetti, M. Acciarri, C. Savigni, A. Brianza, S. Pizzini, A. Musinu // Mater. Sci. and Eng. B. − 1996, V. 36, N 1. − P. 68—72. DOI:10.1016/0921−5107(95)01268−0.; Müller, G. Convection and inhomogeneity in crystal growth from the melt / G. Müller. − Berlin; Heidelberg : Springer−Verlag, 1988. − V. 12. − 136 p. DOI:10.1007/978−3−642−73208−9_1; https://met.misis.ru/jour/article/view/165

  11. 11
  12. 12
  13. 13
    Academic Journal

    Source: Фотобиология и фотомедицина; Том 10, № 1, 2 (2013); 56-63 ; Фотобіологія та фотомедицина; Том 10, № 1, 2 (2013); 56-63 ; 2076-0612

    File Description: application/pdf

  14. 14
  15. 15
    Report

    Contributors: Дитц, Александр Андреевич

    Time: 240100

    File Description: application/pdf

    Relation: Фомин В. Ю. Исследование процесса окисления компактного нитрида алюминия : дипломный проект / В. Ю. Фомин; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Институт физики высоких технологий (ИФВТ), Кафедра технологии силикатов и наноматериалов (ТСН); науч. рук. А. А. Дитц. — Томск, 2016.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/29015

  16. 16
    Academic Journal

    Source: South of Russia: ecology, development; Том 8, № 3 (2013); 6-16 ; Юг России: экология, развитие; Том 8, № 3 (2013); 6-16 ; 2413-0958 ; 1992-1098 ; 10.18470/1992-1098-2013-3

    File Description: application/pdf

    Relation: https://ecodag.elpub.ru/ugro/article/view/153/149; Мирзоев М.З. 1984. Рыбохозяйственное значение Аграханского залива в современных условиях. Автореф. дис. … канд. биол. наук. М. 48 с. Mirzoev M.Z. 1984. Rybokhozyaystvennoe znachenie Agrakhanskogo zaliva v sovremennykh usloviyakh [Fishery significance of Agrakhan Bay in present-day conditions. PhD Thesis] Moscow. 48 p. (in Russian).; Науменко М.А. 2007. Эвтрофирование озер и водохранилищ. Учебное пособие. СПб.: Изд-во РГГМУ. 100 с. Naumenko M.A. 2007. Evtrofirovanie ozer i vodokhranilishch. Uchebnoe posobie [Eutrophication of lakes and reservoirs]. Saint Peterburg: RSHU Publ. 100 p. (in Russian).; ГОСТ 17.1.1.01-77. Охрана природы. Гидросфера. Использование и охрана вод. Основные термины и определения (с Изменениями № 1, 2) – введ. 1978-06-30. М.: Государственный комитет СССР по стандартам. GOST 17.1.1.01-77. Okhrana prirody. Gidrosfera. Ispol’zovanie i okhrana vod. Osnovnye terminy i opredeleniya (s Izmeneniyami 1, 2) – vved. 1978-06-30 [GOST 17.1.1.01-77. Protection of nature. Hydrosphere. Use and protection of water. Basic terms and definitions (Amended N 1, 2) – introduced 1978-06-30]. Moscow: State Committee on standards of the USSR (in Russian).; ГОСТ 17.1.5.01-80. Общие требования к отбору проб донных отложений водных объектов для анализа на загрязненность – введ. 1982-01-01. М.: Государственный комитет СССР по стандартам. GOST 17.1.5.01-80. Obshchie trebovaniya k otboru prob donnykh otlozheniy vodnykh ob”ektov dlya analiza na zagryaznennost’ – vved. 1982-01-01 [GOST 17.1.5.01-80 General requirements for sampling of bottom sediments of water bodies for the analysis of the pollution. – introduced 1982-01-01]. Moscow: State Committee on standards of the USSR (in Russian).; https://ecodag.elpub.ru/ugro/article/view/153

  17. 17
  18. 18
  19. 19
  20. 20